半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)在過(guò)去30年中經(jīng)歷了一個(gè)動(dòng)態(tài)變革。最初，代工廠是IDM背后的幾個(gè)流程節(jié)點(diǎn)，追趕的希望渺ã。今天，代工廠正在引領(lǐng)10nm-7nm的工藝開(kāi)發(fā)競(jìng)賽，并且絕對(duì)會(huì)繼續(xù)這樣一直做下去。

臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)在于：

因?yàn)樗麄兪桥_(tái)積電，這是值得信賴的代工合作伙伴，擁有最成熟，最完整的生態(tài)系統(tǒng)。臺(tái)積電也是工藝技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者和激烈的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

三星的優(yōu)勢(shì)有以下三個(gè)方面：

1. 臺(tái)積電之外的Ψ一選擇

產(chǎn)能不是三星的問(wèn)題，擁有臺(tái)積電之外的另一個(gè)代工選擇總是好的。臺(tái)積電(TSMC)和三星(Samsung)是僅存的兩家最領(lǐng)先的芯片代工廠，因此這一點(diǎn)比大多數(shù)人想象的要重要得多。

2. 技術(shù)

領(lǐng)先的無(wú)晶圓廠公司尋求最佳技術(shù)，以滿足其上市時(shí)間要求。三星在14納米領(lǐng)先于臺(tái)積電，他們?cè)谠摴?jié)點(diǎn)表現(xiàn)相當(dāng)不錯(cuò)。在10nm和7nm處，三星落后于臺(tái)積電，但三星7nm在臺(tái)積電之前擁有EUV。

3. 價(jià)錢

三星擁有業(yè)界有史以來(lái)最好的晶圓價(jià)格。作為最大的存儲(chǔ)器制造商確實(shí)有其優(yōu)勢(shì)，晶圓定價(jià)就是其中之一。

國(guó)際公認(rèn)的半導(dǎo)體專家和IC Knowledge的創(chuàng)始人Scotten Jones 給出了臺(tái)積電與三星7nm的工藝數(shù)據(jù)對(duì)比如下：

Contacted Poly Pitch (CPP) (接觸間距)

- 臺(tái)積電和三星都宣稱7納米的CPP為54納米，但對(duì)于它們兩者而言，我相信它們對(duì)電池的實(shí)際CPP為57納米。

Metal 2 pitch (M2P)

三星是36nm，TSMC是40nm。

Tracks

三星最小單元Tracks高度為6.75，TSMC為6.0。

Diffusion break

TSMC光學(xué)工藝(7FF)是雙擴(kuò)散斷·(DDB)，據(jù)報(bào)道它們的EUV工藝(7FFP)將采用單擴(kuò)散斷·(SDB)。三星7nm有第一代工藝(我相信這是7LPE)，是DDB，他們也有第二代工藝(我相信這是7LPP)，也是DDB。在今年的VLSIT上，他們討論了與SDB的第三代流程。很難知道這到底是什ô，在10nm，他們的第二代工藝實(shí)際上是他們的8nm工藝，所以這可能是他們的5nm工藝，也可能是第三代7nm工藝。

Transistor density(晶體管密度)

TSMC 7FF的最小單元邏輯密度略好于三星7LPE或7LPP。臺(tái)積電EUV 7FFP略好于三星“ 第三代”7nm。

SRAM cell size(SRAM單元尺寸 )

我認(rèn)為所有三星三代以及臺(tái)積電的兩代的SRAM單元尺寸是相同的，但我不確定。三星的SRAM單元略小一些。

Scotten 認(rèn)為，總的來(lái)說(shuō)，這兩家的工藝在密度上是相似的，但臺(tái)積電會(huì)在產(chǎn)能提升方面會(huì)處于領(lǐng)先地λ。