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  • 多功能電力儀表計量芯片

    介紹了SA9904B，ATT7026A及CS5463等三相高精度電能計量芯片的原理，比較了芯片的性能指標。SA9904B提供有功、無功電能，但不提供視在功率和相角等參數(shù)；ATT7026A提供各分相、合相參數(shù)，但不具有中斷功能；CS5463不但提供各種計量參數(shù)，且具有中斷，更有低于12 mW的超低功耗。

  • 基于地磁測量的彈體滾轉(zhuǎn)角測量系統(tǒng)設計

    利用多個微脈沖發(fā)動機進行彈道修正是提高武器系統(tǒng)射擊精度的有效手段。而脈沖發(fā)動機的點火策略是以彈體的滾轉(zhuǎn)角測量為基礎(chǔ)。選用MR作為磁測量元件，設計了基于地磁測量的彈體滾轉(zhuǎn)角測量系統(tǒng)。對系統(tǒng)的精度、實時性進行了分析；給出了初步的實驗數(shù)據(jù)仿真結(jié)果。結(jié)果表明：利用該系統(tǒng)測量彈體的滾轉(zhuǎn)角是可行的．但測量精度較低，必須進行必要的誤差補償研究。

  • 集成專用驅(qū)動器在開關(guān)電源中的應用

    介紹了開關(guān)電源中驅(qū)動部分的工作情況，集中說明了柵極專用驅(qū)動器IR2110的使用方法及其抗干擾措施。由于IR2110本身的缺陷，常規(guī)使用方法只能適合小功率場合，在中大功率場合根本無法使用。

  • 集成專用驅(qū)動器在開關(guān)電源中的應用

    ADSL接入技術(shù)已成為終端用戶最主要的寬帶接入技術(shù)。ADSL技術(shù)的關(guān)鍵是ADSL調(diào)制解調(diào)器，即ADSLMODEM。ADSL用戶端調(diào)制解調(diào)器驅(qū)動器是一個寬頻帶功率放大器，他能不失真放大和傳輸電話線上已編碼的數(shù)字信號。本文通過對ADSL調(diào)制解調(diào)器驅(qū)動器特點、結(jié)構(gòu)和性能的分析，給出了一種ADSL用戶端MODEM驅(qū)動器的實現(xiàn)電路。

  • 微波pin二極管電阻與溫度的關(guān)系

    研究了四種pin二極管電阻的溫度特性。結(jié)果表明二極管結(jié)面積的大小，也就是二極管結(jié)電容的大小，影響著二極管的表面復合和二極管的載流子壽命，決定了二極管的溫度性能。器件的鈍化方式和幾何結(jié)構(gòu)對二極管電阻的溫度性能影響不大。結(jié)電容為0．1～1．0 pF的微波二極管，具有正的溫度系數(shù)，約為線性關(guān)系，結(jié)電容越大，電阻隨溫度變化越大。研究結(jié)果可以用來預測pin二極管開關(guān)和衰減器的溫度性能，進一步可以應用于電路溫度補償設計。

  • LED光源在礦井工作面照明燈中的應用

    對目前我國煤礦用燈作了簡單的介紹，指出了煤礦用燈的發(fā)展方向應為節(jié)能、本質(zhì)安全型；闡述了采煤工作面本質(zhì)安全型LED照明燈應該具備的條件，分析了LED的發(fā)光機理。通過光譜分析，得出了LED在實際照明應用中散熱的重要性；介紹了LED燈的一次散熱方法及二次散熱方法；對LED燈隔爆兼本安驅(qū)動電路作了設計并對小功率LED燈進行了合理的排列，結(jié)果表明隔爆兼本質(zhì)安全型LED照明燈在采煤工作面是完全可以應用并具備廣泛發(fā)展前景的。

