東芝

我要報(bào)錯(cuò)

2017年我國(guó)大陸地區(qū)液晶面板產(chǎn)量已位居全球第一，但是有數(shù)據(jù)顯示，全球面板業(yè)產(chǎn)能過(guò)剩已開(kāi)始漸漸顯現(xiàn)。根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2017年全球TV面板的出貨數(shù)量達(dá)2.62億片，同比增長(zhǎng)1.6%，出貨面積為1.38億平方米，同比增長(zhǎng)6.1%。這主要?dú)w功于中國(guó)大陸的增加。

利用創(chuàng)新技術(shù) 東芝促進(jìn)存儲(chǔ)與能源產(chǎn)業(yè)的智能化發(fā)展

【導(dǎo)讀】成立于1875年，擁有55年半導(dǎo)體市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)的東芝，正在以更積極的形象詮釋其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。摘要：成立于1875年，擁有55年半導(dǎo)體市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)的東芝，正在以更積極的形象詮釋其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。關(guān)鍵字：東芝，電子

半導(dǎo)體
2014-06-06

東芝智能化 TRANSFER
SanDisk與東芝合力擴(kuò)建Fab 5

【導(dǎo)讀】SanDisk于日前表示，正與東芝(Toshiba)合力擴(kuò)建位于日本三重縣四日市的五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠(Fab 5)第二期工程，并共同展開(kāi)3D NAND記憶體技術(shù)的研發(fā)，為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米(nm)節(jié)點(diǎn)面臨微縮瓶頸

半導(dǎo)體
2014-06-06

BSP FAB SANDISK 東芝
東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品陣容

21ic訊東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其 650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)

功率器件
2014-06-06

二極管碳化硅肖特基東芝
東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

21ic訊東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)”(PCIM Asia 2014 )。本次展會(huì)于2014年6

功率器件
2014-06-05

電子 PCI 功率器件東芝
三星與Interdigital和解；東芝控告力積等4家臺(tái)廠侵權(quán)

1.三星與專利授權(quán)公司Interdigital達(dá)成和解獲專利授權(quán)；2.東芝控告力積等4家臺(tái)廠侵權(quán) 初步求償1億臺(tái)幣；3.蘋果耳機(jī)專利：內(nèi)置傳感器自動(dòng)關(guān)閉降噪功能；4.歐洲專利體系改革可能引來(lái)更多訴訟；5.旺宏電子重申絕未侵害

半導(dǎo)體
2014-06-04

三星 DIGITAL INTER 東芝
東芝控告四臺(tái)廠侵權(quán)

日本東芝公司3日宣布，已在臺(tái)灣法院控告力晶科技、智旺科技、力積電子與瑄譽(yù)科技（C.T.C），指控四家臺(tái)灣公司侵害東芝NAND快閃存儲(chǔ)器專利。力晶表示，目前已收到相關(guān)文件，快閃存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)務(wù)占力晶業(yè)務(wù)比重低，對(duì)公

半導(dǎo)體
2014-06-04

電子智能機(jī) NAND 東芝
東芝目前要求新臺(tái)幣1億元賠償金

飛索（Spansion）向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）提告旺宏（2337）專利侵權(quán)，ITC已同意進(jìn)行調(diào)查。旺宏昨（3）日表示，ITC只是同意調(diào)查，并未認(rèn)定侵權(quán)。旺宏強(qiáng)調(diào)絕未侵害他人專利，對(duì)飛索用訴訟打擊旺宏客戶信心，將依法

半導(dǎo)體
2014-06-04

專利侵權(quán) TC SPANSION 東芝
東芝控告力積等4家臺(tái)廠侵權(quán) 初步求償1億臺(tái)幣

全球第2大NAND型快閃記憶體(NAND Flash)廠商?hào)|芝(Toshiba)3日發(fā)布新聞稿宣布，已向臺(tái)灣智慧財(cái)產(chǎn)法院控告力積(Zentel Electronics；3553)、力晶(Powerchip Technology)、Powerflash Technology及C.T.C. Co., Ltd., 等

