小封裝V1ColdFire內(nèi)核設計用于入門級32位應用。它提高了系統(tǒng)利用率,降低了功耗,性能是8位MCU的十倍以上。在CycloneIIIFPGA上通過FPGA結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)V1ColdFire內(nèi)核,拓展了ColdFire在新領(lǐng)域的應用優(yōu)勢。您現(xiàn)在可以根據(jù)
龍芯CPU(英文名:Loongson,舊稱GODSON1)是中國科學院計算所自主研發(fā)的通用CPU,采用簡單指令集,類似于MIPS指令集。龍芯1號的頻率為266MHz,最早在2002年開始使用。龍芯2號的頻率最高為1GHz。龍芯3號還尚未有成品,
多臺變頻器應用在共直流母線場合時,由于變頻器之間的直流母線連接在一起,處于發(fā)電工作狀態(tài)的變頻器和處于電動工作狀態(tài)的變頻器之間的母線能量可以相互流動,使公共母線的電壓保持相對穩(wěn)定,系統(tǒng)配置合理時不需要外
HV632的結(jié)構(gòu)原理HV632的結(jié)構(gòu)框圖如圖2所示。根據(jù)結(jié)構(gòu)圖簡述其工作原理:8位二進制總線數(shù)據(jù)通過D1~D8口輸入到Data Latch(數(shù)據(jù)鎖存器)中,在移位時鐘(Shift Clock)的上下沿分別進行鎖存,每16個Shift Clock脈沖為一組
電壓放大與電流放大制作電壓放大級,通??捎霉舶l(fā)射極或共基極以及源接地或柵接地的有電壓增益的電路。這些電路僅進行電壓放大,因電路的電流小,故沒有發(fā)熱的問題。在制作電流放大級時,要對電壓放大級放大后的電平
陶瓷基板材料以其優(yōu)良的導熱性和氣密性,廣泛應用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。本文簡要介紹了目前陶瓷基板的現(xiàn)狀與以后的發(fā)展。 1、 塑料和陶瓷材料的比較 塑料尤其是環(huán)氧樹脂由于比
0 引言 垂直導電雙擴散場(VDMOS)效應晶體管是新一代集成化半導體電力器件的代表[1]。與功率晶體管相比,具有輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性高、開關(guān)速度快、驅(qū)動電流小、動態(tài)損耗小、失真小等優(yōu)點。因此VDMOS廣泛應用在
電路的功能數(shù)100MH以上的電感,重量重,體積大,不適合現(xiàn)在的使用要求,除特殊用途外,低頻LC濾波器基本上都可換成有源濾波器,本電路用正反饋電路對電容器C的頻率-阻抗特性進行倒相,形成等效的電感,線圈L的一端被
電路的功能容量可變的電容器,其最大可變?nèi)萘繛?00PF,當容量變化范圍要求更大時,可采用容量倍增器由于電容器一端接地,使其用途受到一定限制,但可以制作無極性的大容量電容。采用可變電阻VR1,可使容量倍率在1~11
電路的功能采用OP放大器的直流放大器,失調(diào)漂移固然重要,而低頻噪聲也必須小。不同種類的OP放大器基噪聲差別很大,必須進行實測,以掌握具體參數(shù)。本電路是OP放大器的噪聲電壓測定電路,測量帶寬為0.1HZ~10HZ,側(cè)重
電路的功能晶體管的集電極負載若采用LC諧振回路,為了使振蕩穩(wěn)定,皮爾斯C-B或波爾斯B-E電路的振蕩頻率必須稍稍調(diào)偏,如不用電感L,則可采用本電路這種無調(diào)節(jié)振蕩電路。電路工作原理若把石英振子看成電感L,則可將其
電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢,而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進一步的充實。用2級TTL構(gòu)成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代,因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當,容易停振或
電路的功能要求振蕩頻率和輸出電平非常穩(wěn)定的正弦波振蕩電路,如采用普通CR振蕩電路,很難實現(xiàn),若采用本電路則可達到這一要求。使用低通濾波器可把方波轉(zhuǎn)換成正弦波,但波形失真取決于濾波器的截止特性,要想獲得低
放大電路/調(diào)諧電路和變頻電路的設計 放大電路/調(diào)諧電路設計 利用圖21決定偏壓用的電阻值。首先,決定R1與R2值,使VG1S=0.5V。假設R2=47KΩ時,I1=VG1S/R2=(0.5/47)×10-3,則R1=5.5/I1=517KΩ在此
電路的功能階梯是電壓隨時間增加而呈階梯狀變化的波形。也可以說是一種用數(shù)字電路產(chǎn)生的斜率線性不好的波形。在本電路中,最多可輸出15個階梯的電壓,每級的平均時間由外部輸入的時鐘決定,輸出電壓的級差相等。如要