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  • 深空探測器PCB抗輻照設計：屏蔽層拓撲優(yōu)化與單粒子效應容錯布局

    深空探測任務是人類探索宇宙奧秘、拓展認知邊界的重要途徑。然而，深空環(huán)境充滿了高能粒子輻射，如質子、重離子等，這些輻射會對探測器中的電子系統(tǒng)，尤其是印刷電路板（PCB）造成嚴重影響。高能粒子可能引發(fā)單粒子效應（SEE），導致電路邏輯錯誤、數(shù)據(jù)丟失甚至器件損壞。因此，開展深空探測器PCB抗輻照設計，通過屏蔽層拓撲優(yōu)化與單粒子效應容錯布局，對于保障探測器的可靠運行至關重要。

  • PCB數(shù)字孿生構建：DFM規(guī)則引擎與實時生產(chǎn)數(shù)據(jù)映射方法

    在當今電子產(chǎn)品向小型化、高性能化方向快速發(fā)展的背景下，印刷電路板（PCB）的設計與制造面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。PCB數(shù)字孿生技術作為一種新興的智能制造技術，通過構建虛擬的PCB模型，實現(xiàn)對實際生產(chǎn)過程的實時監(jiān)控、預測和優(yōu)化。可制造性設計（DFM）規(guī)則引擎能夠根據(jù)PCB設計規(guī)范和制造工藝要求，對設計進行自動檢查和優(yōu)化。而實時生產(chǎn)數(shù)據(jù)映射方法則是將實際生產(chǎn)過程中的數(shù)據(jù)與數(shù)字孿生模型進行關聯(lián)，使模型能夠準確反映生產(chǎn)狀態(tài)。本文將深入探討PCB數(shù)字孿生構建中DFM規(guī)則引擎與實時生產(chǎn)數(shù)據(jù)映射方法。

  • 電磁兼容正向設計：近場輻射頻譜與PCB布局參數(shù)的敏感性分析

    在電子設備日益小型化、集成化的今天，電磁兼容（EMC）問題愈發(fā)凸顯。電磁兼容正向設計旨在從產(chǎn)品設計初期就考慮電磁兼容性，通過合理的設計和優(yōu)化，減少電磁干擾（EMI）的產(chǎn)生和傳播，確保設備在復雜的電磁環(huán)境中能夠正常工作。近場輻射是電磁干擾的重要來源之一，而PCB（印制電路板）布局參數(shù)對近場輻射頻譜有著顯著的影響。本文將深入探討近場輻射頻譜與PCB布局參數(shù)的敏感性分析，為電磁兼容正向設計提供理論依據(jù)和實踐指導。

  • 112G+通道去嵌誤差抑制：多端口TRL校準與頻變損耗補償模型

    在高速數(shù)字通信領域，112G及以上速率的通道傳輸技術正逐漸成為主流。然而，隨著數(shù)據(jù)速率的提升，信號在傳輸過程中受到的干擾和損耗也愈發(fā)嚴重。通道去嵌誤差是影響高速信號完整性的關鍵因素之一，它會導致信號失真、眼圖惡化，進而降低通信系統(tǒng)的性能。多端口TRL（Thru-Reflect-Line）校準技術和頻變損耗補償模型為抑制112G+通道去嵌誤差提供了有效的解決方案。

  • 大電流熱仿真進階：過孔陣列電流密度分布與焦耳熱耦合建模 引言

    在現(xiàn)代電子設備中，隨著功率需求的不斷增加，大電流傳輸成為了一個關鍵問題。過孔作為PCB（印制電路板）中實現(xiàn)層間電氣連接的重要結構，在大電流傳輸過程中起著至關重要的作用。然而，過孔在承載大電流時，會產(chǎn)生電流密度分布不均勻的現(xiàn)象，進而引發(fā)焦耳熱效應。過高的溫度不僅會影響過孔的電氣性能，還可能導致PCB的可靠性下降，甚至引發(fā)故障。因此，對過孔陣列的電流密度分布與焦耳熱進行耦合建模和仿真分析，對于優(yōu)化PCB設計、提高系統(tǒng)可靠性具有重要意義。

  • 多相供電網(wǎng)絡（PDN）諧振抑制：磁電混合去耦與反諧振峰消除算法

    在高性能電子系統(tǒng)中，多相供電網(wǎng)絡（Power Delivery Network，PDN）承擔著為芯片等關鍵負載提供穩(wěn)定、純凈電能的重要任務。然而，隨著芯片工作頻率的不斷提高和功耗的日益增大，PDN中不可避免地會出現(xiàn)諧振現(xiàn)象。諧振會導致電壓波動、電磁干擾（EMI）增加等問題，嚴重影響系統(tǒng)的性能和可靠性。磁電混合去耦技術和反諧振峰消除算法為解決PDN諧振問題提供了有效的途徑。

  • 導熱型覆銅板（TCCL）實測：1.5W/mK基板對BGA熱阻降低35%的案例分析

    在電子設備不斷向小型化、高性能化發(fā)展的趨勢下，芯片的集成度越來越高，功率密度也顯著增大。球柵陣列封裝（BGA）作為一種常見的芯片封裝形式，在工作過程中會產(chǎn)生大量的熱量。如果不能及時有效地散熱，芯片的溫度會急劇升高，導致性能下降、壽命縮短甚至損壞。導熱型覆銅板（TCCL）作為電子電路中重要的導熱介質，其導熱性能對BGA封裝的散熱效果起著關鍵作用。本文將通過實際測試案例，分析1.5W/mK導熱型覆銅板基板對BGA熱阻的降低效果。

