三星這兩年把半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)作為重點(diǎn)來抓，今年率先推出了7nm EUV工藝，搶在了臺(tái)積電、GlobalFoundries及英特爾前面。如今這幾家半導(dǎo)體制造公司都要依賴FinFET晶體管工藝，除了英特爾之外，三星是最早進(jìn)入FinFET工藝的廠商之一，但是他們的FinFET工藝也惹上了麻煩，上周末被美國法院判決侵犯了韓國科學(xué)技術(shù)院的專利，需要賠償4億美元，三星表示不服。

三星與韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)在FinFET工藝上的爭論由來已久，KAIST在訴訟中表示當(dāng)時(shí)還在KAIST工作的教授Lee Jong-ho在2001年向三星展示過FinFET技術(shù)，三星起初對(duì)FinFET工藝并不上心，但是后來看到英特爾的FinFET量產(chǎn)之后也加快了FinFET工藝開發(fā)，三星使用了Lee Jong-ho教授的FinFET工藝為基礎(chǔ)改進(jìn)FinFET工藝，最終在2011年推出了跟Lee Jong-ho教授研發(fā)的FinFET工藝相近的FinFET技術(shù)。

KAIST就這樣跟三星結(jié)下了梁子，2016年KAIST在美國德州的知識(shí)產(chǎn)權(quán)局起訴了三星，宣稱三星的FinFET工藝侵犯了他們的專利權(quán)。三星回應(yīng)稱他們是跟KAIST合作開發(fā)的FinFET工藝，并質(zhì)疑后者的FinFET專利有效性，不過陪審團(tuán)沒有認(rèn)可三星的辯護(hù)，最終在上周判決三星侵犯KAIST的FinFET專利權(quán)成立，需要賠償KAIST大概4億美元。

陪審團(tuán)認(rèn)為三星侵權(quán)是“故意的”，所以這個(gè)4億美元的賠償還不是最終的，有可能被重罰到12億美元。

三星這邊對(duì)判決表示不服，表示將會(huì)考慮所有可能的選擇來獲得合理的結(jié)果，包括上訴。

此外，這起侵權(quán)案中還涉及到了高通及GlobalFoundries，他們也被判侵權(quán)成立，不過法院沒有要求他們賠償任何損失。