三星(Samsung)近日宣布正式量產(chǎn)第5代V-NAND快閃存儲器，第5代V-NAND 堆棧層數(shù)超過90層，且為首度支援Toggle DDR 4.0傳輸界面的NAND快閃存儲器，其單顆封裝的傳輸速度即可達1.4Gbps，相較于前一代64層的產(chǎn)品，傳輸速度提高了40%，并可實現(xiàn)更低的功耗及大幅減少寫入延遲。

三星電子快閃存儲器產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Kye Hyun Kyung表示，第5代V-NAND解決方案將能滿足快速成長的高端儲存市場，此外，該公司除了宣布量產(chǎn)第5代V-NAND之外，未來也會為V-NAND陣容推出1TB和QLC(Quad-level Cell)的產(chǎn)品，這將繼續(xù)推動下一世代的NAND儲存解決方案發(fā)展。

據(jù)悉，第5代V-NAND快閃存儲器除了采用全新Toggle DDR 4.0傳輸界面提升速率之外，也進一步強化性能和功耗，其工作電壓從1.8V降至1.2V，寫入速度也高達500us，比上一代V-NAND快閃存儲器提升了30%，而讀取速率的回應(yīng)時間也縮短到50us。

此外，該產(chǎn)品內(nèi)部堆棧超過90層電荷儲存式快閃存儲器(Charge Trap Flash, CTF) Cell，是目前市面堆棧層數(shù)最高的3D NAND TLC架構(gòu)快閃存儲器;這些儲存單元透過微管道孔洞連接，每個孔洞只有幾百納米寬，總計包含超過850億個CTF單元，每個單元可以儲存3位元資料。

另一方面，第5代V-NAND快閃存儲器也透過制程技術(shù)的改善，使制造生產(chǎn)效率提升30%，并藉由先進制程技術(shù)，使每個快閃存儲器單元的高度降低20%，減少單位之間干擾的發(fā)生率，進而提高資料處理的效率。

三星指出，該公司目前正加強第5代V-NAND快閃存儲器的量產(chǎn)進程，以滿足廣泛的市場需求，象是高密度儲存領(lǐng)域，高效能運算、企業(yè)服務(wù)器，以及行動裝置市場等。