在5G新性能中，還有低功耗、能力效率水平的提升等，因此提出了非常多的挑戰(zhàn)。新特性對(duì)芯片架構(gòu)也提出了技術(shù)上的難題，包括網(wǎng)絡(luò)切片、低延時(shí)、高可靠性、高精度的時(shí)鐘等，海量連接帶來(lái)的是對(duì)密度或者查表的容量的挑戰(zhàn)。

PZB的設(shè)計(jì)可能難度越來(lái)越大，所以Gable互聯(lián)方案可能也會(huì)逐步應(yīng)用?？梢灶A(yù)見(jiàn)在5年內(nèi)，采用PAM8的200G技術(shù)也會(huì)逐步進(jìn)入大家的視野。

在大規(guī)模芯片設(shè)計(jì)上，因?yàn)橄到y(tǒng)越來(lái)越精簡(jiǎn)，集成度越來(lái)越高，所有的接口、網(wǎng)絡(luò)處理器、CPU，包括背板的交換、路由，各種功能都集成在一起，必然會(huì)導(dǎo)致芯片的規(guī)模越來(lái)越大。大芯片的挑戰(zhàn)會(huì)在哪里?一是良率，信號(hào)完整性、電源完整性挑戰(zhàn)都非常大。新的芯片里面經(jīng)常用2.5D封裝技術(shù)，如3Dmemory的合封，ASIC的分割，還有芯片尺寸比較大，需要做一些切分時(shí)，都會(huì)用到這種封裝技術(shù)，中間需要高速的接口互聯(lián)。二是芯片的帶寬越來(lái)越高，1T或者2T的移動(dòng)網(wǎng)交換芯片在業(yè)界看來(lái)并不是很高的速度，但緩存的帶寬發(fā)展并沒(méi)有那么快，所以才會(huì)驅(qū)動(dòng)了類(lèi)似于HPM、GDDR技術(shù)的出現(xiàn)，中興微電子目前采用了不少這樣的設(shè)計(jì)方法。三是低功耗設(shè)計(jì)。

在5G的大連接中，MMTC海量的機(jī)器連接對(duì)芯片的設(shè)計(jì)帶來(lái)的影響，主要體現(xiàn)在接口層面，因?yàn)榻涌跀?shù)量非常多，有各種端口數(shù)量，包括邏輯端數(shù)量非常多，設(shè)計(jì)上主要是采用TDM的接口邏輯，和動(dòng)態(tài)接口緩存技術(shù)實(shí)現(xiàn)。