
在這個日趨復雜的世界,對于嵌入式處理器的要求也愈來愈高。去年也許使用128k的程序及4個實時處理緒列便足以執(zhí)行應(yīng)用程序,但是今年的產(chǎn)品規(guī)格已將所需內(nèi)存提升為兩倍,中斷
3D IC內(nèi)存和所有2.5D/3D技術(shù)終于離全面商業(yè)化更近一步了!在上周于美國加州伯林蓋姆市(Burlingame)召開的RTI 3D ASIP會議上,AMD和Hynix共同宣布了兩家公司將攜手開發(fā)HBM(高帶寬內(nèi)存)技術(shù)的消息。AMD高級研究員兼3D項
之前曝光的三星新旗艦GALAXY F又有新的諜照現(xiàn)身,此前有消息稱該機將會采用金屬材質(zhì)機身,從最新曝光的照片來看,這款三星新機的邊緣采用了切角的設(shè)計,金屬的質(zhì)感非常明顯,可以基本確定材質(zhì)為金屬。配置方面,三星
磁阻內(nèi)存的概念幾乎是和磁盤記錄技術(shù)同時被提出來的。但是眾所周知,內(nèi)存讀寫的速度需要達到磁盤讀寫的速度的100萬倍,所以不能直接使用磁盤記錄技術(shù)來生產(chǎn)內(nèi)存。磁阻內(nèi)存的設(shè)計看起來并不復雜,但是對材料的要求比較
1概述當今計算機系統(tǒng)DDR3存儲器技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用,數(shù)據(jù)傳輸率一再被提升,現(xiàn)已高達1866Mbps.在這種高速總線條件下,要保證數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量的可靠性和滿足并行總線的時序要求,對設(shè)計實現(xiàn)提出了極大的挑戰(zhàn)。本文主要使
Intel將在未來一年內(nèi)連續(xù)推出兩套14nm工藝主流處理器,其中Broadwell主打筆記本移動平臺,Skylake則會為桌面平臺帶來全新升級,無論架構(gòu)、技術(shù)都將有質(zhì)的飛躍,尤其是支持DDR4。今天,我們又獲悉了關(guān)于Skylake的大量
21ic訊 All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))和同為混合內(nèi)存立方體聯(lián)盟(HMCC)成員的Pico Computing公司,今天共同宣布攜手推出業(yè)界首款針對All Programmable UltraS
計算機內(nèi)存供電電路(NCP5201)
筆記本電腦的內(nèi)存供電電路(0.9-1.8V)
索尼筆記本電腦內(nèi)存供電電路(SC486)
IBM-R40筆記本電腦內(nèi)存供電電路
并聯(lián)雙路輸出內(nèi)存供電電路(NEC E660筆記本電腦)
內(nèi)存電源控制器(MAX8550)(三星Q35筆記本電腦)
DDR內(nèi)存供電電路
SK海力士邀請了中國移動市場相關(guān)部門和企業(yè), 于2014年6月17日在中國深圳成功舉辦了“2014年SK海力士手機移動內(nèi)存解決方案研討會”。SK海力士CMO Richard Chin致歡迎辭SK海力士最新移動內(nèi)存的技術(shù)演示,吸引眾手
DRAM最大的應(yīng)用市場向來是PC,而現(xiàn)在有一個新興應(yīng)用市場開始涌現(xiàn)對DRAM的大量需求;根據(jù)市場研究機構(gòu)iSuppli的預測,智能手機對DRAM的需求量正以超過10倍的速度成長,預計將
除了傳說中那款全金屬旗艦Galaxy F之外,三星今年的另一款產(chǎn)品應(yīng)該就是Galaxy Note 4了,它的硬件規(guī)格必然不會讓我們再次失望(S5的硬件規(guī)格真心不行啊)。根據(jù)外媒的報道,三星移動通訊副總裁李永熙日前在一次會議上
【導讀】封測:京元電羽翼已豐,漸成硅品對手 自半導體市場景氣于2001年跌落谷底而后翻揚后,封測產(chǎn)業(yè)大者恒大趨勢更為明顯,硅品為了與日月光、艾克爾、新科金朋(STATS-ChipPAC)等進行集團式對抗,董事長
【導讀】升陽與優(yōu)利系統(tǒng)連手控告海力士涉及操縱價格 南韓半導體制造商海力士(Hynix)周二表示,美商升陽計算機與優(yōu)利系統(tǒng)(Unisys)連手控告該公司及其它芯片業(yè)者涉及操縱價格,提出賠償要求。 海力
【導讀】Hynix和意法擬籌7.5億美元 中國內(nèi)存晶圓廠再擴張 韓國芯片廠商海力士(Hynix Semiconductor)日前表示,計劃籌資7.5億美元投資基金,用于擴大其中國子公司。這家子公司是Hynix與意法半導體(ST)的合