-
飛兆半導體和英飛凌科技達成功率MOSFET兼容協(xié)議
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，
-
GaN功率半導體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達1.8億
美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSupp
-
集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET（安森美）
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大導通阻
-
集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET（安森美）
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大導通阻
-
理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量
在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中評定這些參數對其的影響，以及在哪些應用條件下需要考慮這些參數。本文將論述這些問題，同時探討功率MOSFET在非鉗位感性開關條件下的工作狀態(tài)。
-
如何為電路設計選擇適合的IGBT
什么是IGBT？其工作原理是什么？為什么大家要選擇IGBT？它的優(yōu)勢是什么？一系列疑問的拋出，在3月5日第十五屆國際集成電路研討會暨展覽會(IIC-China2010)上，國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)公司給出
-
開關電源中功率MOSFET的驅動技術薈萃
功率MOSFET以其導通電阻低和負載電流大的突出優(yōu)點，已經成為開關電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專用MOSFET驅動器的出現(xiàn)又為優(yōu)化SMPS控制器帶來了契機。那些與SMPS控制器集成在一起的
-
開關電源中功率MOSFET的驅動技術薈萃
功率MOSFET以其導通電阻低和負載電流大的突出優(yōu)點，已經成為開關電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專用MOSFET驅動器的出現(xiàn)又為優(yōu)化SMPS控制器帶來了契機。那些與SMPS控制器集成在一起的
-
開關電源中功率MOSFET的驅動技術薈萃
功率MOSFET以其導通電阻低和負載電流大的突出優(yōu)點，已經成為開關電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專用MOSFET驅動器的出現(xiàn)又為優(yōu)化SMPS控制器帶來了契機。那些與SMPS控制器集成在一起的
-
具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅動器(TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護模塊以及監(jiān)控特性的數字雙路同步降壓功率驅動器，其與業(yè)界標準的驅動器相比，可將板級空間與組件數銳減 80%。UCD7242 使設計人員能在小型封裝中獲得采用
-
12款新N溝道功率MOSFET系列(安森美半導體)
經過100%雪崩測試的MOSFET提供業(yè)界領先的雪崩額定值，能承受電源和電機控制應用中的大電壓尖峰2010年2月2日 – 應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市
-
12款新N溝道功率MOSFET系列(安森美半導體)
經過100%雪崩測試的MOSFET提供業(yè)界領先的雪崩額定值，能承受電源和電機控制應用中的大電壓尖峰2010年2月2日 – 應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市
-
汽車用DirectFET 2功率MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車應用實現(xiàn)了卓越的功率密度
-
顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸
-
顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸
-
汽車用DirectFET 2功率MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車應用實現(xiàn)了卓越的功率密度
-
汽車用DirectFET 2功率MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車應用實現(xiàn)了卓越的功率密度
-
顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺
-
顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺
-
面向隔離DC-DC轉換器的低損耗功率MOSFET (瑞薩科技)
瑞薩科技公司（以下簡稱瑞薩）推出12款第10代、面向服務器、通信設備和工業(yè)設備等應用領域內電源中使用的隔離DC-DC轉換器*1的功率MOSFET產品。新型功率MOSFET在降低開關損耗*2、提高能效的同時，還具有很寬的電壓容差
