英特爾公司正在研發(fā)一種晶體管設(shè)計，這有助于英特爾的設(shè)計人員在處理器中集成更多的內(nèi)存。

    英特爾技術(shù)和制造集團負責(zé)零件研究的主管邁克表示，研究人員計劃在本周的“國際電子設(shè)備會議”上宣讀一篇論文，闡述在“浮體單元”晶體管方面的研究工作。他說，“浮體單元”晶體管可以使英特爾生產(chǎn)集成有更大容量緩存的處理器，提高處理器的性能。

    “浮體單元”技術(shù)旨在提高處理器上緩存的密度。緩存用于存儲處理器經(jīng)常用到的數(shù)據(jù)和指令，能夠提高處理器的性能。但制造緩存的SRAM單元的密度低于英特爾的期望值，一個緩存單元需要6個晶體管，但只能存儲1位信息。英特爾希望將存儲1位信息的晶體管數(shù)量減少到1個。

    東芝和加州大學(xué)伯克利分校也在進行“浮體單元”晶體管的研究，但它們的技術(shù)有一定的限制。

    盡管取得了進展，英特爾還有一些障礙需要克服。