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[導(dǎo)讀]據(jù) SEMI (國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會)周二 (7日)公布,全球晶圓廠預(yù)測 (SEMI World Fab Forecast)報告內(nèi)容顯示,今 (2010)年前段晶圓廠設(shè)備資本支出將增長 133%之多,且到明 (2011)年將揚(yáng)升約 18%。 若不含分離組件

據(jù) SEMI (國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會)周二 (7日)公布,全球晶圓廠預(yù)測 (SEMI World Fab Forecast)報告內(nèi)容顯示,今 (2010)年前段晶圓廠設(shè)備資本支出將增長 133%之多,且到明 (2011)年將揚(yáng)升約 18%。
若不含分離組件 (Discrete)類支出,今年全球晶圓廠資本支出據(jù)估將增 7%,明年則升 8%。
晶圓廠建設(shè)支出今年將揚(yáng)升 125%,明年續(xù)增 22%,數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)顯示,今明兩年超過 150項(xiàng)晶圓項(xiàng)目,估計(jì)將使支出飆升至 830億美元。
目前的建設(shè)投資,可確保未來額外的生產(chǎn)能力。World Fab Forecast報告已確定,今年共有 54項(xiàng)建設(shè)項(xiàng)目在進(jìn)行中,耗費(fèi)支出約達(dá) 45億美元。
此些項(xiàng)目約有半數(shù)為 LED發(fā)展項(xiàng)目,大多數(shù)位于中國。在 2011年,晶圓建設(shè)項(xiàng)目變少但支出卻變高,約 55億美元。
晶圓設(shè)備資本支出今年將增加 133%至 340億美元,增幅創(chuàng)下有史以來新高,脫離去年的歷史低點(diǎn)。
和 2008年的支出相比,今年總設(shè)備支出將僅增高 27%,且和 2007年高點(diǎn)相較,今年支出額還萎縮 11%。
報告內(nèi)容預(yù)測,2011年支出將增加 18%,總資本支出額將上看 390億美元,終將突破 2007年的高點(diǎn)水位。
不包含分離組件,全球 200mm晶圓月產(chǎn)量今年底將增長 7%至 1440萬片 (wpm),明年走高 8%至 1580萬 wpm。


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