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基于平衡技術(shù)的微帶低通濾波器版圖優(yōu)化設(shè)計(jì)
摘要：微帶線結(jié)構(gòu)的不連續(xù)性，使反射損耗和插入損耗較大，影響濾波器性能。利用平衡法提升濾波器并聯(lián)分支中較低的特性阻抗，達(dá)到降低微帶線寬度的目的，從而均衡整個(gè)濾波器的寬度，使版圖仿真優(yōu)化。以一個(gè)5階切比雪夫
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采用直流耦合阻抗轉(zhuǎn)換的電容話筒
電容話筒的薄膜就是一只電容的活動(dòng)極。對(duì)于極性電容來(lái)說(shuō)，膜片相對(duì)于定片的振動(dòng)產(chǎn)生了一個(gè)交流音頻輸出電壓。電容體的容值為10pF~60pF，因此，應(yīng)將其連接到一個(gè)有超高輸入電阻的阻抗轉(zhuǎn)換器，以獲得平坦的頻率響應(yīng)。
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SOPC設(shè)計(jì)中的兩種片上總線分析
SoC(Systemon Chip,片上系統(tǒng))以其能提高產(chǎn)品性能、縮小產(chǎn)品體積等優(yōu)點(diǎn),逐漸成為嵌入式系統(tǒng)發(fā)展的主流趨勢(shì)。SOPC(System On a Programmable Chip,可編程片上系統(tǒng))利用可編程邏輯器件來(lái)實(shí)現(xiàn)SoC,具有設(shè)計(jì)方式靈活,可裁減
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同時(shí)提供方波和平方根兩種輸入電壓的電路
本例使用某個(gè)前例(參考文獻(xiàn)1)中的電路作為輸入。IC1和IC3為ADG5213四開關(guān)，有獨(dú)立的邏輯電平控制輸入端（圖1與參考文獻(xiàn)2）。在輸入為高時(shí)，開關(guān)S2和S3打開，開關(guān)S1和S4閉合。當(dāng)各個(gè)開關(guān)的控制輸入端為低時(shí)，它們分別
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關(guān)鍵區(qū)域分析與存儲(chǔ)器冗余
要點(diǎn)1.一個(gè)隨機(jī)微粒缺陷的概率是布局特征間距的函數(shù)。因?yàn)榇鎯?chǔ)器有相對(duì)致密的結(jié)構(gòu)，它們天生就對(duì)隨機(jī)缺陷更加敏感，于是就可能影響到器件的總良品率。2.一款關(guān)鍵區(qū)域分析工具要能精確地分析出存儲(chǔ)器冗余，就必須了解
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USB接口的光電隔離保護(hù)方案及其實(shí)現(xiàn)
目前計(jì)算機(jī)的USB接口已經(jīng)大量使用，一般每臺(tái)電腦都有2到4個(gè)USB口。當(dāng)一臺(tái)電腦同時(shí)接多個(gè)USB外部設(shè)備時(shí)，如果這些外部設(shè)備介入了高電壓干擾，就可能會(huì)燒壞電腦的USB口甚至電腦以及外設(shè)。目前電腦的幾種通信接口中，MO
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工程師設(shè)計(jì)故事：排查故障三要訣
最近我的學(xué)生頻繁出現(xiàn)“卡殼”現(xiàn)象：看似很簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，卻死活調(diào)不出來(lái)，人都快瘋掉了。大約一周前，小陳來(lái)找我的時(shí)候，一副懸崖上抓不牢樹枝，就想自己松手跳崖的樣子，猴急的都想給我說(shuō)難聽話了。這兩天
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電阻抗成像系統(tǒng)中電壓控制電流源的設(shè)計(jì)
摘要：在醫(yī)用電阻抗層析成像(Electrical Impedance Tomography)系統(tǒng)中電壓控制電流源的性能十分重要，大部分報(bào)道的電壓控電流源電路在低頻時(shí)有較高的輸出阻抗但是在高頻時(shí)性能大幅減弱。通過(guò)分析生物阻抗測(cè)量系統(tǒng)對(duì)電
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預(yù)測(cè)和負(fù)延遲濾波器：你應(yīng)該知道的五件事
所有系統(tǒng)，包括濾波器，都是因果關(guān)系。這意味著它們不能在激勵(lì)源激勵(lì)之前對(duì)激勵(lì)(不可預(yù)知)做出任何反應(yīng)。那么，又該如何設(shè)計(jì)一款可“預(yù)測(cè)”的濾波器呢?好吧，這一切都取決于你對(duì)品質(zhì)的期待有多高以及這一預(yù)
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影像處理元件與濾波技術(shù)探究
電視的訊號(hào)處理流程與相關(guān)元件一般來(lái)說(shuō)，影像信號(hào)皆是動(dòng)態(tài)呈現(xiàn)的，依照不同地區(qū)的規(guī)范，可分為每秒30個(gè)畫面(NTSC交錯(cuò)式掃瞄)，或是每秒25個(gè)畫面(PAL交錯(cuò)式掃瞄)，大量模擬影像信號(hào)轉(zhuǎn)成數(shù)字信號(hào)在頻寬耗用上非常龐大，
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ADC輸入阻抗信號(hào)鏈設(shè)計(jì)總結(jié)
了解轉(zhuǎn)換器阻抗是信號(hào)鏈設(shè)計(jì)的一個(gè)重要內(nèi)容。總之，若非真正需要，為什么要浪費(fèi)大筆資金去購(gòu)買昂貴的測(cè)試設(shè)備，或者費(fèi)力去測(cè)量阻抗?不如使用數(shù)據(jù)手冊(cè)提供的RC并聯(lián)組合阻抗并稍加簡(jiǎn)單計(jì)算，這種獲取轉(zhuǎn)換器阻抗曲線的方
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兩類高速ADC之間選擇：有緩沖和無(wú)緩沖
“有緩沖”或“無(wú)緩沖”考慮輸入阻抗的影響時(shí)，設(shè)計(jì)人員一般可以在兩類高速ADC之間選擇：有緩沖和無(wú)緩沖(即采用開關(guān)電容)。雖然有許多不同的轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可供選擇，但本文討論的應(yīng)用僅涉及流水
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最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測(cè)試及應(yīng)用類型
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管，這種產(chǎn)品
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RF功率晶體管耐用性驗(yàn)證方案
本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過(guò)比較測(cè)試過(guò)程來(lái)判斷它們的耐用水平。眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作
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高速電路的ESD保護(hù)最佳設(shè)計(jì)方案
靜電放電(ESD)會(huì)給電子器件環(huán)境會(huì)帶來(lái)破壞性的后果。事實(shí)上，在各種各樣電路的電路封裝和經(jīng)過(guò)裝配、正在使用大電子器件中，超過(guò)25%的半導(dǎo)體芯片損壞歸咎于ESD。通常情況下，來(lái)自人體某個(gè)部分(手指)的放電將給給不同的
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