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開(kāi)關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的RCD緩沖設(shè)計(jì)詳解

在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中，MOSFET作為核心開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)關(guān)過(guò)程產(chǎn)生的電壓尖峰和電磁干擾（EMI）問(wèn)題直接影響系統(tǒng)可靠性。RCD（電阻-電容-二極管）緩沖電路通過(guò)鉗位電壓尖峰、抑制振蕩，成為保護(hù)MOSFET的關(guān)鍵技術(shù)。本文從工作原理、參數(shù)設(shè)計(jì)、優(yōu)化策略三方面解析RCD緩沖電路的核心設(shè)計(jì)要點(diǎn)。

電源
2025-09-23

開(kāi)關(guān)電源 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 RCD緩沖
電源模塊并聯(lián)均流控制電路的設(shè)計(jì)與調(diào)試技巧

在數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、通信基站等高可靠性電力電子系統(tǒng)中，單模塊電源的功率密度和冗余能力已難以滿足需求，多模塊并聯(lián)技術(shù)成為提升系統(tǒng)容量與可靠性的關(guān)鍵方案。然而，模塊間參數(shù)差異（如輸出電壓、內(nèi)阻、溫度系數(shù)）會(huì)導(dǎo)致并聯(lián)時(shí)電流分配不均，輕則降低效率，重則引發(fā)模塊過(guò)載損壞。本文結(jié)合工程實(shí)踐，系統(tǒng)闡述并聯(lián)均流控制電路的設(shè)計(jì)原則與調(diào)試技巧。

電源
2025-09-23

電源模塊多模塊并聯(lián)
電源模塊灌封工藝與散熱性能提升的工程實(shí)踐

在電力電子設(shè)備向高功率密度、高可靠性演進(jìn)的趨勢(shì)下，電源模塊的散熱設(shè)計(jì)已成為制約系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的核心瓶頸。灌封工藝作為兼顧機(jī)械防護(hù)與熱管理的關(guān)鍵技術(shù)，通過(guò)材料選擇、工藝優(yōu)化及結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，可顯著提升模塊的散熱效率與環(huán)境適應(yīng)性。本文結(jié)合新能源汽車(chē)OBC（車(chē)載充電機(jī)）與工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)器的工程案例，系統(tǒng)闡述灌封工藝對(duì)散熱性能的影響機(jī)制及優(yōu)化策略。

電源
2025-09-23

電源模塊散熱性能灌封工藝
氮化鎵（GaN）器件在低紋波電源中的應(yīng)用，高頻開(kāi)關(guān)與低反向恢復(fù)損耗的協(xié)同優(yōu)勢(shì)

在低紋波電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，氮化鎵(GaN)器件正以獨(dú)特的材料特性重塑技術(shù)邊界。其核心優(yōu)勢(shì)源于高頻開(kāi)關(guān)能力與零反向恢復(fù)損耗的協(xié)同效應(yīng)，這一組合不僅突破了傳統(tǒng)硅基器件的物理極限，更在電源效率、體積優(yōu)化及信號(hào)純凈度方面展現(xiàn)出革命性突破。

電源
2025-09-23

氮化鎵低紋波電源
高頻氮化鎵（GaN）在65W快充中的選型實(shí)踐，南芯SC3050與英諾賽科INN650D02的對(duì)比分析

氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借高頻、低損耗、高功率密度的特性，已成為65W快充電源的核心器件。在器件選型中，南芯SC3050與英諾賽科INN650D02是兩款典型代表，前者為高集成度合封芯片，后者為分立式功率器件。本文從器件特性、應(yīng)用場(chǎng)景、系統(tǒng)設(shè)計(jì)三個(gè)維度展開(kāi)對(duì)比分析，為工程師提供選型參考。

電源
2025-09-23

高頻氮化鎵 65W快充
平面變壓器在AC-DC模塊中的優(yōu)勢(shì)解析：高頻損耗、寄生電容與散熱結(jié)構(gòu)的優(yōu)化路徑

AC-DC電源模塊向高頻化、小型化演進(jìn)，傳統(tǒng)繞線式變壓器因體積大、寄生參數(shù)高、散熱效率低等缺陷，逐漸成為制約功率密度提升的瓶頸。平面變壓器憑借其獨(dú)特的層疊式結(jié)構(gòu)與高頻適配性，在400kHz以上頻段展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。本文從高頻損耗抑制、寄生電容優(yōu)化、散熱結(jié)構(gòu)創(chuàng)新三個(gè)維度，解析平面變壓器在AC-DC模塊中的技術(shù)突破路徑。

