格芯(GLOBALFOUNDRIES，原名格羅方德)與芯原微電子(VeriSilicon)共同宣布，將攜手為下一代低功耗廣域網(wǎng)(LPWA)推出業(yè)界首款單芯片物聯(lián)網(wǎng)解決方案。雙方計劃采用格芯的22FDX®FD-SOI 技術(shù)開發(fā)可支持完整蜂巢式調(diào)制解調(diào)器模塊的單芯片專利，包括集成基帶、電源管理、射頻以及結(jié)合窄帶物聯(lián)網(wǎng)(NB-IoT)與LTE-M 功能的前端模塊。相較于現(xiàn)有產(chǎn)品，該全新方案可望大幅改善功耗、面積及成本。

隨著智慧城市、家居與工業(yè)應用中互聯(lián)設(shè)備的數(shù)量日益增加，網(wǎng)絡(luò)供應商也著手開發(fā)全新的通訊協(xié)議，以期更加符合新興物聯(lián)網(wǎng)標準的需求。LPWA 技術(shù)利用現(xiàn)有的LTE頻譜及移動通信基礎(chǔ)設(shè)施，但更著重于為例如聯(lián)網(wǎng)水表和煤氣表等傳輸少量低頻數(shù)據(jù)的設(shè)備提供超低功耗、擴大傳輸范圍以及降低數(shù)據(jù)傳輸率。

兩大領(lǐng)先的LPWA連接標準包括在美國前景看好的LTE-M，以及逐漸在歐洲、亞洲取得一席之地的NB-IoT。舉例而言，中國政府已將NB-IoT定為明年全國部署的對象。根據(jù)美國市場研究公司 ABI Research 的研究，該兩大技術(shù)的結(jié)合將推動蜂窩M2M模塊的出貨量到2021年可能逼近5億。

格芯與芯原微電子目前已著手開發(fā)IP套件，以雙模運營商等級的基調(diào)制解調(diào)器帶搭配集成的射頻前端模組，旨在讓客戶開發(fā)出成本及功耗優(yōu)化的單芯片解決方案，以供全球部署。該款設(shè)計將采用格芯的22FDX工藝，運用22nm FD-SOI技術(shù)平臺為物聯(lián)網(wǎng)應用提供成本優(yōu)化的微縮能力并降低功耗。22FDX是唯一能夠以單芯片高效整合射頻、收發(fā)器、基帶、處理器和電源管理元件的技術(shù)。相較于現(xiàn)有的40nm技術(shù)，這款集成方案預計在功耗和裸片尺寸方面，將達到80%以上的提升。

格芯產(chǎn)品管理高級副總裁Alain Mutricy表示：“低功耗、電池供電的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備正處于爆發(fā)性增長態(tài)勢，22FDX技術(shù)完美契合了其需求。對中國市場帶來的機會，我們尤為興奮。中國正以領(lǐng)先姿態(tài)在全國范圍大力發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)與智慧城市。芯原微電子是我們重要的合作伙伴，他們協(xié)助我們在成都建設(shè)以全新300mm晶圓廠為中心的FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)。此次新的合作計劃也將進一步深化我們的長期合作關(guān)系。”

芯原股份有限公司創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民表示：“自五年前開始，作為芯片平臺即服務 (SiPaaS) 的設(shè)計代工公司，芯原即開始開發(fā) FD-SOIIP，并基于FD-SOI 技術(shù)一次流片成功了多款芯片產(chǎn)品。就物聯(lián)網(wǎng)應用而言，除了成本優(yōu)勢之外，集成式射頻、體偏壓以及嵌入式內(nèi)存如MRAM，都是28mm CMOS 工藝節(jié)點往后，F(xiàn)D-SOI 技術(shù)所具備的重要優(yōu)勢。在格芯22FDX上集成射頻與功率放大器后，基帶和協(xié)議?？稍诟吣苄铱删幊痰腪SPnano 上得以實現(xiàn)，ZSPnano 專為控制和具有低延遲的數(shù)據(jù)流、單周期指令的信號處理而優(yōu)化。格芯位于成都的全新FDX 300 mm 晶圓廠，以及此次合作推出的集成式 NB-IoT、LTE-M單芯片解決方案等IP 平臺，都將對中國的物聯(lián)網(wǎng)和 AIoT(物聯(lián)人工智能) 產(chǎn)業(yè)帶來重大的影響。”

格芯與芯原微電子預計將于2017年第四季度對基于此集成方案的測試芯片進行流片，并完成驗證。雙方計劃于2018年年中獲得運營商許可。