VCVS高通濾波器電路原理及函數(shù)將低通濾波器的低通網(wǎng)絡中電阻和電容互換,即得高通濾波器,如圖5.4-56所示。用前述的方法,可寫出基傳輸函數(shù)為上式和式“高通濾波器”比較,可得C的取值原則同前,取C1=C2=C。由上式求
VCVS低通濾波器電路原理與函數(shù)計算電路如圖5.4-55所示。對圖中電路列寫節(jié)點方程,可求出該電路的傳輸函數(shù)為H(S)=上式和式“低通濾波器”比較可得電容C值的選取C2=C和C5=KC由上式得式中K值必須滿足式:K≤HO-1+A2/4
巴特沃思、切比雪夫模擬低通濾波器通常是設計模擬高通、帶通和帶阻濾波器的原型,先按給定頻率響應巴特沃思、切比雪夫低通Ha(s)逼近,然后由選定Ha(s)實現(xiàn)二端口網(wǎng)絡的電路結構和參數(shù)值。在此對達林頓T型和∏型電路結構的濾波器元件參數(shù)進行了編程計算,并對其系統(tǒng)函數(shù)的幅頻特性進行仿真。仿真結果符合設計要求,該方法便捷,程序具有可擴展性。
MFB低通濾波器電路如圖5.4-50所示分析圖5.4-50的電路,可得出其傳輸函數(shù)為H(S)=將上式與式“低通濾波器”公式相比較,可求得:濾波器參數(shù)對各無源元件變化的靈敏度為:靈敏度標志著濾波器某個特性的穩(wěn)定程度,是濾
在有源濾波器的設計中,高階濾波器的傳輸函數(shù)都可以分解成一階和多個二階傳輸函數(shù)的乘積。一階傳輸函數(shù)比較簡單,二階函數(shù)分析如下。1、低通濾波器2、高通濾波器式中,HO為傳輸增益雙稱通頻帶增益:A為阻尼系數(shù),WO為
方法1 電感為什么在低頻時要把并聯(lián)改為串聯(lián)?從感抗與電阻的比值來分析Q值,不容易找到答案,并改串應該是不能提高Q值的。但通過今天的試驗,開始明白為什么要串聯(lián)。同時提高電感和電阻,雖然不能提高Q,但可以提高電
脈沖-寬度-高度調(diào)制乘法器雙稱為時間分割乘法器。這類乘法器電路原理圖如圖5.4-24A所示。圖中,三角波電壓UT和模擬輸入電壓UY相加,然后通過零電平比較器,得到不對稱方波控制電壓U2。U2的工作周期取決于UY的大小和極
為了保證太陽能發(fā)電系統(tǒng)的可靠性。需要時系統(tǒng)中一些主要參數(shù)(如電流、電壓、頻率等)進行實時監(jiān)控,以了解整個系統(tǒng)運行狀態(tài)。這里以ST公司的ARM9芯片作為硬件平臺的核心芯片,主要敘述監(jiān)控系統(tǒng)中數(shù)據(jù)采集和傳輸部分的硬件設計,開發(fā)基于ARM的RS 232,RS 485和以太網(wǎng)通信接口。通過這些通信接口實現(xiàn)對太陽能發(fā)電系統(tǒng)中一些主要參數(shù)的監(jiān)控,從而可以實時地掌握太陽能發(fā)電系統(tǒng)的運行狀態(tài),提高太陽能發(fā)電系統(tǒng)的效率。這里提出一種利用RS 485串口代替RS 232串口進行通信的新方法。
在基于ARM的超聲波測厚系統(tǒng)中,ARM處理器的數(shù)據(jù)接收能力往往與A/D芯片的工作速率不匹配,為避免有效數(shù)據(jù)丟失,提高系統(tǒng)工作效率,用FIFO作為高速A/D與ARM處理器之間的中轉接口會得到很好的效果。這里以FIFO存儲器CY7C4261作為中轉器件實現(xiàn)了A/D芯片AD9283與ARM處理器S3C2410的接口設計,并敘述了數(shù)據(jù)從A/D芯片到ARM的整個數(shù)據(jù)采集過程。該接口電路用FIFO實現(xiàn)了超聲測厚系統(tǒng)中A/D與ARM之間的無縫連接,提高了系統(tǒng)測厚精度。它的電路簡單,調(diào)試方便,具有較高的應用價值。
電路的功能數(shù)100MH以上的電感,重量重,體積大,不適合現(xiàn)在的使用要求,除特殊用途外,低頻LC濾波器基本上都可換成有源濾波器,本電路用正反饋電路對電容器C的頻率-阻抗特性進行倒相,形成等效的電感,線圈L的一端被
電路的功能容量可變的電容器,其最大可變?nèi)萘繛?00PF,當容量變化范圍要求更大時,可采用容量倍增器由于電容器一端接地,使其用途受到一定限制,但可以制作無極性的大容量電容。采用可變電阻VR1,可使容量倍率在1~11
電路的功能采用OP放大器的直流放大器,失調(diào)漂移固然重要,而低頻噪聲也必須小。不同種類的OP放大器基噪聲差別很大,必須進行實測,以掌握具體參數(shù)。本電路是OP放大器的噪聲電壓測定電路,測量帶寬為0.1HZ~10HZ,側重
電路的功能晶體管的集電極負載若采用LC諧振回路,為了使振蕩穩(wěn)定,皮爾斯C-B或波爾斯B-E電路的振蕩頻率必須稍稍調(diào)偏,如不用電感L,則可采用本電路這種無調(diào)節(jié)振蕩電路。電路工作原理若把石英振子看成電感L,則可將其
高壓金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)技術在過去幾年中經(jīng)歷了很大的變化,這為電源工程師提供了許多選擇。了解不同MOSFET器件的細微差別及不同切換電路的應力,能夠幫助工程師避免許多問題,并實現(xiàn)效率最大化。經(jīng)驗證明,采用新型的MOSFET器件取代舊式MOSFET,除簡單地導通電阻上的差異之外,更重要的是,還能實現(xiàn)更高的電流強度與更快的切換速度以及其他優(yōu)越性能。
電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢,而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進一步的充實。用2級TTL構成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構成的振蕩電路替代,因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當,容易停振或