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[導讀]【導讀】日前,橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布與Memoir Systems合作開發(fā)出革命性的算法內存技術(Algorithmic Memory Technology

【導讀】日前,橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布與Memoir Systems合作開發(fā)出革命性的算法內存技術(Algorithmic Memory Technology)。

新技術將用于制造采用全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI,fully-depleted silicon-on-insulator)技術的專用集成電路(ASIC,application-specific integrated circuits)和系統(tǒng)芯片(SoCs,Systems on Chips) 的內部存儲器

當集成到采用FD-SOI技術的產(chǎn)品時,Memoir Systems的算法存儲器沒有損失任何性能,這歸功于 FD-SOI在功耗和性能上的優(yōu)勢 。此外,F(xiàn)D-SOI的極低軟錯誤率 結合超低泄漏電流對于包括網(wǎng)絡、交通、醫(yī)療和航空等關鍵應用意義重大。

意法半導體設計支持和服務執(zhí)行副總裁Philippe Magarshack表示:“就FD-SOI工藝本身而言,F(xiàn)D-SOI配備了ASIC和SoC設計工具,與其它制造工藝相比,它可實現(xiàn)速度更快,散熱更低。而且增加了Memoir Systems的知識產(chǎn)權后,我們把FD-SOI產(chǎn)品變得更具吸引力,并展示了其簡單的移動特點。”

Memoir Systems共同創(chuàng)辦人兼首席執(zhí)行官Sundar Iyer表示:“我們專注于突破存儲器技術,實現(xiàn)更短的設計周期和極高的性能,這使我們的同類最優(yōu)的算法存儲技術能夠嵌入FD-SOI平臺,這對于我們和客戶都具有重要意義。簡單的移動特點結合有目共睹的優(yōu)異性能證實,F(xiàn)D-SOI可實現(xiàn)速度更快、散熱更低、設計更簡單。”

作為領先的ASIC生產(chǎn)廠商,意法半導體率先推出了突破性的全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI)制造工藝,擴展和簡化了現(xiàn)有平面體硅制造工藝。FD-SOI晶體管提高了靜電特性,縮短了溝道長度,因此工作頻率高于采用傳統(tǒng)CMOS制造的晶體管。

關于意法半導體

意法半導體(STMicroelectronics;ST)是全球領先的半導體解決方案供應商,為客戶提供傳感器、功率器件、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節(jié)能技術,到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全,從醫(yī)療健身設備,到智能消費電子,從家電、汽車,到辦公設備,從工作到娛樂,意法半導體的微電子器件無所不在,在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極、創(chuàng)新的作用。意法半導體代表著科技引領智能生活(life.augmented)的理念。

意法半導體2012年凈收入84.9 億美元。


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