與NAND閃存價格由漲轉跌不同，2018年內存芯片價格依然居高不下，不同的是今年Q1、Q2季度內存價格漲幅有所下降，漲價幅度只有5%左右，而Q3、Q4季度內存價格普遍被看跌，主要是因為市場需求不足，尤其是是智能手機旺季不旺，而最近因為英特爾14nm產(chǎn)能不足導致PC市場需求雪上加霜，集邦科技認為Q4季度內存及閃存價格要比預期降價更多。對于內存芯片需求不足可能導致內存降價的消息，三星主管存儲芯片、代工等業(yè)務的CEO金奇男表示今年底內存需求沒什么重大變化，2019年內存芯片需求還會繼續(xù)強勢，從側面否認了內存芯片降價的可能。

韓國媒體報道稱，三星電子副總裁設備解決方案部門CEO金奇男日前出席公司活動時接受了記者采訪，被問到內存芯片需求下降的問題，他表示“至少今年Q4季度之前，內存芯片市場需求不會有什么重大變化。”

那么2019年的內存市場的強勁需求是否會結束呢?金奇男預測明年的內存市場需求依然會很強勁。

三星電子今年Q2季度芯片業(yè)務運營利潤達到了102億美元，同比增長了44%。

在三星否認內存需求下降的同時，高盛銀行及Stifel Nicolaus等投行紛紛警告內存芯片市場將會惡化到2019年，認為DRAM內存及NAND閃存內存基本面成長疲軟，此舉導致美光股價連續(xù)下跌，本周內股價下跌了12%。

為了應對內存及閃存芯片降價，之前Digitimes援引業(yè)內人士的消息稱三星、SK Hynix都打算推遲產(chǎn)能擴容計劃，三星據(jù)傳暫停在了韓國華城和平澤工廠為1ynm工藝的DRAM芯片增加新的產(chǎn)能的計劃，原本三星計劃在Q3季度增加每月3萬片晶圓的產(chǎn)能。