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[導(dǎo)讀]前不久讀到投資者網(wǎng)頁(yè)上標(biāo)題為“英特爾相比臺(tái)積電有巨大的價(jià)格優(yōu)勢(shì)”。僅僅三天以后臺(tái)積電以“臺(tái)積電作為fab的合作伙伴遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于英特爾和三星”來(lái)回應(yīng)。一場(chǎng)孰是孰非的口水戰(zhàn)早已不會(huì)讓人們感到驚

前不久讀到投資者網(wǎng)頁(yè)上標(biāo)題為“英特爾相比臺(tái)積電有巨大的價(jià)格優(yōu)勢(shì)”。僅僅三天以后臺(tái)積電以“臺(tái)積電作為fab的合作伙伴遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于英特爾和三星”來(lái)回應(yīng)。一場(chǎng)孰是孰非的口水戰(zhàn)早已不會(huì)讓人們感到驚奇,英特爾與臺(tái)積電對(duì)決已日趨激烈。

  英特爾代工能走多遠(yuǎn)?

英特爾涉足代工有三大不利因素,隔行如隔山,要想從臺(tái)積電等手中分一杯羹不太容易。

其實(shí)在半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展史中,英特爾與臺(tái)積電表現(xiàn)都相當(dāng)精彩。

英特爾自1992年起已經(jīng)連續(xù)22年在全球芯片制造商排名中居首位。僅依2013年IC Insight的數(shù)據(jù)顯示,它的銷售額為482億美元,相比第二名的三星銷售額要高出44%。而臺(tái)積電在全球代工業(yè)中居首位,尤其是自2009年張忠謀第二次復(fù)出以來(lái),臺(tái)積電一股向上爭(zhēng)先的態(tài)勢(shì)格外引人關(guān)注。2013年它的銷售額高達(dá)200億美元,占全球純代工市場(chǎng)的50%。

近期讓業(yè)界有些震驚的是英特爾開(kāi)始涉足代工,而且依仗先進(jìn)的制造工藝從臺(tái)積電囊中搶得FPGA大廠Altera的14nm產(chǎn)品訂單。業(yè)界質(zhì)疑英特爾的代工能走多遠(yuǎn)?因?yàn)樗腥缦聨讉€(gè)不利因素:一是英特爾最怕工藝制程技術(shù)被他人奪取,僅適合相對(duì)有限的客戶;二是它的平均毛利率達(dá)60%以上,在代工領(lǐng)域中可能無(wú)法實(shí)現(xiàn);三是缺乏配套的代工生態(tài)鏈。隔行如隔山,要想從臺(tái)積電等手中分一杯羹不太容易。

究竟誰(shuí)的技術(shù)領(lǐng)先?

在16nm FinFET工藝之前,英特爾確實(shí)占據(jù)工藝制程上的優(yōu)勢(shì),不過(guò)臺(tái)積電與之相比的差距正在逐漸縮小。臺(tái)積電認(rèn)為,到10nm節(jié)點(diǎn)時(shí)會(huì)啟用第三代的FinFET工藝。

其實(shí)英特爾、臺(tái)積電兩者之間并不存在可比性,因?yàn)槟J讲煌⑻貭柺荌DM,而臺(tái)積電是代工企業(yè)。而代工自身并不產(chǎn)生芯片的銷售額,需要通過(guò)計(jì)算來(lái)推算。

比較兩者之間誰(shuí)的技術(shù)領(lǐng)先?由于模式不同,目標(biāo)也不可能相同。英特爾作為全球處理器制造商的龍頭,追求高性能,采用最先進(jìn)工藝制程是自身的需要,即便研發(fā)成本高,它也可以從巨大的出貨量中得到平衡。然而臺(tái)積電的代工業(yè)務(wù)是為客戶提供芯片制造服務(wù),從客戶的要求來(lái)看,一般不會(huì)采用最先進(jìn)的工藝制程,這一是因?yàn)椴粔虺墒欤魏蜗冗M(jìn)制程都有一個(gè)爬坡過(guò)程,而且花費(fèi)不菲。二是成本太高。所以從臺(tái)積電的立場(chǎng)來(lái)看,它只會(huì)提供一個(gè)先進(jìn)工藝制程的平臺(tái),以供應(yīng)更多的客戶。

因此,站在英特爾立場(chǎng)上看,盡可能保持技術(shù)領(lǐng)先是由其內(nèi)在的動(dòng)力驅(qū)動(dòng)的。而站在臺(tái)積電的立場(chǎng)來(lái)看,因它主要服務(wù)于客戶,所以要尊重客戶的明智選擇。兩者既有相同之處,又不完全一樣。

作為fabless公司都會(huì)權(quán)衡該采用什么樣的技術(shù)以及何時(shí)才采用,這肯定有個(gè)決策過(guò)程。

英特爾作為IDM,一直以來(lái)傲居群首。尤其進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái),在半導(dǎo)體業(yè)中實(shí)現(xiàn)了兩次具革命性的工藝突破,如2007年45nm的高k金屬柵HKMG工藝以及2011年22nm時(shí)的FinFET 3D工藝,它對(duì)半導(dǎo)體業(yè)的貢獻(xiàn)是有目共睹的。

站在客觀的立場(chǎng)上看,臺(tái)積電需要在2015年才能夠?qū)崿F(xiàn)FinFET工藝量產(chǎn),而英特爾早在2012年就成功將FinFET產(chǎn)品上市,無(wú)疑英特爾的工藝制程要領(lǐng)先其他廠商制程一個(gè)世代以上!

