速度猛升50% 三星宣布量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲(chǔ)器

量產(chǎn)的 8Gb LPDDR5 顆粒速率達(dá)到了 6,400Mbps(6.4Gbps)，相比目前最快的 LPDDR4X-4266 存儲(chǔ)器快了 50%，頻寬可達(dá) 512GB/s。三星目前預(yù)計(jì)供應(yīng)兩種速率的 LPDDR5 存儲(chǔ)器，一種是速率 6,400Mbps 的，電壓 1.1V。另一種是電壓 1.05V 的，速率 5 500Mbps，更加節(jié)能。

STM32驅(qū)動(dòng)W25X64存儲(chǔ)器

W25X64 是華邦公司推出的大容量SPI FLASH 產(chǎn)品，W25X64 的容量為 64Mbit(8M)，該系列還有 W25Q80/16/32 等。W25X16,W25X32,W25X64分別有8192,16384,32768個(gè)可編程頁(yè),每頁(yè)256字節(jié),用扇區(qū)擦除指令每次可以擦除16頁(yè),用塊

三星正式量產(chǎn)第5代V-NAND快閃存儲(chǔ)器

據(jù)悉，第5代V-NAND快閃存儲(chǔ)器除了采用全新Toggle DDR 4.0傳輸界面提升速率之外，也進(jìn)一步強(qiáng)化性能和功耗，其工作電壓從1.8V降至1.2V，寫(xiě)入速度也高達(dá)500us，比上一代V-NAND快閃存儲(chǔ)器提升了30%，而讀取速率的回應(yīng)時(shí)間也縮短到50us。

三星宣布量產(chǎn)第5代V-NAND 全力搶占90層TLC市場(chǎng)　

三星(Samsung)近日宣布正式量產(chǎn)第5代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，第5代V-NAND 堆棧層數(shù)超過(guò)90層，且為首度支援Toggle DDR 4.0傳輸界面的NAND快閃存儲(chǔ)器，其單顆封裝的傳輸速度即可達(dá)1.4Gbps，相較于前一代64層的產(chǎn)品，傳輸速度提高了40%，并可實(shí)現(xiàn)更低的功耗及大幅減少寫(xiě)入延遲。

第五節(jié)：PIC系列單片機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

PIC16C5X把數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM都當(dāng)作寄存器來(lái)使用以使尋址簡(jiǎn)單明潔，它們功能上可分為操作寄存器、I/O寄存器、通用寄存器和特殊功用寄存器。它們的組織結(jié)構(gòu)如圖1.4所示：這些寄存器用代號(hào)F0～F79來(lái)表示。F0～

工信部部長(zhǎng)：95%的高端專用芯片 70%以上存儲(chǔ)芯片依賴進(jìn)口

中國(guó)工業(yè)和信息化部副部長(zhǎng)、國(guó)家制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室主任辛國(guó)斌13日在“2018國(guó)家制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)專家論壇”上表示，一段時(shí)期以來(lái)，國(guó)內(nèi)外評(píng)價(jià)中國(guó)制造業(yè)發(fā)展成就，往往揚(yáng)長(zhǎng)避短，片面夸大成績(jī)。中國(guó)制造業(yè)創(chuàng)新力不強(qiáng)，核心技術(shù)短缺的局面尚未根本改變。

單片機(jī)存儲(chǔ)器類型分析

data-----指單片機(jī)內(nèi)部自帶RAM空間xdata----指單片機(jī)外擴(kuò)RAM空間pdata----指單片機(jī)外擴(kuò)RAM空間中的頁(yè)面空間0x00~0xff（256字節(jié)/頁(yè)），頁(yè)地址由P2口決定。bit--------指RAM中位尋址空間0x20~0x7f地址單元。code-----指

鐵電存儲(chǔ)器在應(yīng)用中所起的作用

8051單片機(jī)存儲(chǔ)器的組織結(jié)構(gòu)是怎樣的？

8051存儲(chǔ)器包括程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，從邏輯結(jié)構(gòu)上看，可以分為三個(gè)不同的空間：（1）64KB的程序存儲(chǔ)器地址空間：0000H~FFFFH，其中0000H~0FFFH為片內(nèi)4KB的ROM地址空間，1000H~FFFFH為外部ROM地址空間；（2）256B

利用永久性存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)智能汽車功能的全面調(diào)用

捍衛(wèi)存儲(chǔ)器高毛利 SK海力士轉(zhuǎn)戰(zhàn)HBM

存儲(chǔ)器業(yè)經(jīng)歷大多頭的牛市之后，是否即將回檔，各方爭(zhēng)辯不休。韓廠SK海力士加快腳步增產(chǎn)高頻寬存儲(chǔ)器(HBM)，期盼能以技術(shù)拉開(kāi)和對(duì)手的差距，維持高毛利。BusinessKorea 6日?qǐng)?bào)導(dǎo)，中國(guó)大力發(fā)展半導(dǎo)體，各界憂慮存儲(chǔ)器未來(lái)將陷入供給過(guò)盛。SK海力士未雨綢繆，轉(zhuǎn)向發(fā)展HBM，此種芯片可用于人工智能(AI)加速器和服務(wù)器，進(jìn)入門(mén)檻較高、價(jià)格也高于一般通用型芯片。

