低導(dǎo)通電阻

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MOS管控制電阻分壓關(guān)斷過(guò)沖的成因解析

在電力電子電路設(shè)計(jì)中，MOS管(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)憑借低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度及電壓控制的優(yōu)勢(shì)，成為電阻分壓電路中實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)通斷控制的核心器件，廣泛應(yīng)用于電源管理、信號(hào)調(diào)理等領(lǐng)域。然而在實(shí)際應(yīng)用中，MOS管關(guān)斷瞬間常出現(xiàn)漏源極電壓(V)超出穩(wěn)態(tài)值的過(guò)沖現(xiàn)象，這種瞬時(shí)高壓可能擊穿MOS管、損壞分壓電阻及后端負(fù)載，嚴(yán)重威脅電路穩(wěn)定性與可靠性。深入探究過(guò)沖產(chǎn)生的根源，是優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、規(guī)避失效風(fēng)險(xiǎn)的關(guān)鍵。結(jié)合電路特性與實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，MOS管控制電阻分壓關(guān)斷過(guò)沖的成因主要源于寄生參數(shù)耦合、驅(qū)動(dòng)電路特性偏差及負(fù)載與分壓網(wǎng)絡(luò)匹配失衡三大核心因素，具體分析如下。

模擬技術(shù)
2025-12-21

低導(dǎo)通電阻電壓控制網(wǎng)絡(luò)匹配
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)

采用易于使用的封裝，適用于可穿戴設(shè)備和大批量應(yīng)用

Nexperia
2020-04-23

MOSFET 可穿戴設(shè)備低導(dǎo)通電阻
東芝面向車(chē)載應(yīng)用推出采用緊湊型封裝的100V N溝道功率MOSFET

東芝今日宣布，推出兩款面向車(chē)載48V電氣系統(tǒng)應(yīng)用的新型100V N溝道功率MOSFET。

TOSHIBA東芝半導(dǎo)體
2019-12-25

MOSFET 東芝電子低導(dǎo)通電阻

低導(dǎo)通電阻

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