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[導(dǎo)讀]Vishay Intertechnology, Inc.目前推出采用 Bulk Metal® 箔技術(shù)制造的多款表面貼裝電阻,以實(shí)現(xiàn)最高端領(lǐng)域?qū)ζ骷呖煽啃院透叻€(wěn)定性的嚴(yán)苛要求。這次發(fā)布的器件中,包括新改進(jìn)的 VSMP(0805 至 2512)系列、及VC

Vishay Intertechnology, Inc.目前推出采用 Bulk Metal® 箔技術(shù)制造的多款表面貼裝電阻,以實(shí)現(xiàn)最高端領(lǐng)域?qū)?strong>器件高可靠性和高穩(wěn)定性的嚴(yán)苛要求。這次發(fā)布的器件中,包括新改進(jìn)的 VSMP(0805 至 2512)系列、及VCS1625Z 和 CSM2512S 在內(nèi),Vishay 產(chǎn)品系列均納入各種超高精度規(guī)格和配置,以實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的性能。 

在為最高端領(lǐng)域(國防及宇航)應(yīng)用選擇電阻時(shí)需要考慮多個(gè)因素,包括 TCR(環(huán)境溫度)、PCR(自身散熱)、負(fù)載壽命穩(wěn)定性、報(bào)廢容限、熱電勢(EMF)和 ESD 等。某些精密電阻技術(shù)可為設(shè)計(jì)人員提供低至 0.05% 的嚴(yán)格初始容限,但需以較差的負(fù)載壽命穩(wěn)定、高報(bào)廢容限、較長的熱穩(wěn)定時(shí)間和 ESD 敏感度為代價(jià)。其他電阻技術(shù)可提供低 TCR,但快速響應(yīng)時(shí)間長且在使用年限期間會出現(xiàn)失控的飄移。

Vishay 的 Bulk Metal 箔電阻可向設(shè)計(jì)人員提供全方位的一流性能特征,通過減少所需部件的數(shù)量,同時(shí)確保更優(yōu)異的最終產(chǎn)品,并簡化電路并降低整體系統(tǒng)成本。Vishay 器件在全額定功率、溫度 70ºC 情況下工作 2000 小時(shí)負(fù)載壽命穩(wěn)定性最大值為 0.05%。這些器件除了具有低 TCR 外,還具有在額定功率時(shí) ±5ppm 的 PCR(“自身散熱產(chǎn)生的 ∆R”)、0.01% 的嚴(yán)格容限及 < 0.1 µV/°C 的熱電勢(EMF)。

考慮到使用中預(yù)期的容限退化問題,當(dāng)前的設(shè)計(jì)實(shí)踐對電阻提出更高要求。Vishay 以更低的價(jià)格提供了新方案,可為需要報(bào)廢容限目標(biāo)不超過 0.05% 的設(shè)計(jì)人員提供合適的箔電阻。

此電阻采用無電感(< 0.08 μH)和無電容設(shè)計(jì),并提供低值 4-Kelvin連接、卷繞接頭及靈活接頭(SMRXD 系列),以確保因熱膨脹系數(shù)(TCE)差異造成的 PCB 最小應(yīng)力轉(zhuǎn)移。

其他電阻技術(shù)可在幾秒或幾分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)態(tài)熱穩(wěn)定,而 Vishay 箔電阻可提供幾乎瞬時(shí)的熱穩(wěn)定時(shí)間,1.0 納秒的快速響應(yīng)時(shí)間(幾乎不可測量),且無振鈴。這些器件提供多種篩選選擇,符合 EEE-INST-002 DSCC、EPPL 和 MIL-PRF 55342/55182/49465 標(biāo)準(zhǔn),適用于國防及宇航應(yīng)用,可在不尋常環(huán)境狀況下保持極小漂移。

Bulk Metal 電阻具有極高的靜電放電抗擾度,耐受達(dá) 25 kV 的靜電放電,實(shí)現(xiàn)更高的可靠性??蓮?2 mΩ 電阻值起始制造任何電阻值(如 1 kΩ 或 1.1234 kΩ)的 Vishay 箔電阻,而不會增加成本或供貨時(shí)間。這些器件經(jīng)過輻射測試,并已將短時(shí)過載測試作為標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)流程的一部分。

這些電阻的典型應(yīng)用包括直流到直流轉(zhuǎn)換器、反饋電路以及測試和測量儀器中的精密放大器、醫(yī)療系統(tǒng)、衛(wèi)星航天系統(tǒng)、商業(yè)和軍用航空電子設(shè)備、武器系統(tǒng)、音頻系統(tǒng)及高溫系統(tǒng)(包括井下鉆井)。

目前,Vishay 的 Bulk Metal 電阻可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),樣品供貨周期為 72 小時(shí),而標(biāo)準(zhǔn)訂單的供貨周期為 6 周。

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