2016年1月5日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出ST MDmesh™ M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP。該系列MOSFET能夠為服務(wù)器、筆記本電腦、電信設(shè)備及消費性電子產(chǎn)品電源提供業(yè)界最高能效的電源解決方案，在低負載條件下的節(jié)能效果特別顯著，讓設(shè)計人員能夠開發(fā)更輕、更小的開關(guān)式電源，同時輕松達到日益嚴苛的能效目標要求。

新款600V MDmesh M2 EP產(chǎn)品整合ST經(jīng)市場驗證的條形布局(strip layout)和全新進化的垂直結(jié)構(gòu)與優(yōu)化的擴散制程(diffusion process)，擁有優(yōu)秀的開關(guān)設(shè)計，包括極低的導(dǎo)通電阻和關(guān)機開關(guān)損耗，是特別為超頻功率轉(zhuǎn)換器(f> 150 kHz)專門設(shè)計，為要求最嚴苛的電源供應(yīng)器(PSU，Power Supply Unit)的理想選擇。

圖示1-大聯(lián)大友尚代理的ST600V MDmesh M2 EP照片

硬開關(guān)和軟開關(guān)電路拓撲均適用，包括諧振拓撲(resonant topologies)，例如LLC諧振，新器件的開關(guān)損耗極低，特別是在低負載條件下，低損耗更為明顯。除MDmesh M2產(chǎn)品的閘極電荷(Qg)極低外，M2 EP產(chǎn)品的關(guān)機能耗(Eoff )還可降低20%，而在硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中，關(guān)機損耗同樣降低20%。在低電流范圍內(nèi)降低Eoff損耗，有助于提高低負載能效，進而協(xié)助電源廠商順利達成日益嚴苛的能效認證要求。

升級后的關(guān)機波形(turn-off waveforms)可提高諧振轉(zhuǎn)換器的能效、降低噪聲，每周期回收再利用更多電能，而不是以散熱的形式浪費掉。

新款MDmesh M2 EP系列的主要特性：

極低的閘極電荷(Qg低至16 nC)

針對輕負載條件優(yōu)化電容曲線(capacitance profile)

針對軟件開關(guān)優(yōu)化Vth和Rg參數(shù)

穩(wěn)健的本體二極管(body diode)

MDmesh M2 EP系列鎖定需要高能效的電源應(yīng)用，提供多種封裝選擇(PowerFLAT 5x6 HV、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、I2PAKFP、TO-247)，所有產(chǎn)品均已量產(chǎn)。