SRAM和ROM的主要區(qū)別在于RAM描述上有讀和寫兩種操作,而且在讀寫上對時間有較嚴格的要求。
【例】 用VHDL設(shè)計一個8×8位的雙口SRAM的VHDL程序,并使用MAX+p1us Ⅱ進行仿真。


仿真結(jié)果如圖所示。

如圖 讀寫存儲器DPRAM仿真圖
來源:ks990次
SRAM和ROM的主要區(qū)別在于RAM描述上有讀和寫兩種操作,而且在讀寫上對時間有較嚴格的要求。
【例】 用VHDL設(shè)計一個8×8位的雙口SRAM的VHDL程序,并使用MAX+p1us Ⅱ進行仿真。


仿真結(jié)果如圖所示。

如圖 讀寫存儲器DPRAM仿真圖
本文介紹一款小尺寸、功能強大、低噪聲的單芯片同步升壓轉(zhuǎn)換器。文章重點介紹了該集成電路的多個特性。這些特性能夠增強電路性能,并支持定制,以滿足各種應(yīng)用的要求。
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