臺(tái)積電慌了！三星攜手ARM優(yōu)化7納米及5納米制程芯片

雖然2018年包括臺(tái)積電、三星、格羅方德都要導(dǎo)入7納米制程技術(shù)。其中，三星為了追趕臺(tái)積電，還在首代的7納米(LPP)制程中導(dǎo)入EUV技術(shù)。不過(guò)，臺(tái)積電也非省油的燈，除了積極布局7納米制程技術(shù)之外，2018年初也已經(jīng)宣布在南科啟動(dòng)5納米建廠計(jì)劃，正式投入5納米制程的研發(fā)。因此，三星為了能縮減與臺(tái)積電的差距，5日正式宣布攜手知識(shí)產(chǎn)權(quán)大廠安謀(ARM)，雙方協(xié)議將進(jìn)一步優(yōu)化7納米及5納米制程芯片。

斥資80億！華天科技擬在南京開(kāi)發(fā)區(qū)投建集成電路先進(jìn)封測(cè)產(chǎn)業(yè)基地

華天科技7月6日晚間發(fā)布公告，公司擬在南京浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)投資建設(shè)南京集成電路先進(jìn)封測(cè)產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目。公司與南京浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)于2018年7月6日簽訂南京集成電路先進(jìn)封測(cè)產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目《投資協(xié)議》。項(xiàng)目總投資80億元，分三期建設(shè)，主要進(jìn)行存儲(chǔ)器、MEMS、人工智能等集成電路產(chǎn)品的封裝測(cè)試。

MCS-51單片數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM的擴(kuò)展應(yīng)用實(shí)例

RAM是用來(lái)存放各種數(shù)據(jù)的，MCS-51系列8位單片機(jī)內(nèi)部有128 B RAM存儲(chǔ)器，CPU對(duì)內(nèi)部RAM具有豐富的操作指令。但是，當(dāng)單片機(jī)用于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集或處理大批量數(shù)據(jù)時(shí)，僅靠片內(nèi)提供的RAM是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。此時(shí)，

基于AT89S51的程序存儲(chǔ)器的操作時(shí)序

　　1．訪問(wèn)程序存儲(chǔ)器的控制信號(hào)　　　　AT89S51單片機(jī)訪問(wèn)片外擴(kuò)展的程序存儲(chǔ)器時(shí)，所用的控制信號(hào)有以下3種。　　　　(1) ALE——用于低8位地址鎖存控制?！　　　?2) PSEN（的反）——片外程序存儲(chǔ)

MCU--51單片機(jī)CPU和存儲(chǔ)器

單片機(jī)8051的CPU由運(yùn)算器和控制器組成。 一、運(yùn)算器 運(yùn)算器以完成二進(jìn)制的算術(shù)/邏輯運(yùn)算部件ALU為核心，再加上暫存器TMP、累加器ACC、寄存器B、程序狀態(tài)標(biāo)志寄存器PSW及布爾處理器。累加器ACC是一個(gè)

存儲(chǔ)器功能的數(shù)字溫度計(jì)－DS1624技術(shù)應(yīng)用與原理分析

1．DS1624基本原理　　 DS1624是美國(guó)DALLAS公司生產(chǎn)的集成了測(cè)量系統(tǒng)和存儲(chǔ)器于一體的芯片。數(shù)字接口電路簡(jiǎn)單，與I2C總線兼容，且可以使用一片控制器控制多達(dá)8片的DS1624。其數(shù)字溫度輸出達(dá)13位，精度為

FinFET存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)、測(cè)試 和修復(fù)方法

同任何IP模塊一樣，存儲(chǔ)器必須接受測(cè)試。但與很多別的IP模塊不同，存儲(chǔ)器測(cè)試不是簡(jiǎn)單的通過(guò)/失敗檢測(cè)。存儲(chǔ)器通常都設(shè)計(jì)了能夠用來(lái)應(yīng)對(duì)制程缺陷的冗余行列，從而使片上系統(tǒng)(SoC)良率提高到90%或更高。

TMS320C32的存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

1 TMS320C32的外部存儲(chǔ)器接口的特點(diǎn) 　　TMS320C32是一個(gè)32位微處理器，它可以通過(guò)24位地址總線、32位數(shù)據(jù)總線和選通信號(hào)對(duì)外部存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn)。其外部存儲(chǔ)器接口結(jié)構(gòu)如下圖l所示。

大容量存儲(chǔ)器集成電路測(cè)試

　　大容量存儲(chǔ)器集成電路的測(cè)試系統(tǒng)是科技型中小企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新基金項(xiàng)目,是根據(jù)大容量存儲(chǔ)器集成電路SDRAM、DDR SDRAM和：flash RAM的發(fā)展趨勢(shì)而研究開(kāi)發(fā)的測(cè)試系統(tǒng)。方案的主要內(nèi)容為測(cè)試方法和測(cè)試程序