配有運(yùn)算放大器和外部增益設(shè)置電阻的分立式差動(dòng)放大器精度一般,并且溫度漂移明顯。采用1%、100ppm/°C標(biāo)準(zhǔn)電阻,最高 2%的初始增益誤差最多會(huì)改變200 ppm/°C,并且通常用于精密增益設(shè)置的單片電阻網(wǎng)絡(luò)過于
配有運(yùn)算放大器和外部增益設(shè)置電阻的分立式差動(dòng)放大器精度一般,并且溫度漂移明顯。采用1%、100ppm/°C標(biāo)準(zhǔn)電阻,最高 2%的初始增益誤差最多會(huì)改變200 ppm/°C,并且通常用于精密增益設(shè)置的單片電阻網(wǎng)絡(luò)
采用小尺寸工藝設(shè)計(jì)的高性能ADC通常采用1.8V至5V單電源供電。為了處理±10 V或更大的信號(hào),ADC一般前置一個(gè)放大器電路以衰減該信號(hào),防止輸入端飽和。在信號(hào)包含大共模電壓時(shí)普遍采用差分放大器(diff a
由于電力系統(tǒng)中非線性電子元件的大量使用,使得諧波污染問題日益嚴(yán)重,當(dāng)諧波含量超過一定限度時(shí)就可能對(duì)電網(wǎng)和用戶造成極大的危害,且增加線路損耗,降低線路傳輸能力,干擾通信信號(hào)等。因此,應(yīng)該積極尋找一種治
提出了使用正交頻分復(fù)用(OFDM)技術(shù)減少碼間干擾(ISI)來改善頻率選擇性衰落信道下空時(shí)編碼(STC)性能的合理方案。在IEEE802.11a無線標(biāo)準(zhǔn)下對(duì)STC與OFDM技術(shù)相結(jié)合后的STC-OFDM系統(tǒng)進(jìn)行了理論分析,通過仿真對(duì)系統(tǒng)性能進(jìn)行了評(píng)估。仿真結(jié)果表明,空時(shí)分組編碼(STBC)與OFDM技術(shù)的結(jié)合優(yōu)于垂直的貝爾實(shí)驗(yàn)室分層空時(shí)方案(VBLAST)與OFDM技術(shù)的結(jié)合;FFT點(diǎn)數(shù)與子載波數(shù)對(duì)系統(tǒng)性能有一定的影響;隨機(jī)交織器有助于顯著改善多徑衰落信道下系統(tǒng)性能,并能在各種信道上達(dá)到合理的魯棒性。
介紹了IEC61850-6變電站配置語言(SCE)的主要內(nèi)容,分析了SCL對(duì)象模型和數(shù)據(jù)交換模式,給出了SCL系統(tǒng)配置工具的應(yīng)用設(shè)計(jì)方法,最后對(duì)其關(guān)鍵模塊和技術(shù)進(jìn)行了介紹。
隨著射頻無線產(chǎn)品的快速發(fā)展,對(duì)微波濾波器小型化、集成模塊化,高頻化的要求也越來越高。而小體積、高性能和低成本的微波濾波器的市場需求量增加。此類微波濾波器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)已經(jīng)成為現(xiàn)代微波技術(shù)中關(guān)鍵問題之
摘要:按照功率VDMOSFET正向設(shè)計(jì)的思路,選取(100)晶向的襯底硅片,采用多晶硅柵自對(duì)準(zhǔn)工藝,結(jié)合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工藝仿真軟件,提取參數(shù)結(jié)果,并最終完成工藝產(chǎn)品試制,達(dá)到了500 V/8 A高壓、大電流VDMOS
本文提供了一些關(guān)于在線 ARM 仿真器的信息,以及給作為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)師的你帶來的好處。根據(jù)你的需要,你將在產(chǎn)品開發(fā)中對(duì)開發(fā)工具作出更恰當(dāng)?shù)倪x擇。 一、嵌入式產(chǎn)品的開發(fā)周期 典型的嵌入式微控制器開發(fā)項(xiàng)
A/D轉(zhuǎn)換和數(shù)字下變頻是軟件無線電體系結(jié)構(gòu)中非常重要的兩個(gè)關(guān)鍵技術(shù)。文中給出了對(duì)AD6620進(jìn)行配置,以使得ADC的數(shù)據(jù)輸出在內(nèi)部可直接連接到接收器的DDC輸入矩陣,從而簡化設(shè)計(jì),減少連接產(chǎn)生的寄生信號(hào)的配置方法。
給出了一種基于FPCA實(shí)現(xiàn)的PCI總線的多通道同/異步串行數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的硬件及軟件設(shè)計(jì)方案,同時(shí)重點(diǎn)介紹了利用Altera公司的PCI兆核函數(shù)來實(shí)現(xiàn)PCI接口的具體方法。
無論如何稱呼,超電容(ultracapacitor)或者超級(jí)電容(supercapacitor)這類新型電容都比傳統(tǒng)的電容器的電容大得多。直接地說,您現(xiàn)在可以購買到額定值為5~10F/2.5V的徑向引線式板載電容、額定值為120~150F/5V的閃光
PIN二極管在重?fù)诫s的P區(qū)和N區(qū)之間夾有一層輕摻雜的本征區(qū)(I),此類二極管廣泛用于射頻與微波領(lǐng)域。常見應(yīng)用是要求高隔離度和低損耗的微波開關(guān)、移相器和衰減器。在測試設(shè)備、儀器儀表、通信設(shè)備、雷達(dá)和各種軍事
摘 要: 介紹一種低失真、高精度可調(diào)( 頻率和幅度) 正弦波發(fā)生器實(shí)現(xiàn)的方法, 對(duì)其原理、工藝及制作過程中出現(xiàn)的問題進(jìn)行了詳細(xì)的敘述, 特別是對(duì)穩(wěn)幅、穩(wěn)頻、幅度調(diào)整和頻率調(diào)節(jié)等功能進(jìn)行了認(rèn)真的分析論證, 說明了
摘要:本文設(shè)計(jì)了一種全差分運(yùn)算放大器,對(duì)運(yùn)算放大器的AC 特性和瞬態(tài)特性進(jìn)行了仿真分析和驗(yàn)證。該運(yùn)放采用折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)、開關(guān)電容共模反饋(SC-CMFB)電路以及低壓寬擺幅偏置電路,以實(shí)現(xiàn)在高穩(wěn)定下的高增益