  • 8 bit 800 Msps高速采樣保持電路的設計

    為適應目前無線通信領(lǐng)域?qū)Ω咚貯／D轉(zhuǎn)換器的要求，采用在Cadence Spectre環(huán)境下進行仿真驗證的方法，對高速A／D前端采樣保持電路進行了研究。提出的高速采樣保持電路(SH)采用SiGe BiCMOS工藝設計，該工藝提供了0．35μm的CMOS和46 GHz fT的SiGe HBT?；贐iCMOS開關(guān)射極跟隨器(SEF)的SH，旨在比二極管橋SH消耗更少的電流和面積。在SH核心，電源電壓3．3 V，功耗44 mW。在相干采樣模式下，時鐘頻率為800 MHz時，其無雜波動態(tài)范圍(SFDR)為一52．8 dB，總諧波失真(THD)為一50．4 dB，滿足8 bit精度要求。結(jié)果顯示設計的電路可以用于中精度、高速A／D轉(zhuǎn)換器。

  • 集成電路Cu互連線的XRD研究

    對硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層，使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構(gòu)情況和擇優(yōu)取向。對比了直流電鍍和脈沖電鍍在有添加劑和無添加劑條件下的織構(gòu)情況。實驗結(jié)果表明，對于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層，均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu)，這樣的鍍層在集成電路Cu互連線中有較好的抗電遷移性能。

  • 新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

    提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價的前提下，通過適當?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應。

    模擬
    2009-04-16
    器件 電容 BOX BSP

  • ∑-△ADC的降采樣濾波器的設計與實現(xiàn)

    介紹了一種帶寬150 kHz、16 bit的∑-△模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的降采樣低通濾波器的設計和實 現(xiàn)。系統(tǒng)采用Sharpened CIC(cascaded integrator-comb)和ISOP(interpolated second-order polynomials)頻率補償技術(shù)對通帶的下降進行補償，最后級聯(lián)三個半帶濾波器輸出。芯片采用SMIC O．18μmCMOS工藝實現(xiàn)，系統(tǒng)仿真和芯片測試結(jié)果表明，性能滿足設計指標要求。與傳統(tǒng)音頻領(lǐng)域的∑-△ADC應用相比，該設計在很大程度上拓展了處理帶寬，提高了處理精度，并且便于集成在SOC芯片中，主要應用于醫(yī)療儀器、移動通信、過程控制和PDA(personal digital assistants)等領(lǐng)域。

  • SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

    使用國產(chǎn)6H—SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。

    模擬
    2009-04-16
    波段 GAN SIC BSP

  • 一種應用于SoC的高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器的設計

    本文提出了一種應用于SoC的高速高精度DAC的設計，并在深亞微米CMOS工藝下實現(xiàn)了IP硬核形式的設計。該設計在高速條件下具有良好的性能，且功耗與面積都較小，能夠有效滿足通信、測量、自動控制、多媒體等領(lǐng)域的SoC系統(tǒng)設計的應用需求。

  • 電控柜的兼容設計

    文章介紹了電磁干擾的基本概念和造成電磁干擾的因素，從這些因素入手實現(xiàn)電控柜電磁兼容的主要方法。

  • 基于ARM和CPLD的高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設計

    在ARM微處理器中移入嵌入式實時操作系統(tǒng)μC/OS-II，使系統(tǒng)的穩(wěn)定性、實時性得到保證，實時操作系統(tǒng)將應用分解成多任務，簡化了應用系統(tǒng)軟件的設計；采用CPLD器件集成了電路的全部控制功能，擺脫了單純用由微控制器為核心的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)時的速度瓶頸，極大提高了數(shù)據(jù)采集速度。整個系統(tǒng)具有速度高、實時性好、抗干擾能力強、性價比高等特點。

  • 超寬帶平面天線中實現(xiàn)頻帶抑制的方法

    超 寬帶天線在軟件無線電系統(tǒng)、寬帶無線接入、電子對抗、探地雷達和電磁兼容測量等方面具有廣泛的應用前景。隨著超寬帶平面單極子天線研究的深入及其廣泛應 用，在FCC(Federal Communications Commission)分配的UW

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