今年NAND Flash制程持續(xù)往10納米進(jìn)行微縮，但因物理極限問題已出現(xiàn)發(fā)展瓶頸，因此，NAND Flash廠開始將投資主力放在3D NAND，但也因產(chǎn)能出現(xiàn)排擠，NAND Flash產(chǎn)出量明顯減少，而3D NAND產(chǎn)出又十分有限。在制程及產(chǎn)品線世代交替的青黃不接情況下，正好遇到智能手機(jī)及固態(tài)硬盤(SSD)備貨旺季，NAND Flash因此出現(xiàn)缺貨問題，5月以來價(jià)格持續(xù)走高。

據(jù)模組業(yè)者指出，美國(guó)品牌64Gb MLC規(guī)格NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)已漲到2.8～2.9美元，128Gb MLC規(guī)格NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)亦漲到3.8美元以上，5月以來平均漲幅介于8～14%。不過，由于NAND Flash漲價(jià)，帶動(dòng)eMMC/eMCP、存儲(chǔ)器等終端價(jià)格大漲，8月以來價(jià)格漲高后已開始?jí)阂纸K端需求，因此NAND Flash價(jià)格近期小幅走軟，業(yè)界認(rèn)為，供不應(yīng)求壓力已陸續(xù)獲得緩解。

由于上游芯片廠持續(xù)將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)生產(chǎn)3D NAND，導(dǎo)致2D架構(gòu)NAND Flash產(chǎn)出量下滑，因此今年5月以來NAND Flash價(jià)格持續(xù)走高，不過8月以來因?yàn)閮r(jià)格漲高后開始?jí)阂纸K端需求，因此NAND Flash缺貨壓力已獲緩解。然而以三星、美光、英特爾、東芝等業(yè)者的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃來看，3D NAND產(chǎn)能將在明年大量開出，明年將是3D NAND殺戮戰(zhàn)場(chǎng)。

在3D NAND的發(fā)展上，三星及東芝的進(jìn)度最快，已經(jīng)推出64層堆疊的3D NAND芯片，容量上看256～512Gb，而且在同樣產(chǎn)線上，位元出貨量可較NAND Flash成長(zhǎng)3成左右。雖然3D NAND有助于NAND芯片廠成本下降，但是在所有NAND廠全數(shù)投入情況下，業(yè)界對(duì)明年3D NAND看法保守，價(jià)格戰(zhàn)已難以避免，明年將是3D NAND殺戮戰(zhàn)場(chǎng)。

至今年底為止，各家存儲(chǔ)器廠的3D NAND生產(chǎn)線將陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)，包括三星Fab16、SK海力士M14、美光F10x、東芝新建的Fab2、以及英特爾大連廠等。

業(yè)界認(rèn)為，智能手機(jī)的搭載容量已上看256GB，固態(tài)硬盤主流容量也上看512GB，加上資料中心開始采用NAND Flash儲(chǔ)存陣列，NAND Flash市場(chǎng)的確仍有很大的成長(zhǎng)空間，只是3D NAND明年產(chǎn)能大量開出后，終端市場(chǎng)要大量去化如此龐大的新產(chǎn)能，并不是件太容易的事，所以明年NAND Flash價(jià)格下滑風(fēng)險(xiǎn)已然大增。