中國內(nèi)存從此起飛?

　　我國的DRAM內(nèi)存、NAND閃存技術(shù)與電子技術(shù)發(fā)達國家相比要落后多年，像韓國三星、日本的東芝等企業(yè)，一直是我們追逐的對象。而中國的科學(xué)研究人員在此方面也獲得了喜人的成就。就在數(shù)月前國內(nèi)媒體報道我國的PCM相變內(nèi)存項目已經(jīng)開工建設(shè)，價值130億元的項目正如火如地荼施工中。更值得提到了的是，這個包含復(fù)旦大學(xué)科研團隊心血基于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的二維非易失性存儲芯片性能將是以往此類芯片的1000倍之多，刷新時間是傳統(tǒng)內(nèi)存的150多倍，其超高的耐用性是國產(chǎn)芯片的一大優(yōu)勢!