中國北京，2025年9月4日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布，憑借其在高功率應(yīng)用領(lǐng)域氮化鎵(GaN)加工技術(shù)方面的專業(yè)優(yōu)勢，X-FAB基于其XG035技術(shù)平臺推出針對dMode器件的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)代工服務(wù)。此舉進一步發(fā)揮和強化了X-FAB作為專業(yè)純晶圓代工企業(yè)的優(yōu)勢，現(xiàn)可提供涵蓋GaN及其它寬禁帶半導體材料(包括碳化硅(SiC))的全套加工技術(shù)，助力無晶圓廠半導體公司實現(xiàn)設(shè)計落地。
X-FAB德累斯頓廠制造的8英寸GaN-on-Si晶圓
X-FAB的GaN-on-Si技術(shù)由其位于德國德累斯頓的先進8英寸晶圓廠提供。該廠是X-FAB在全球運營的六大生產(chǎn)基地之一，擁有穩(wěn)定可靠、符合汽車行業(yè)認證標準的制造環(huán)境，且配備各類專業(yè)加工設(shè)備、測量工具和技術(shù)，并針對GaN的研發(fā)與生產(chǎn)進行了優(yōu)化，同時兼顧模擬CMOS工藝，能夠提供滿足汽車、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)、可再生能源、醫(yī)療等領(lǐng)域客戶所需的較厚GaN-on-Si晶圓。
得益于多年來在高壓GaN技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累，繼近期發(fā)布開放XG035 dMode工藝平臺后，X-FAB如今已將內(nèi)部專業(yè)能力延伸至dMode器件GaN-on-Si代工服務(wù)。該工藝包含常用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的dMode HEMT晶體管(電壓可擴展范圍為100V至650V)。此外，X-FAB還可提供定制化GaN技術(shù)和產(chǎn)品，包括dMode、eMode HEMT，以及肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diodes)，這些器件廣泛應(yīng)用于高頻整流、電源系統(tǒng)，和太陽能電池板等領(lǐng)域。
全球市場對充電設(shè)備、電動汽車、先進能源管理系統(tǒng)，以及更強大的數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的需求持續(xù)增長。就數(shù)據(jù)中心而言，人工智能(AI)的訓練與部署促使對算力資源的需求不斷增加，這進而推動了對更高功率的需求，以及對更高效電能傳輸與轉(zhuǎn)換技術(shù)的需求。
GaN-on-Si技術(shù)是一種極具前景的半導體工藝，它能夠?qū)崿F(xiàn)高頻開關(guān)與低導通電阻(Rds，即漏極與源極之間的電阻)。憑借其小尺寸和高電壓處理能力，GaN-on-Si技術(shù)進一步完善了X-FAB的寬禁帶芯片工藝產(chǎn)品線，使客戶從電網(wǎng)到汽車電池，乃至GPU層級，都能夠設(shè)計出更加高效節(jié)能的產(chǎn)品。
“我們擁有30多年車規(guī)級CMOS技術(shù)領(lǐng)域經(jīng)驗——包括350nm CMOS工藝、共享工具和設(shè)備，以及BEOL，這使得我們的GaN技術(shù)具備內(nèi)在的品質(zhì)優(yōu)勢，且顯著降低客戶進入門檻。”X-FAB德累斯頓CEO Michael Woittennek表示，“我們開發(fā)定制化技術(shù)多年，如今我們在位于薩克森硅谷中心的德累斯頓工廠為通用原型設(shè)計項目開放XG035 dMode技術(shù)平臺。我們350nm工具集的靈活性也使我們能夠快速擴大量產(chǎn)規(guī)模，為客戶提供快速可靠的上市途徑。”
“隨著GaN供應(yīng)商格局的不斷演變，X-FAB正逐步發(fā)展成為專業(yè)的GaN代工合作伙伴?！盭-FAB產(chǎn)品營銷副總裁Luigi Di Capua補充道，“我們的8英寸GaN-on-Si平臺能夠幫助客戶確保供應(yīng)鏈穩(wěn)定，并毫無顧慮地擴大其設(shè)計規(guī)模?！?
目前，X-FAB已推出可簡化客戶設(shè)計流程并實現(xiàn)更快速入門的PDK。此外，從2025年第四季度起，還將開放公共MPW服務(wù)，允許多個客戶共享單片硅晶圓進行芯片制造。這些舉措將進一步降低原型設(shè)計及小批量生產(chǎn)的準入門檻。
縮略語：
BEOL 后端工藝
CMOS 互補金屬氧化物半導體
dMode 耗盡模式
eMode 增強模式
GaN-on-Si 硅基氮化鎵
HEMT 高電子遷移率晶體管
MPW 多項目晶圓
PDK 工藝設(shè)計套件
WBG 寬禁帶半導體
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