東芝面向車載應用推出采用緊湊型封裝的100V N溝道功率MOSFET
中國上海，2019年12月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款面向車載48V電氣系統(tǒng)應用的新型100V N溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產(chǎn)和出貨計劃于今天開始。
MOSFET產(chǎn)品圖
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新產(chǎn)品是東芝首款[1]采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)，安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查，從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導通電阻有利于降低設備功耗；XPH4R10ANB擁有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導通電阻。
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應用：
?汽車設備
電源裝置（DC-DC轉(zhuǎn)換器）和LED頭燈等（電機驅(qū)動、開關(guān)穩(wěn)壓器和負載開關(guān)）
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特性：
?東芝的首款[1]100V車用產(chǎn)品使用小型表面貼裝SOP Advance（WF）封裝
?通過AEC-Q101認證
?低導通電阻：
RDS(ON)=4.1m?（最大值）@VGS=10V（XPH4R10ANB）
RDS(ON)=6.3m?（最大值）@VGS=10V（XPH6R30ANB）
?采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)的SOP Advance（WF）封裝
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主要規(guī)格：
（除非另有說明，@Ta=25°C）
器件型號 | XPH4R10ANB | XPH6R30ANB | |
極性 | N溝道 | ||
絕對最大額定值 | 漏源極電壓 VDSS （V） | 100 | |
漏極電流 （DC） ID （A） | 70 | 45 | |
漏極電流 （脈沖） IDP （A） | 210 | 135 | |
溝道溫度 Tch （℃） | 175 | ||
漏源極導通電阻 RDS(ON)最大值 （mΩ） | @VGS=6V | 6.2 | 9.5 |
@VGS=10V | 4.1 | 6.3 | |
溝道至外殼熱阻 Zth(ch-c) 最大值 @Tc=25℃ （℃/W） | 0.88 | 1.13 | |
封裝 | SOP Advance（WF） | ||
產(chǎn)品系列 | U-MOSVIII-H | U-MOSVIII-H | |
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注釋：
[1] 截至2019年12月25日
[2] 在同樣規(guī)格的產(chǎn)品中，截至2019年12月25日。東芝調(diào)查。
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