英飛凌科技股份公司今日推出了OptiMOS™ 5 25V和30V產(chǎn)品家族，它們是采用標準分立式封裝的新一代功率MOSFET。同時，英飛凌還發(fā)布了名為Power Block的新型功率模組和集成式功率模組DrMOS 5x5。加上驅(qū)動器和數(shù)字控制器產(chǎn)品，英飛凌為服務器、電腦、數(shù)據(jù)通信和電信設備等提供了完備的系統(tǒng)解決方案。

在云計算、物聯(lián)網(wǎng)和社交媒體等大趨勢的推動下，現(xiàn)代社會對數(shù)據(jù)處理能力的需求與日俱增。伴隨而來的，是能耗大幅增加，這繼而要求提高功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的能效。新近推出的OptiMOS 25V和30V產(chǎn)品重新定義了業(yè)內(nèi)解決方案的性能標桿，在整個負載范圍內(nèi)，其能效比上一代產(chǎn)品提高了1%左右，在典型的服務器電源設計中，其峰值效率高達95%以上。這樣的性能提升得益于諸多因素，如開關(guān)損耗(Qswitch)比上一代的OptiMOS技術(shù)降低了50%。舉例來說，對于一顆全年不間斷工作的130W服務器CPU而言，采用新的OptiMOS 25V，可節(jié)約用電26.3度。按一個大型機房平均擁有5萬臺服務器計算，每年總共可以節(jié)約用電兩百六十萬度。

全新封裝技術(shù)

在發(fā)布OptiMOS 25V和30V產(chǎn)品家族的同時，英飛凌還推出了能進一步節(jié)省板上空間的全新封裝技術(shù)。Power Block產(chǎn)品家族和集成式功率模組DrMOS 5x5均采用了這種新型封裝技術(shù)，它的低邊MOSFET采用了源極朝下的焊接方式(跟傳統(tǒng)相反)，可極大改善散熱性能，對比SuperSO8等標準封裝，熱阻降低了50%。

英飛凌Power Block是一種無引線SMD封裝，它將同步直流/直流轉(zhuǎn)換器的低邊和高邊MOSFET集成到一個外形尺寸僅為5.0x6.0平方毫米的封裝中。有了Power Block，客戶可以用一個器件替換兩個標準封裝的分立器件，如SuperSO8或SO-8。從而能夠?qū)㈦娫丛O計的尺寸縮小高達85%。小巧的封裝外形和高低邊MOSFET在封裝內(nèi)的優(yōu)化互連，可最大限度地降低環(huán)路電感，從而實現(xiàn)最優(yōu)的系統(tǒng)性能。

集成式功率模組DrMOS 5x5也使用了OptiMOS 5 25V，它集成了、驅(qū)動器和兩顆MOSFET，總占板空間僅為25平方毫米。這種集成的解決方案，可大大縮短客戶的產(chǎn)品設計周期和降低設計難度。此外，這種高度集成的功率模組具備+/-5°C的高精度溫度檢測(相比之下，外接器件的溫度檢測精確度為+/-10°C)，這有助于進一步提高系統(tǒng)可靠性和性能。

提供完備的系統(tǒng)解決方案

英飛凌科技電源管理及多元化市場事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Richard Kuncic表示，“得益于大幅降低的開關(guān)損耗，OptiMOS 5產(chǎn)品允許工程師提高其設計的開關(guān)頻率，降低能耗，節(jié)省系統(tǒng)成本。加上我們的數(shù)字控制IC和驅(qū)動器產(chǎn)品，我們?yōu)橹绷?直流穩(wěn)壓電源設計提供了各式各樣完善的解決方案，其中，DrMOS 5x5和Power Block是設計師首選的標準封裝尺寸的最高能效產(chǎn)品。”

樣品及供貨情況

現(xiàn)在已可提供采用新的OptiMOS 25V 和 30V 元件的SuperSO8、S3O8以及Power Block封裝、通態(tài)電阻從0.9mΩ到3.3mΩ的全新OptiMOS 25V和30V樣品。集成類肖特基二極管的產(chǎn)品以及更多的30 V產(chǎn)品，將從2015年第二季度之后開始提供樣品。