  • 高頻PTFE混壓板層間結合力提升：等離子體處理與低流動度半固化片應用

    在高頻電子電路領域，PTFE（聚四氟乙烯）材料因其優(yōu)異的低介電常數(shù)和低損耗特性，被廣泛應用于高頻印制電路板（PCB）的制造。然而，PTFE材料的表面能低、化學惰性強，導致其與銅箔及其他層壓材料之間的層間結合力較弱，這在一定程度上限制了高頻PTFE混壓板的性能和可靠性。為了解決這一問題，本文探討了等離子體處理和低流動度半固化片的應用對高頻PTFE混壓板層間結合力的提升效果，并通過相關實驗和代碼模擬進行驗證。

  • 超低損耗碳氫化合物材料評測：松下M6S vs 羅杰斯RO1200的Dk/Df頻變模型

    在高速高頻電子電路領域，材料的選擇對電路性能起著決定性作用。超低損耗碳氫化合物材料因其優(yōu)異的電氣性能，如低介電常數(shù)（Dk）和低損耗因子（Df），被廣泛應用于微波、毫米波電路以及高速數(shù)字電路中。松下M6S和羅杰斯RO1200是兩款備受關注的超低損耗碳氫化合物材料。本文將深入評測這兩款材料的Dk/Df頻變特性，建立頻變模型，并通過代碼進行模擬分析，為電路設計者提供有價值的參考。

  • 3D打印金屬化通孔：納米銀燒結導電性與熱疲勞壽命＞5000次循環(huán)驗證

    在電子制造領域，3D打印技術正逐漸嶄露頭角，為復雜結構電子器件的制造帶來了新的可能性。3D打印金屬化通孔作為實現(xiàn)電子器件層間電氣連接的關鍵技術，其導電性和熱疲勞壽命直接影響著器件的性能和可靠性。納米銀燒結技術因其優(yōu)異的導電性能和良好的熱穩(wěn)定性，成為3D打印金屬化通孔的理想材料選擇。本文將探討納米銀燒結在3D打印金屬化通孔中的應用，并通過實驗驗證其導電性和熱疲勞壽命＞5000次循環(huán)。

  • 半導體封裝基板（Substrate）銅面粗糙度控制：電鍍添加劑與脈沖反鍍優(yōu)化

    在半導體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當下，封裝基板作為芯片與外部電路連接的關鍵橋梁，其性能和質量直接影響著整個半導體器件的可靠性和性能。銅面粗糙度是封裝基板的重要質量指標之一，過高的銅面粗糙度會導致信號傳輸損耗增加、阻抗不匹配、可靠性降低等問題。因此，有效控制半導體封裝基板銅面粗糙度至關重要。電鍍添加劑和脈沖反鍍技術作為控制銅面粗糙度的關鍵手段，近年來受到了廣泛關注。

  • 太赫茲波導過渡結構：D波段微帶線 - 波導轉換的S11＜ - 20dB實現(xiàn) 引言

    太赫茲（THz）波位于微波與紅外光之間，具有獨特的頻譜特性，在高速通信、高分辨率成像、無損檢測等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。在太赫茲系統(tǒng)中，波導作為重要的傳輸元件，需要與微帶線等平面電路進行高效連接。D波段（110 - 170GHz）作為太赫茲頻段的重要子頻段，其微帶線 - 波導轉換結構的設計至關重要。S11參數(shù)（反射系數(shù)）是衡量轉換結構性能的關鍵指標之一，S11＜ - 20dB意味著大部分能量被有效傳輸，反射能量極小，這對于保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能至關重要。

  • 毫米波AiP天線集成：LTCC轉接板與有機基板的多物理場耦合設計

    隨著5G及未來6G通信技術的迅猛發(fā)展，毫米波頻段因其豐富的頻譜資源成為實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)年P鍵。天線集成封裝（AiP，Antenna in Package）技術將天線與射頻前端集成于一體，有效減小了系統(tǒng)體積，提高了集成度。在毫米波AiP天線集成中，低溫共燒陶瓷（LTCC）轉接板與有機基板的結合應用日益廣泛。然而，由于毫米波頻段的高頻特性，電磁場、熱場、應力場等多物理場之間的耦合效應顯著，對天線性能和系統(tǒng)可靠性產(chǎn)生重要影響。因此，開展LTCC轉接板與有機基板的多物理場耦合設計具有重要的現(xiàn)實意義。

  • DDR6預布局信號完整性：ODT參數(shù)自適應與三維封裝協(xié)同仿真方法

    隨著數(shù)據(jù)存儲和處理需求的飛速增長，DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）內存技術不斷迭代升級。DDR6作為新一代高速內存標準，其數(shù)據(jù)傳輸速率大幅提升，這對信號完整性提出了更為嚴苛的挑戰(zhàn)。在DDR6預布局階段，確保信號完整性至關重要，其中ODT（On-Die Termination，片上終端電阻）參數(shù)自適應與三維封裝協(xié)同仿真方法是解決信號完整性問題的關鍵技術手段。

  • 224G PAM6背板信道優(yōu)化：玻纖效應補償與混合調制均衡技術

    引言 隨著數(shù)據(jù)通信需求的爆炸式增長，數(shù)據(jù)中心、高性能計算等領域對高速背板信道的傳輸速率提出了更高要求。224G PAM6（6級脈沖幅度調制）技術憑借其高帶寬利用率和相對較低的實現(xiàn)復雜度，成為下一代高速背板信道的關鍵技術之一。然而，在224G PAM6背板信道中，玻纖效應和信道衰減等問題嚴重影響了信號的傳輸質量。為了實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的高速數(shù)據(jù)傳輸，必須對背板信道進行優(yōu)化，玻纖效應補償與混合調制均衡技術成為解決這些問題的有效手段。

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