韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士26晶宣布，公司已開發(fā)出超高速存儲器(HBM)。這種超高速存儲器的數(shù)據(jù)處理速度是目前性能最高的處理器速度的4倍，但是電力消耗量卻減少了40%.

這種超高速存儲器采用了硅通孔技術(shù)(TSV,Through -Silicon-Via)。這是是一種通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通,實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。是當(dāng)今世界上速度最快的DRAM(GDDR5)速度的4倍多。

SK海力士表示，首先將把這種超高速存儲器用于圖形處理的半導(dǎo)體中，此后公司計(jì)劃為超級計(jì)算機(jī)，網(wǎng)絡(luò)，服務(wù)器等產(chǎn)品大量生產(chǎn)這一超高速存儲器。

另一方面，三星電子在今年10月公布今年第三季度的業(yè)績時，宣布其獲得了硅通孔技術(shù)。分析人士預(yù)計(jì)，三星電子也會很快推出自己的超高速存儲器。