半導(dǎo)體
2014-06-03

Flash NAND POWER 東芝
東芝佳能研發(fā)3D閃存

據(jù)新華社電為了掌握大容量存儲(chǔ)器新技術(shù)，增強(qiáng)與韓國(guó)三星等公司的競(jìng)爭(zhēng)能力，日本東芝和佳能兩家公司決定聯(lián)合研發(fā)高性能3D閃存，力爭(zhēng)在2016年投入量產(chǎn)。3D閃存是下一代閃存技術(shù)，相對(duì)于2D閃存技術(shù)，3D閃存把存儲(chǔ)單元垂

半導(dǎo)體
2014-06-03

三星佳能 3D閃存東芝
日本東武鐵道新設(shè)總功率5MW的光伏電站

日本東武鐵道集團(tuán)將新設(shè)5座光伏電站，總輸出功率為5251kW。其中2座在埼玉縣、2座在栃木縣、1座在千葉縣，將在2014年秋季至2015年春季期間陸續(xù)開(kāi)始發(fā)電.東武能源管理公司將從東武鐵道，東野交通等

半導(dǎo)體
2014-05-29

逆變器輸出功率光伏電站東芝
3D NAND Flash成趨勢(shì) 各大廠商“摩拳擦掌”

近日，東芝(Toshiba)宣布改建日本四日市廠區(qū)的第二廠房，與新帝于同地點(diǎn)攜手興建3D NAND Flash的全新廠房。兩廠期待投入資金興建全新廠房，能為后續(xù)帶來(lái)更大效益，在價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)中取得優(yōu)勢(shì)。東芝表示，興建新晶圓廠將有

半導(dǎo)體
2014-05-28

芯片 Flash NAND 東芝
2014年度日本前三大半導(dǎo)體廠營(yíng)運(yùn)展望趨于樂(lè)觀

2013日本會(huì)計(jì)年度(2013年4月至2014年3月，以下簡(jiǎn)稱年度)日本半導(dǎo)體龍頭廠東芝(Toshiba)受惠于NANDFlash平均合約價(jià)格高于2012年度，且日?qǐng)A貶值有利日廠出口，在其記憶體出貨成長(zhǎng)的情況下，東芝營(yíng)收步出2012年度谷底，

半導(dǎo)體
2014-05-25

半導(dǎo)體瑞薩電子 SONY 東芝
韓國(guó)結(jié)束對(duì)閃存商反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)違法行為

韓國(guó)公平交易委員會(huì)在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國(guó)或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價(jià)格或其他壟斷行為的證據(jù)。該機(jī)構(gòu)調(diào)查了四家NAND閃存制造商。在被調(diào)查的四家廠商中，兩家位于韓

嵌入式硬件
2014-05-22

半導(dǎo)體三星電子 NAND閃存東芝
力拼三星　東芝砸7千億日?qǐng)A投資半導(dǎo)體廠

為因應(yīng)持續(xù)成長(zhǎng)的智慧手機(jī)與平板電腦需求，日本大廠東芝（TOSHIBA）未來(lái)3年內(nèi)將在生產(chǎn)半導(dǎo)體的四日市工廠，斥資7000億日?qǐng)A（2071億元臺(tái)幣）投資最新設(shè)備，力拼在NANDFlash全球市占居首的三星電子（SAMSUNG）。去年夏

半導(dǎo)體
2014-05-17

半導(dǎo)體三星 NANDFLASH 東芝
東芝開(kāi)始生產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND閃存芯片

【導(dǎo)讀】半導(dǎo)體行業(yè)的閃存制造工藝進(jìn)步除了意味著用戶能夠獲得更好的存儲(chǔ)性能，同時(shí)也意味著SSD固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備價(jià)格的下降。過(guò)去幾年中SSD的降價(jià)幅度還是頗大的，目前最便宜的固態(tài)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器每GB的價(jià)格不到50美分，

半導(dǎo)體
2014-05-09

閃存芯片 NAND閃存 5NM 東芝
東芝開(kāi)始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

