• flash作為stm32中的存儲物質，使用非常廣泛。關于flash的概念什么的網(wǎng)上已經(jīng)有很多介紹，筆者便不再贅述，分享一篇stm32的閃存中文編程手冊。

• 相對于很多操作寄存器的例子，筆者這篇著重于用庫函數(shù)處理。

編寫代碼的時候實際上非常簡單。只需要幾個步驟就可以完成寫入。

• 解鎖
  FLASH_Unlock();
  這一步非常簡單。只需要調用上面的解鎖函數(shù)即可。雖然簡單，但是不能省略~

• 清除相應的標志位
  FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
  筆者于頭文件中找到了這幾個標志位于是全部清除。同樣也是不能省略。

• 擦除扇區(qū)

• 這一步是整個寫入過程中最為讓人不解的。但是只要搞懂了原理。其實也不是那么難懂。

  flash中有一個叫扇區(qū)的概念，有的教材也稱為頁。按照不同容量，flash存儲器組織成32個1K字節(jié)/頁(小容量)、 128個1K字節(jié)/頁(中容量)、 256個2K字節(jié)/頁(大容量)的主存儲器塊和一個信息塊。

• st公司提供的擦除flash扇區(qū)庫函數(shù)，一次至少要擦除一個扇區(qū)。
  FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)
  其中Page_Address是要擦除扇區(qū)的地址，若傳入的不是首地址也會對齊到首地址擦除相應的一個扇區(qū)。也就是說我們存在這個扇區(qū)上的所有東西都會被清除。

• 如果不清除該扇區(qū)，我們是沒有辦法在該扇區(qū)上寫東西的。據(jù)說這樣是因為硬件設計的原因（筆者不是很確定）。

• 這里就涉及到了一個可擦除范圍的問題。flash的地址范圍那么大，會不會有什么地方是不能擦除的呢。答案是有的。經(jīng)過筆者的實驗，筆者的stm32f107vct6的地址范圍是0x08032000~0x0803FFC4。至于為什么不是從flash的起始地址0x08000000開始呢。根據(jù)筆者的查詢，是因為避開rom開始的位置，不能把正在運行的程序給擦除了，至于為什么是在0x0803FFC4結束，這個筆者就不是特別明白了，但是總的來說不影響我們的使用。

• 寫入數(shù)據(jù)

  這也是最關鍵的一步，前面說了半天，都是為這個做鋪墊。

  先介紹一個字和半字的概念

• 字(Word)： 32位長的數(shù)據(jù)或指令

  半字(Half Word)： 16位長的數(shù)據(jù)或指令

  flash的寫入是分字和半字的。

  FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data)

  FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)

  根據(jù)所指定的地址，一次只能寫進一個數(shù)據(jù)。

• 上鎖

  最后一步，重新鎖定

  FLASH_Lock();

• 流程圖

解鎖清楚標志位擦除寫入上鎖

讀取就更為簡單了，只需要根據(jù)地址轉為指針在轉為數(shù)據(jù)即可
pBuf[i] = *((u16*)startAddr + i);