格芯(GLOBALFOUNDRIES)官方在今天凌晨正式宣布：為支持公司戰(zhàn)略調(diào)整，格芯將擱置7納米FinFET項目，并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團隊來支持強化的產(chǎn)品組合方案。在裁減相關(guān)人員的同時，一大部分頂尖技術(shù)人員將被部署到14/12納米FinFET衍生產(chǎn)品和其他差異化產(chǎn)品的工作上。

格芯方面表示，他們正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢的FinFET發(fā)展路線圖，以服務(wù)未來幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開發(fā)資源，讓14/12納米 FinFET平臺更為這些客戶所用，提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。

與此同時，格芯方面宣布，為了更好地施展格芯在ASIC設(shè)計和IP方面的強大背景和重大投資，公司正在建立獨立于晶圓代工業(yè)務(wù)外的ASIC業(yè)務(wù)全資子公司。相關(guān)的ASIC業(yè)務(wù)需要持續(xù)使用最先進的技術(shù)。該獨立ASIC實體將為客戶提供7納米及以下的晶圓代工替代選項，讓ASIC業(yè)務(wù)部與更廣泛的客戶展開合作，特別是日益增多的系統(tǒng)公司，他們需要ASIC服務(wù)同時生產(chǎn)規(guī)模需求無法僅由格芯提供。

這是湯姆·嘉菲爾德(Tom Caulfield)在今年年初接任首席執(zhí)行官后做出的一個重大決定。

“客戶對半導(dǎo)體的需求從未如此高漲，并要求我們在實現(xiàn)未來技術(shù)創(chuàng)新方面發(fā)揮越來越大的作用”。嘉菲爾德表示，“今天，絕大多數(shù)無晶圓廠客戶都希望從每一代技術(shù)中獲得更多價值，以充分利用設(shè)計每個技術(shù)節(jié)點所需的大量投資。從本質(zhì)上講，這些節(jié)點正在向為多個應(yīng)用領(lǐng)域提供服務(wù)的設(shè)計平臺過渡，從而為每個節(jié)點提供更長的使用壽命。這一行業(yè)動態(tài)導(dǎo)致設(shè)計范圍到達摩爾定律外部界限的無晶圓廠客戶越來越少。我們正重組我們的資源來轉(zhuǎn)變業(yè)務(wù)重心，加倍投資整個產(chǎn)品組合中的差異化技術(shù)，有針對性的服務(wù)不斷增長的細分市場中的客戶。”

格芯正在加強投資具有明顯差異化、為客戶增加真正價值的領(lǐng)域，著重投資能在其產(chǎn)品組合中提供豐富功能的產(chǎn)品。這包括繼續(xù)側(cè)重于FDX平臺、領(lǐng)先的射頻產(chǎn)品(包括RF SOI和高性能鍺硅)和模擬/混合信號，以及滿足越來越多低功耗、實時連接、車載設(shè)計需求的其他技術(shù)。隨著自動駕駛、物聯(lián)網(wǎng)和全球過渡至5G等新領(lǐng)域的強勁需求，格芯被賦予與眾不同的定位——服務(wù)“智能互聯(lián)”這一新興市場。

“減輕前沿技術(shù)領(lǐng)域的投資負擔(dān)將使格芯能夠?qū)ξ锫?lián)網(wǎng)、IoT、5G行業(yè)和汽車等快速增長市場中對大多數(shù)芯片設(shè)計人員真正重要的技術(shù)進行更有針對性的投資，” Gartner研發(fā)副總裁Samuel Wang,先生表示，“雖然最先進技術(shù)往往會占據(jù)大多數(shù)的熱搜頭條位置，但鮮少有客戶能夠承擔(dān)為實現(xiàn)7納米及更高精度所需的成本和代價。14納米及以上技術(shù)將在未來許多年繼續(xù)成為芯片代工業(yè)務(wù)的重要需求及驅(qū)動因素。這些領(lǐng)域?qū)⒂袠O大的創(chuàng)新空間，可以助力下一輪科技發(fā)展狂潮。”

這一消息來的太過突然，格芯官網(wǎng)上7nm FinFET的介紹都還沒來得及撤下。2017年6月14日發(fā)布的一篇題為“格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即”的新聞稿也赫然在列。

在那篇新聞稿中，格芯這樣寫道：

格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導(dǎo)體技術(shù)，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用的需求。設(shè)計套件現(xiàn)已就緒，基于7LP技術(shù)的第一批客戶產(chǎn)品預(yù)計于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無可比擬的技術(shù)積淀，來研發(fā)自己7納米FinFET技術(shù)的計劃。由于晶體管和工藝水平的進一步改進，7LP技術(shù)的表現(xiàn)遠優(yōu)于最初的性能目標。與先前基于14納米FinFET技術(shù)的產(chǎn)品相比，預(yù)計面積將縮小一半，同時處理性能提升超過40%。目前，在格芯位于紐約薩拉托加縣的全球領(lǐng)先的Fab 8晶圓廠內(nèi)，該技術(shù)已經(jīng)做好了為客戶設(shè)計提供服務(wù)的準備。

不玩7nm的，不止格芯

就在一周前，聯(lián)電(UMC)也宣布“不再投資 12 納米以下的先進工藝!”