符合JEDEC UFS 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式存儲(chǔ)器將高達(dá)64GB的NAND和控制器融合于單一封裝內(nèi)東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開(kāi)始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品

智能硬件
2014-05-08

嵌入式 NAND閃存 JEDEC 東芝
東芝推出小型SO6封裝的光電耦合器

21ic訊東芝公司半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，該公司推出小型SO6封裝的光電耦合器。新產(chǎn)品“TLP3905”和“TLP3906”即日起投入量產(chǎn)。光電耦合器采用不含MOSFET芯片的光控繼電器結(jié)構(gòu)。用戶可通過(guò)

顯示光電
2014-05-07

繼電器封裝光電耦合器東芝
東芝將推出全球最快的microSD存儲(chǔ)卡

首款符合高速UHS-II接口標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品東芝公司今天宣布，該公司將推出全球速度最快[1] 的microSD存儲(chǔ)卡。該存儲(chǔ)卡符合SD存儲(chǔ)卡標(biāo)準(zhǔn)4.20版定義的超高速串行總線接口UHS-II[2]標(biāo)準(zhǔn)。即日起為智能手機(jī)和其他移動(dòng)設(shè)備制造

智能硬件
2014-05-05

GB SD存儲(chǔ)卡 MICROSD 東芝
東芝開(kāi)始生產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND閃存芯片

半導(dǎo)體行業(yè)的閃存制造工藝進(jìn)步除了意味著用戶能夠獲得更好的存儲(chǔ)性能，同時(shí)也意味著SSD固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備價(jià)格的下降。過(guò)去幾年中SSD的降價(jià)幅度還是頗大的，目前最便宜的固態(tài)存儲(chǔ)

嵌入式動(dòng)態(tài)
2014-05-04

閃存芯片 NAND閃存 5NM 東芝
東芝推無(wú)線SSD固態(tài)硬盤：同時(shí)支持8臺(tái)設(shè)備

摘要：支持同時(shí)連接8臺(tái)不同的設(shè)備，普通用戶可將其作為小型的家庭數(shù)據(jù)中心。雖然我們已經(jīng)開(kāi)始逐漸使用了無(wú)紙化辦公，但是對(duì)于實(shí)現(xiàn)“無(wú)線化”辦公的努力仍然在不斷繼續(xù)?，F(xiàn)在在我們的周圍到處都充滿了W

智能硬件
2014-05-01

無(wú)線固態(tài)硬盤 SSD 東芝

首頁(yè) 上一頁(yè) 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 下一頁(yè) 尾頁(yè)

東芝

利用創(chuàng)新技術(shù) 東芝促進(jìn)存儲(chǔ)與能源產(chǎn)業(yè)的智能化發(fā)展

SanDisk與東芝合力擴(kuò)建Fab 5

東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品陣容

東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

三星與Interdigital和解；東芝控告力積等4家臺(tái)廠侵權(quán)

東芝控告四臺(tái)廠侵權(quán)

東芝目前要求新臺(tái)幣1億元賠償金

東芝控告力積等4家臺(tái)廠侵權(quán) 初步求償1億臺(tái)幣

東芝佳能研發(fā)3D閃存

日本東武鐵道新設(shè)總功率5MW的光伏電站

3D NAND Flash成趨勢(shì) 各大廠商“摩拳擦掌”

2014年度日本前三大半導(dǎo)體廠營(yíng)運(yùn)展望趨于樂(lè)觀

韓國(guó)結(jié)束對(duì)閃存商反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)違法行為

力拼三星　東芝砸7千億日?qǐng)A投資半導(dǎo)體廠

東芝開(kāi)始生產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND閃存芯片

東芝開(kāi)始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

東芝推出小型SO6封裝的光電耦合器

東芝將推出全球最快的microSD存儲(chǔ)卡

東芝開(kāi)始生產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND閃存芯片

東芝推無(wú)線SSD固態(tài)硬盤：同時(shí)支持8臺(tái)設(shè)備

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