新款SuperFlash存儲器工作電壓范圍低至1.65-1.95V

Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)發(fā)布SST26WF080B 和 SST26WF040B新器件，擴展其1.8V Serial Quad I/O™(SQI)SuperFlash®系列存儲器。新器件備有4 Mb和8 Mb兩種存儲容量，采用Microchip高性能SuperFlash技術制造，可提供業(yè)界最快的擦除時間和卓越的可靠性。

由于采用了SuperFlash技術，SST26WF080B/040B新器件的擦除速度比其他同類器件都要快。扇區(qū)和塊擦除命令在短短18毫秒內即可完成，執(zhí)行整個芯片的擦除操作也只需要35毫秒;而同類器件一般需要5-15秒的時間來完成整個芯片的擦除操作。顯然，SST26WF080B/040B的擦除速度要快300倍左右。由于最大限度地減少了測試和固件更新所需的時間，新器件極其快速的擦除性能可為客戶顯著節(jié)約成本并大幅提高產能。

新器件的SQI接口是一個104 MHz的高速四I/O串行接口，即使是低引腳數封裝也可實現(xiàn)高數據吞吐量。該接口支持低延遲就地執(zhí)行(execute-in-place，XIP)功能，使得程序可以直接在閃存內存儲和執(zhí)行而無需在RAM器件上進行代碼映射。與x16并行閃存器件相比，SST26WF080B/040B的數據吞吐速度更快，又不存在并行閃存有關的高成本和高引腳數。此外，該SQI接口還提供完整的命令集，可向后兼容傳統(tǒng)的串行外設接口(SPI)協(xié)議。

SST26WF080B/040B專為低功耗設計，有助于最大限度地延長便攜式供電應用中電池的壽命。新器件在待機模式下的典型電流消耗僅為10 µA，而深度掉電模式下的典型電流消耗更進一步降至1.8 µA。104 MHz時其典型主動讀取電流為15 mA。1.8V低功耗操作與小尺寸封裝相結合，無疑令SST26WF080B/040B成為諸如手機、藍牙®耳機、GPS、攝像頭模塊、助聽器和其他電池供電設備等各種應用的最佳選擇。

SST26WF080B/040B擁有卓越的品質和可靠性，數據保存時間長達100年，且可擦/寫次數超過10萬次，耐用性極高。此外，其安全性也得到進一步增強，包括針對各獨立塊的軟件寫保護以便靈活保護數據/代碼安全以及一個一次性可編程(OTP)的2 KB安全ID區(qū)域。這些特性有助防止未經授權的訪問以及其他惡意讀取、編程和擦除的企圖。同時，該器件還具有一個符合JEDEC標準的串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(SFDP)表，其中包含了有關SST26WF080B/040B功能和性能的標識信息，從而簡化軟件設計。

Microchip存儲產品部副總裁Randy Drwinga表示：“我們1.8V低功耗Serial Quad I/O產品線新增的SST26WF080B/040B SuperFlash器件為客戶帶來了業(yè)界擦除速度最快的高速閃存這一出眾的解決方案。憑借小尺寸和低功耗的特性，新器件可謂是包括物聯(lián)網應用在內的新一代采用電池供電的便攜嵌入式設計的理想選擇。”

供貨

SST26WF080B/040B器件采用8觸點6 mm x 5 mm WSON封裝、8引腳150 mil SOIC封裝、8觸點2 mm x 3 mm USON封裝以及8球Z-Scale XFBGA封裝，現(xiàn)已開始提供樣片并投入量產，以10,000片起批量供應。