新款SuperFlash存儲(chǔ)器工作電壓范圍低至1.65-1.95V

Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)發(fā)布SST26WF080B 和 SST26WF040B新器件，擴(kuò)展其1.8V Serial Quad I/O™(SQI)SuperFlash®系列存儲(chǔ)器。新器件備有4 Mb和8 Mb兩種存儲(chǔ)容量，采用Microchip高性能SuperFlash技術(shù)制造，可提供業(yè)界最快的擦除時(shí)間和卓越的可靠性。

由于采用了SuperFlash技術(shù)，SST26WF080B/040B新器件的擦除速度比其他同類(lèi)器件都要快。扇區(qū)和塊擦除命令在短短18毫秒內(nèi)即可完成，執(zhí)行整個(gè)芯片的擦除操作也只需要35毫秒;而同類(lèi)器件一般需要5-15秒的時(shí)間來(lái)完成整個(gè)芯片的擦除操作。顯然，SST26WF080B/040B的擦除速度要快300倍左右。由于最大限度地減少了測(cè)試和固件更新所需的時(shí)間，新器件極其快速的擦除性能可為客戶(hù)顯著節(jié)約成本并大幅提高產(chǎn)能。

新器件的SQI接口是一個(gè)104 MHz的高速四I/O串行接口，即使是低引腳數(shù)封裝也可實(shí)現(xiàn)高數(shù)據(jù)吞吐量。該接口支持低延遲就地執(zhí)行(execute-in-place，XIP)功能，使得程序可以直接在閃存內(nèi)存儲(chǔ)和執(zhí)行而無(wú)需在RAM器件上進(jìn)行代碼映射。與x16并行閃存器件相比，SST26WF080B/040B的數(shù)據(jù)吞吐速度更快，又不存在并行閃存有關(guān)的高成本和高引腳數(shù)。此外，該SQI接口還提供完整的命令集，可向后兼容傳統(tǒng)的串行外設(shè)接口(SPI)協(xié)議。

SST26WF080B/040B專(zhuān)為低功耗設(shè)計(jì)，有助于最大限度地延長(zhǎng)便攜式供電應(yīng)用中電池的壽命。新器件在待機(jī)模式下的典型電流消耗僅為10 µA，而深度掉電模式下的典型電流消耗更進(jìn)一步降至1.8 µA。104 MHz時(shí)其典型主動(dòng)讀取電流為15 mA。1.8V低功耗操作與小尺寸封裝相結(jié)合，無(wú)疑令SST26WF080B/040B成為諸如手機(jī)、藍(lán)牙®耳機(jī)、GPS、攝像頭模塊、助聽(tīng)器和其他電池供電設(shè)備等各種應(yīng)用的最佳選擇。

SST26WF080B/040B擁有卓越的品質(zhì)和可靠性，數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)達(dá)100年，且可擦/寫(xiě)次數(shù)超過(guò)10萬(wàn)次，耐用性極高。此外，其安全性也得到進(jìn)一步增強(qiáng)，包括針對(duì)各獨(dú)立塊的軟件寫(xiě)保護(hù)以便靈活保護(hù)數(shù)據(jù)/代碼安全以及一個(gè)一次性可編程(OTP)的2 KB安全I(xiàn)D區(qū)域。這些特性有助防止未經(jīng)授權(quán)的訪(fǎng)問(wèn)以及其他惡意讀取、編程和擦除的企圖。同時(shí)，該器件還具有一個(gè)符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù)(SFDP)表，其中包含了有關(guān)SST26WF080B/040B功能和性能的標(biāo)識(shí)信息，從而簡(jiǎn)化軟件設(shè)計(jì)。

Microchip存儲(chǔ)產(chǎn)品部副總裁Randy Drwinga表示：“我們1.8V低功耗Serial Quad I/O產(chǎn)品線(xiàn)新增的SST26WF080B/040B SuperFlash器件為客戶(hù)帶來(lái)了業(yè)界擦除速度最快的高速閃存這一出眾的解決方案。憑借小尺寸和低功耗的特性，新器件可謂是包括物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用在內(nèi)的新一代采用電池供電的便攜嵌入式設(shè)計(jì)的理想選擇。”

供貨

SST26WF080B/040B器件采用8觸點(diǎn)6 mm x 5 mm WSON封裝、8引腳150 mil SOIC封裝、8觸點(diǎn)2 mm x 3 mm USON封裝以及8球Z-Scale XFBGA封裝，現(xiàn)已開(kāi)始提供樣片并投入量產(chǎn)，以10,000片起批量供應(yīng)。