日前，ARM方面表示，F(xiàn)D-SOI正在成為移動芯片市場的一支“潛力股”。

ARM公司執(zhí)行副總裁Pete Hutton告訴電子周刊的記者，“我發(fā)現(xiàn)一個非常有趣的事情：如果你比較看重低功耗和低成本，那么大部分人仍會選擇28nm 而非16nm FINFET，因為后者要比前者貴很多。而22nm的FD-SOI工藝相比28nm可以讓你在接受價格的同時擁有高性能。”

大概幾周前，Globoalfoudaries宣布大舉向22nm FD-SOI工藝制程邁進，它相比20nm平臺可以提供70%的功耗縮減，同時在掩蔽層為FinFET工藝帶來了50%的功耗縮減。

ARM公司執(zhí)行副總裁Pete Hutton

當(dāng)問到FD-SOI是否會成為移動芯片制程的主流工藝時，Hutton強調(diào)說：“這是一個比28nm工藝性能更高，但比16nm FinFET工藝成本更低的技術(shù)。”

當(dāng)被問到英特爾的移動芯片研發(fā)是否會受ARM的芯片組提供商的影響時，Hutton回答說：“他們曾表示自己取得了一定的成功，但我們并沒有看到。”

那么，芯片組提供商是否仍然能夠從英特爾得到同樣水平的補貼?Hutton提供了來自英特爾的一個水平較低的移動業(yè)務(wù)虧損報告，并指出他們?nèi)匀辉谑褂猛瑯拥牟呗?，但并不會影響ARM的客戶。

關(guān)于英特爾收購Altera的影響，Hutton指出英特爾的CEO已經(jīng)多次表示其將保持并提高Altera基于ARM內(nèi)核的FPGA產(chǎn)品線。

最后，記者詢問ARM是否會對服務(wù)器市場的收入做報告時，Hutton表示已經(jīng)在進行，但尚不方便透露。