三星FinFET工藝被判侵犯專利權(quán)，需賠償4億美金

三星與韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)在FinFET工藝上的爭(zhēng)論由來(lái)已久，KAIST在訴訟中表示當(dāng)時(shí)還在KAIST工作的教授Lee Jong-ho在2001年向三星展示過(guò)FinFET技術(shù)，三星起初對(duì)FinFET工藝并不上心，但是后來(lái)看到英特爾的FinFET量產(chǎn)之后也加快了FinFET工藝開(kāi)發(fā)，三星使用了Lee Jong-ho教授的FinFET工藝為基礎(chǔ)改進(jìn)FinFET工藝，最終在2011年推出了跟Lee Jong-ho教授研發(fā)的FinFET工藝相近的FinFET技術(shù)。