與之前介紹的晶體管放大電路相同，各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接，以構(gòu)成CR的連接方式。此時，為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系，就需要偏置電路來提供柵極電壓。

與晶體管放大電路的接地方式相同，結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式。

最一般的源極接地電路和自偏置電路

n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反。

FET源極接地電路的功能，與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作，要求柵極和源極間的電壓VGS為反向偏置電壓，因此其偏置電路的構(gòu)造有些不同。

與晶體管的電流反饋偏置電路一樣構(gòu)成的FET“自偏置電路”，由于其穩(wěn)定程度良好，在實際電路中得到了普遍應(yīng)用。

自偏置電路源極電阻對電路的穩(wěn)定作用

與柵極和源極間電壓VGS相對應(yīng)的漏極電流ID(A)，流過源極電阻RS(Ω)。VGS為負極性的偏置電壓。

此時，如果我們把VGS的絕對值變得很小，漏極電流ID就會增大。這樣一來，源極電壓VS(V)就會升高，從而使得VCS的絕對值增大，同時ID也會減小，電路的狀態(tài)向穩(wěn)定的方向變化。

源極接地電路要實現(xiàn)放大功能，需要給源極電阻并聯(lián)電容

實現(xiàn)交流信號放大時，需要忽略源極電阻RS的影響。與源極電阻RS并聯(lián)的電容CS(F)，使得交流信號變化對源極電壓VS沒有影響，源極電壓VS保持不變。對于交流信號來說，源極是通過電容CS接地的，因此也稱為源極接地電路。該電路對交流信號的電壓放大倍數(shù)A為

A=gm*RD

式中，RD(Ω)為漏極電阻。由于結(jié)型FET的gm很小(在1~10mS之間)，很難實現(xiàn)電壓放大倍數(shù)很大的單級放大電路。

漏極接地電路的偏置電路和放大倍數(shù)

漏極接地電路(源極跟隨器)與晶體管的共集放大電路(射極跟隨器)相同。漏極接地電路中，漏極與電源VPS相連接(關(guān)于n溝道FET)，通過電源接地，所以可以被看作為“漏極接地”電路。

信號的放大倍數(shù)A為A≈1，實際的放大倍數(shù)要比1略小一些。

柵極接地電路的偏置電路和放大倍數(shù)

柵極接地電路和晶體管基極接地電路一樣。偏置電路和其他的結(jié)型FET的接地電路一樣。

結(jié)型FET的柵極和源極間為反向偏置電壓，源極通過電阻RS接地，柵極直接與地電位相連。

柵極接地電路，輸入、輸出信號的極性相反。信號的電壓放大倍數(shù)A為

A=gm*RD