從英特爾投入的財(cái)力來(lái)看,其每年研發(fā)費(fèi)用約為50億美元,幾乎是臺(tái)積電研發(fā)費(fèi)用的5倍以上,所以英特爾在技術(shù)上領(lǐng)先是合乎情理的。只是近年來(lái)一直依wintel馳騁的英特爾,由于PC市場(chǎng)增長(zhǎng)緩慢以及在移動(dòng)產(chǎn)品市場(chǎng)中被安卓系統(tǒng)稱霸,導(dǎo)致英特爾的氣勢(shì)已大不如前,同時(shí)英特爾的暫時(shí)領(lǐng)先也并不代表能一直持續(xù)以及在一切方面都占先。

臺(tái)積電也不得不承認(rèn)在16nm FinFET工藝之前,英特爾確實(shí)占據(jù)工藝制程上的優(yōu)勢(shì),不過(guò)差距正在逐漸縮小。臺(tái)積電認(rèn)為在16nm FinFET工藝節(jié)點(diǎn)上只比英特爾稍微落后一點(diǎn)點(diǎn),而到10nm節(jié)點(diǎn)時(shí),臺(tái)積電會(huì)啟用第三代的FinFET工藝,該項(xiàng)技術(shù)能帶來(lái)業(yè)界最領(lǐng)先的性能與晶體管密度。

摩爾定律軌跡發(fā)生改變?

由于技術(shù)的復(fù)雜性及成本迅速上升,摩爾定律的步伐真的已開(kāi)始變緩,或許這是定律終止前的一種信號(hào)。

討論摩爾定律何時(shí)將終止是個(gè)永恒的話題,業(yè)界關(guān)心的并非是“終止”,而是它對(duì)未來(lái)產(chǎn)業(yè)會(huì)產(chǎn)生什么影響。

實(shí)際上到2011年時(shí)的22nm制程時(shí),在英特爾的努力下,定律一直按照每?jī)赡瓿叽缈s小70%的幅度進(jìn)入下一代工藝節(jié)點(diǎn),其關(guān)鍵是下一代工藝能節(jié)省30%的成本,才可持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)業(yè)不斷升級(jí)與進(jìn)步。

可是當(dāng)進(jìn)入14nm節(jié)點(diǎn)時(shí),英特爾首次聲明要推遲一個(gè)季度,從2013年第四季度推遲到2014年第一季度才進(jìn)行量產(chǎn)。而據(jù)英特爾的自述,它在任何時(shí)候都可以啟動(dòng)14nm的量產(chǎn),分析弦外之音,它已具備量產(chǎn)的條件。但是業(yè)界認(rèn)為,盡管英特爾自稱已準(zhǔn)備好條件,但是成品率太低,離真正量產(chǎn)尚有一段距離。無(wú)獨(dú)有偶,臺(tái)積電之前也信誓旦旦20nm工藝在2013年第四季度時(shí)要形成銷售額,如今也推遲到2014年之后。

兩個(gè)業(yè)界“大佬“都相繼食言,要推遲進(jìn)程,在歷史上并不多見(jiàn)。這反映一個(gè)事實(shí),由于技術(shù)的復(fù)雜性及成本迅速上升,摩爾定律的步伐真的已開(kāi)始變緩,或許這是定律終止前的一種信號(hào)。因?yàn)槎刹豢赡苷f(shuō)哪一天會(huì)終止,而是每?jī)赡暌粋€(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的周期會(huì)變得越來(lái)越長(zhǎng),或者由于成本上升等因素,愿意采用先進(jìn)制程的客戶會(huì)越來(lái)越少。

臺(tái)積電前研發(fā)部總裁蔣尚義對(duì)于定律的理解如下:在摩爾定律推動(dòng)下,新一代的芯片晶體管數(shù)量翻一番,相當(dāng)于盈利將增長(zhǎng)100%,而芯片上不是每個(gè)部件都可以縮小,所以估算一般利潤(rùn)增長(zhǎng)為85%,如果扣除研發(fā)成本的35%之后,就只有50%的利潤(rùn)。如果再加上新技術(shù)引起的產(chǎn)品價(jià)格下降,利潤(rùn)就只有25%,此時(shí)再計(jì)及生產(chǎn)成本等因素,企業(yè)將幾乎沒(méi)有利潤(rùn)。

“如果下一代芯片的生產(chǎn)成本增長(zhǎng)超過(guò)25%,則企業(yè)不會(huì)隨意地升級(jí)至下一代工藝。”實(shí)際上此話才是定律的真正精髓。蔣尚義近期向媒體表示,摩爾定律失效的時(shí)間將在下個(gè)十年之內(nèi)。

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