電源
2025-09-23

AC-DC 平面變壓器
壓敏電阻（MOV）的選型誤區(qū)，通流容量、殘壓與老化特性的動(dòng)態(tài)測(cè)試方法

在電子設(shè)備的過(guò)壓保護(hù)體系中，壓敏電阻(Metal Oxide Varistor, MOV)如同電路的“安全氣囊”，其性能直接決定設(shè)備在雷擊、靜電、開(kāi)關(guān)浪涌等瞬態(tài)高壓下的生存能力。然而，實(shí)際應(yīng)用中，工程師常因?qū)诵膮?shù)理解偏差、測(cè)試方法不嚴(yán)謹(jǐn)，導(dǎo)致選型失誤或性能誤判。本文將深度解析壓敏電阻選型中的三大誤區(qū)，并揭示通流容量、殘壓與老化特性的動(dòng)態(tài)測(cè)試方法。

電源
2025-09-23

壓敏電阻殘壓流容量
汽車(chē)電子的電磁兼容性(EMC)標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)苛嗎

汽車(chē)電子是車(chē)體汽車(chē)電子控制裝置和車(chē)載汽車(chē)電子控制裝置的總稱。車(chē)體汽車(chē)電子控制裝置，包括發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)、底盤(pán)控制系統(tǒng)和車(chē)身電子控制系統(tǒng)(車(chē)身電子ECU)。

電源
2025-09-22

電磁兼容性
BMS測(cè)試儀的“感官網(wǎng)絡(luò)”：多維參數(shù)監(jiān)控

隨著新能源汽車(chē)與儲(chǔ)能系統(tǒng)的快速發(fā)展，電池?zé)崾Э仫L(fēng)險(xiǎn)成為懸在行業(yè)頭頂?shù)摹斑_(dá)摩克利斯之劍”。極端溫度下，電池性能急劇變化，熱失控概率呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。

電源
2025-09-22

BMS測(cè)試儀
齊納擊穿的擊穿電壓與溫度升高的關(guān)系

電容器是電子電路中至關(guān)重要的組件之一，它儲(chǔ)存和釋放電能，用于平滑電流、濾波、耦合信號(hào)、定時(shí)等功能。然而，電容器在運(yùn)行過(guò)程中可能會(huì)遇到擊穿現(xiàn)象，即其絕緣材料失去絕緣性能，導(dǎo)致電容兩極間發(fā)生放電。

電源
2025-09-22

擊穿電壓
在MOS管的運(yùn)用中，為什么我們常會(huì)遇到各種‘擊穿’現(xiàn)象

mos管也稱場(chǎng)效應(yīng)管，首先考察一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開(kāi)。

電源
2025-09-22

mos管
展頻技術(shù)（SSC）在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用，頻率抖動(dòng)對(duì)紋波頻譜的分散效應(yīng)

在新能源汽車(chē)充電樁的EMC測(cè)試實(shí)驗(yàn)室里，工程師們?cè)蜷_(kāi)關(guān)電源在16384Hz固定頻率下產(chǎn)生的尖峰輻射超標(biāo)而焦頭爛額。當(dāng)他們將開(kāi)關(guān)頻率改為在±10%范圍內(nèi)線性抖動(dòng)時(shí)，原本尖銳的頻譜峰值竟如被施了魔法般向兩側(cè)擴(kuò)散，輻射值瞬間降低12dB。這一戲劇性轉(zhuǎn)變，正是展頻技術(shù)(Spread Spectrum Clocking, SSC)在開(kāi)關(guān)電源中展現(xiàn)的"頻譜魔術(shù)"。

電源
2025-09-22

展頻技術(shù) 開(kāi)關(guān)電源
抑制傳導(dǎo)EMI的X電容與共模電感協(xié)同選型，頻段覆蓋與阻抗匹配的實(shí)戰(zhàn)案例

