多次可編程非易失性存儲器的數(shù)據(jù)保持能力測試及其激活能分析

基于180 nm BCD工藝平臺設(shè)計開發(fā)了32 Kibit的多次可編程(MTP)非易失性存儲器(NVM)。詳細(xì)描述了存儲單元的結(jié)構(gòu)設(shè)計特點(diǎn)、操作機(jī)理及影響非易失性的關(guān)鍵因素。測試并量化了其在高溫條件下的數(shù)據(jù)保持能力，并根據(jù)Arrhenius模型設(shè)計了高溫老化試驗(yàn)，進(jìn)而計算其浮柵上電荷泄漏的激活能。經(jīng)過104次重復(fù)編程和擦除循環(huán)后，MTP NVM樣品的高溫數(shù)據(jù)保持(HTDR)能力驗(yàn)證結(jié)果表明該MTP NVM產(chǎn)品具有很好的可靠性。通過高溫老化加速試驗(yàn)，計算出分別在100、125和150 ℃條件下3個樣品的數(shù)據(jù)保持時間，并對1/T與數(shù)據(jù)保持時間曲線進(jìn)行數(shù)學(xué)擬合，計算出在該180 nm BCD工藝平臺下浮柵上電荷泄漏的激活能。