
3G手機需求上漲 功率放大器供不應(yīng)求
ANADIGICS, Inc.(納斯達克股票代碼:ANAD)設(shè)計功率放大器(PA)的能力持續(xù)領(lǐng)先業(yè)界,產(chǎn)品為全球最流行的移動設(shè)備采用,今日更宣布其HELP3E雙頻功率放大器AWC6323應(yīng)用于Samsung Intensity II 和Gusto兩款手機中。
氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點,被認為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點,基于Agilent ADS仿真軟件,利用負載/源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設(shè)計步驟并對放大器進行了測試,數(shù)據(jù)表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W,附加效率超過67%的輸出。實驗結(jié)果證實,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
ANADIGICS, Inc.持續(xù)領(lǐng)先業(yè)界,針對快速成長的3G及4G智能手機市場,提供最高效率及最高穩(wěn)定性的無線通訊元件,今日宣布其AWT6264功率放大器為三星近期發(fā)布的Samsung Epic 4G手機提供WiMAX連接功能。 三星Epic 4
1997年,推出面向手機市場的全球首個商用雙頻(Cell/PCS)雙模GaAs功率放大器;2004年開發(fā)出“InGaP-Plus”——業(yè)內(nèi)首個可制造的基于GaAs的低成本BiFET工藝??蓪深惒煌木w管(PA和交換器)集成在同一個芯片組
全球領(lǐng)先的硅基射頻(RF)功率放大器和前端模塊(FEM)供應(yīng)商SiGe半導(dǎo)體公司(SiGe Semiconductor)進一步擴展其功率放大器產(chǎn)品系列,推出能夠覆蓋2.3-2.4 GHz和2.5-2.7 GHz兩個WiMAX頻段的單一大功率PA產(chǎn)品SE7271T,該
SiGe半導(dǎo)體公司(SiGe Semiconductor)進一步擴展其功率放大器產(chǎn)品系列,推出能夠覆蓋2.3-2.4 GHz和2.5-2.7 GHz兩個WiMAX頻段的單一大功率PA產(chǎn)品SE7271T,該器件能夠減少材料清單(BOM)數(shù)目,降低成本,適用于USB 適配器
Avago Technologies宣布推出四個最新增益方塊解決方案,其特點高線性度、高增益、出色的增益平坦度和低功率消耗。MGA-31189和MGA-31289 0.25瓦特,以及MGA-31389和MGA-31489 0.10瓦特增益方塊的性能增益可通過Avago的
摘要:以壓控運放AD603、功率運放THS3092、10位串行D/A芯片TLC5615和AVR單片機ATmegal28為核心,以液晶屏、鍵盤為人機接口,通過軟件補償增益誤差,設(shè)計一種可編程控制電壓增益的大功率寬帶直流放大器。該放大器可實
摘要:以壓控運放AD603、功率運放THS3092、10位串行D/A芯片TLC5615和AVR單片機ATmegal28為核心,以液晶屏、鍵盤為人機接口,通過軟件補償增益誤差,設(shè)計一種可編程控制電壓增益的大功率寬帶直流放大器。該放大器可實
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基礎(chǔ)的放大電路。
巧用NE555作功率放大器自動關(guān)機器電路圖