在電力電子設(shè)備中，傳導(dǎo)電磁干擾(EMI)如同隱形的“電流病毒”，可能引發(fā)設(shè)備誤動(dòng)作、數(shù)據(jù)丟失甚至系統(tǒng)癱瘓。某新能源汽車(chē)充電樁廠商曾因未通過(guò)EN 55032傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試，導(dǎo)致產(chǎn)品上市延期三個(gè)月，直接損失超500萬(wàn)元。這一案例揭示了傳導(dǎo)EMI抑制的核心挑戰(zhàn)：如何在150kHz-30MHz的寬頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)阻抗匹配，同時(shí)平衡成本與可靠性。本文通過(guò)特斯拉ADAS雷達(dá)電源模塊、比亞迪刀片電池BMS系統(tǒng)等實(shí)戰(zhàn)案例，解析X電容與共模電感的協(xié)同選型方法。

電源
2025-09-22

X電容抑制傳導(dǎo)EMI
圖騰柱無(wú)橋PFC拓?fù)渖疃冉馕?，高頻化與低導(dǎo)通損耗的協(xié)同設(shè)計(jì)方法

在能源效率與功率密度雙重驅(qū)動(dòng)的電力電子時(shí)代，圖騰柱無(wú)橋PFC(Power Factor Correction)拓?fù)鋺{借其突破性的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，成為單相AC/DC變換器的技術(shù)標(biāo)桿。該拓?fù)渫ㄟ^(guò)消除傳統(tǒng)整流橋的二極管損耗，結(jié)合高頻化與同步整流技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了效率與功率密度的雙重躍升。本文將從拓?fù)溲莼?、高頻化機(jī)理、低導(dǎo)通損耗設(shè)計(jì)及協(xié)同優(yōu)化策略四個(gè)維度，揭示其技術(shù)內(nèi)核與創(chuàng)新路徑。

電源
2025-09-22

圖騰柱無(wú)橋PFC
同步整流驅(qū)動(dòng)芯片的10ns級(jí)導(dǎo)通延遲選型：MPS MP6924與Silergy SY5875的交叉導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估

同步整流驅(qū)動(dòng)芯片的導(dǎo)通延遲精度已成為決定系統(tǒng)效率與可靠性的核心參數(shù)。當(dāng)導(dǎo)通延遲縮短至10ns級(jí)時(shí)，MOSFET的開(kāi)關(guān)動(dòng)作與變壓器次級(jí)電壓的同步誤差被壓縮至極限，此時(shí)交叉導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)如同懸在工程師頭頂?shù)倪_(dá)摩克利斯之劍。本文以MPS MP6924與Silergy SY5875兩款典型芯片為樣本，從時(shí)序控制、驅(qū)動(dòng)能力、保護(hù)機(jī)制三個(gè)維度，解析10ns級(jí)延遲下的交叉導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估方法。

電源
2025-09-22

MPS MP6924 Silergy SY5875

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開(kāi)關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的RCD緩沖設(shè)計(jì)詳解

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高頻氮化鎵（GaN）在65W快充中的選型實(shí)踐，南芯SC3050與英諾賽科INN650D02的對(duì)比分析

平面變壓器在AC-DC模塊中的優(yōu)勢(shì)解析：高頻損耗、寄生電容與散熱結(jié)構(gòu)的優(yōu)化路徑

壓敏電阻（MOV）的選型誤區(qū)，通流容量、殘壓與老化特性的動(dòng)態(tài)測(cè)試方法

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齊納擊穿的擊穿電壓與溫度升高的關(guān)系

在MOS管的運(yùn)用中，為什么我們常會(huì)遇到各種‘擊穿’現(xiàn)象

展頻技術(shù)（SSC）在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用，頻率抖動(dòng)對(duì)紋波頻譜的分散效應(yīng)

抑制傳導(dǎo)EMI的X電容與共模電感協(xié)同選型，頻段覆蓋與阻抗匹配的實(shí)戰(zhàn)案例

圖騰柱無(wú)橋PFC拓?fù)渖疃冉馕?，高頻化與低導(dǎo)通損耗的協(xié)同設(shè)計(jì)方法

同步整流驅(qū)動(dòng)芯片的10ns級(jí)導(dǎo)通延遲選型：MPS MP6924與Silergy SY5875的交叉導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估

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