我國的DRAM內(nèi)存、NAND閃存技術(shù)與電子技術(shù)發(fā)達(dá)國家相比要落后多年，像韓國三星、日本的東芝等企業(yè)，一直是我們追逐的對象。而中國的科學(xué)研究人員在此方面也獲得了喜人的成就。就在數(shù)月前國內(nèi)媒體報道我國的PCM相變內(nèi)存項目已經(jīng)開工建設(shè)，價值130億元的項目正如火如地荼施工中。更值得提到了的是，這個包含復(fù)旦大學(xué)科研團(tuán)隊心血基于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的二維非易失性存儲芯片性能將是以往此類芯片的1000倍之多，刷新時間是傳統(tǒng)內(nèi)存的150多倍，其超高的耐用性是國產(chǎn)芯片的一大優(yōu)勢!

DIY玩家應(yīng)該知道內(nèi)存、閃存各自的優(yōu)缺點——內(nèi)存速度極快，但是斷電就會損失數(shù)據(jù)，而且成本昂貴，閃存的延遲比內(nèi)存高一個量級，但好處就是能保存數(shù)據(jù)，同時成本更低，所以業(yè)界一直在尋找能同時具備內(nèi)存、閃存優(yōu)點的存儲芯片，也就是能保存數(shù)據(jù)的同時具備極快的速度。

英特爾研發(fā)的3D XPoint閃存就有類似的特性， 號稱性能是閃存的1000倍，耐用性是閃存的1000倍，前面新聞提到的PCM相變存儲也是類似的技術(shù)，能夠在斷電時保存數(shù)據(jù)同時性能類似內(nèi)存，只不過這些新型存儲芯片現(xiàn)在還沒有達(dá)到內(nèi)存、閃存這樣成熟的地步。

中國學(xué)者研發(fā)的存儲芯片也是這個方向的，根據(jù)他們發(fā)表在《自然·納米技術(shù)》雜志上的論文來看，他們研發(fā)的存儲芯片使用的不是傳統(tǒng)芯片的場效應(yīng)管原理，因為后者在物理尺寸逐漸縮小的情況下會遇到量子效應(yīng)干擾，所以張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊使用的是半浮柵極(semi-floating gate)晶體管技術(shù)，他們據(jù)此展示一種具有范德·瓦爾斯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的近非易失性半浮柵極結(jié)構(gòu)，這種新型的存儲芯片具備優(yōu)異的性能及耐用性。

具體來說，與DRAM內(nèi)存相比，它的數(shù)據(jù)刷新時間是前者的156倍，也就是能保存更長時間的數(shù)據(jù)，同時具備納秒(ns)級的寫入速度(NAND閃存的延遲一般在毫秒級)，與傳統(tǒng)二維材料相比其速度快了100萬倍。，所以這種新型內(nèi)存有望縮小傳統(tǒng)內(nèi)存與閃存之間的差距。

如今我國雖在此技術(shù)上有了突破性進(jìn)展，但在2-3年內(nèi)還不能實現(xiàn)量產(chǎn)。這在具備DRAM、NAND優(yōu)點的新型存儲芯片上有著共同的問題。在未來5年內(nèi)當(dāng)這種產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)將會給傳統(tǒng)型芯片帶來沖擊。