在邏輯部分，接收的RXI、RXQ模擬基帶信號(hào)在調(diào)制解調(diào)器U501內(nèi)部完成D/A轉(zhuǎn)換、解密及自適應(yīng)均衡后將數(shù)字基帶信號(hào)從U501的6#送入CPU的10#，在CPU內(nèi)進(jìn)行信道解碼，去掉糾錯(cuò)碼源以及取實(shí)控制信息以后，恢復(fù)的話音數(shù)據(jù)流經(jīng)數(shù)據(jù)線和地址線，傳送到語(yǔ)音器U801進(jìn)行解碼。
ITECH艾德克斯電子即將于5月底發(fā)售大功率密度的直流電子負(fù)載IT8900A/E系列，電壓最高可達(dá)1200V，并機(jī)功率最大可以達(dá)到384 kW，體積更小，4U高度最大輸入6kw功率, 重量更輕。為滿足更快的測(cè)試需求，其內(nèi)部整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了全面升級(jí)，電流上升下降速度更快，并具有超高的性價(jià)比。
茂矽近期已發(fā)函通知客戶漲價(jià)，預(yù)計(jì)7月起依產(chǎn)品別調(diào)漲晶圓代工價(jià)格15～20%，高單價(jià)客戶及高售價(jià)產(chǎn)品優(yōu)先投片，6月底未投產(chǎn)完畢的訂單退回并請(qǐng)客戶重新評(píng)估需求，重新來(lái)單則適用7月起已調(diào)漲后的晶圓代工價(jià)格。
英特爾現(xiàn)在每周能夠生產(chǎn)多達(dá)五片硅晶片，其中包含多達(dá)26個(gè)量子位的量子芯片。這一成就意味著英特爾大幅增加了現(xiàn)有量子器件的數(shù)量，并可望在未來(lái)幾年穩(wěn)步增加量子比特?cái)?shù)。英特爾量子硬件總監(jiān)Jim Clarke接受采訪時(shí)透露，目前用于小規(guī)模生產(chǎn)的技術(shù)最終可能會(huì)擴(kuò)展到超過(guò)1000個(gè)量子位。由于溫度波動(dòng)引起的膨脹和收縮限制使得工程師不能簡(jiǎn)單地?cái)U(kuò)展芯片上的量子位數(shù)。
電子級(jí)多晶硅材料是集成電路的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，過(guò)去中國(guó)市場(chǎng)上的集成電路用多晶硅材料基本完全依賴進(jìn)口。電子級(jí)多晶硅是純度最高的多晶硅材料。相對(duì)于太陽(yáng)能級(jí)多晶硅99.9999%純度，電子級(jí)多晶硅的純度要求達(dá)到99.999999999%。5000噸的電子級(jí)多晶硅中總的雜質(zhì)含量相當(dāng)于一枚1元硬幣的重量。
ADRF5024和ADRF5025采用固有的反射式架構(gòu)，工作溫度范圍為 –40°C 至105°C 。所有引腳均具有強(qiáng)固的靜電放電 (ESD) 保護(hù)。器件標(biāo)稱電源電壓為 ±3.3 V，電源電流低于120 μA (典型值)。器件使用標(biāo)準(zhǔn)的正邏輯控制電壓，簡(jiǎn)化了接口設(shè)計(jì)。
此次合作將充分發(fā)揮GaN Systems公司GaN功率晶體管的業(yè)界頂級(jí)性能與羅姆的GaN功率器件技術(shù)優(yōu)勢(shì)及豐富的電子元器件設(shè)計(jì)/制造綜合實(shí)力。雙方將利用GaN Systems公司的GaNPXTM封裝技術(shù)和羅姆的功率元器件傳統(tǒng)封裝技術(shù)，聯(lián)合開(kāi)發(fā)最適合GaN器件的產(chǎn)品。這將能夠最大限度地挖掘并發(fā)揮GaN器件的潛力。另外，雙方通過(guò)提供兼容產(chǎn)品，將能夠?yàn)殡p方的客戶穩(wěn)定地供應(yīng)GaN器件。
TDK公司推出全新的應(yīng)用于濾波器領(lǐng)域的愛(ài)普科斯 (EPCOS) 金屬化聚丙烯膜交流(MKP AC)電容器B33331V*系列。該系列元件的額定電壓為460 VRMS，對(duì)應(yīng)峰值電壓為650 V，其電容值范圍為2 μF 至50 μF。
采樣保持 (THA) 輸出噪聲有兩個(gè)關(guān)鍵噪聲分量：采樣噪聲和輸出緩沖放大器噪聲。本文將重點(diǎn)探討這兩個(gè)分量。
IPLA 32高度可定制，針對(duì)汽車和嵌入式大電流，大功率DC/DC轉(zhuǎn)換器
與系統(tǒng)模擬輸入和輸出節(jié)點(diǎn)交互作用的外置高壓瞬變可能破壞系統(tǒng)中未采用充分保護(hù)措施的集成電路 (IC)?，F(xiàn)代 IC 的模擬輸入和輸出引腳通常采用了高壓靜電放電 (ESD) 瞬變保護(hù)措施。人體模型 (HBM)、機(jī)器模型 (MM) 和充電器件模型 (CDM) 是用來(lái)測(cè)量器件承受 ESD 事件的能力的器件級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。這些測(cè)試旨在確保器件能承受器件制造和 PCB 裝配流程中的靜電壓力，通常在受控環(huán)境中實(shí)施。
鼎陽(yáng)的SDS1004X-E系列超級(jí)熒光示波器標(biāo)配的波特圖功能，可以配合SDG或SAG系列函數(shù)發(fā)生器繪制出被測(cè)件的波特圖，令我們很直觀地觀察到電路的幅頻和相頻曲線。區(qū)別于傳統(tǒng)手動(dòng)繪制波特圖的繁瑣步驟，示波器的波特圖功能可以大大節(jié)約工程師的時(shí)間和精力。
在前段時(shí)間，黑金剛、FDK、德國(guó)伊薩、TT、美格、龍尚、中科微、進(jìn)芯相繼宣布簽約同一代理商——中國(guó)十大本土分銷商之一的世強(qiáng)，由此一來(lái)世強(qiáng)大力豐富了產(chǎn)品線。而電感作為最常見(jiàn)的被動(dòng)元件之一，世強(qiáng)及世強(qiáng)元件電商也有豐富布局。這些產(chǎn)品的相關(guān)資料，都可以在世強(qiáng)元件電商免費(fèi)查詢下載，其產(chǎn)品也可在世強(qiáng)元件電商進(jìn)行詢價(jià)和購(gòu)買。
為了讓IoT里不可缺少的傳感器器件更加省電，新日本無(wú)線特別推出了軌到軌輸入輸出運(yùn)算放大器NJU77552。此運(yùn)算放大器有1.7MHz帶寬、1回路50μA的超低消耗電流、高EMI抑制性能等特點(diǎn)，并且已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢(shì)壘二極
zeoli01
ljcaaa2008
潛力變實(shí)力
飛奔的小野驢
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刁永青
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王洪陽(yáng)
浪里浪
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張百軍
程從騰
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復(fù)制忍者
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房脊上的老貓
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另一種看快樂(lè)
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