1、功率MOSFET常規(guī)的開(kāi)關(guān)特性 功率MOSFET在開(kāi)通的過(guò)程中,當(dāng)VGS的驅(qū)動(dòng)電壓從VTH上升到米勒平臺(tái)VGP時(shí)間段t1-t2,漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流,VGS和ID保持由跨導(dǎo)GFS所限制的傳輸特性曲線的關(guān)系,而VDS的電壓保持不變,這一個(gè)時(shí)間區(qū)域稱(chēng)為di/dt,主要由
IDC發(fā)布2019年全年全球服務(wù)器市場(chǎng)數(shù)據(jù), 2019年全球服務(wù)器出貨量和銷(xiāo)售額分別為1174萬(wàn)臺(tái)和873億美元,同比輕微下降0.9%和1.7%。 2019年全球服務(wù)器市場(chǎng)的銷(xiāo)售額前三名分別為戴爾、HPE、浪潮,戴爾銷(xiāo)售額同比下降6.9%,份額為17.8%,HPE銷(xiāo)售額下降8.4%,份額為1
功率MOSFET的輸出電容是非常重要的一個(gè)參數(shù),讀過(guò)功率MOSFET數(shù)據(jù)表的工程師應(yīng)該注意到:輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化,表現(xiàn)出非線性的特性,那么為什么會(huì)有這樣的特性? ? 眾所周知,當(dāng)電容二端的電壓增加時(shí),就會(huì)形成對(duì)電容的充電電流,電容二
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