
【導讀】微電子產(chǎn)業(yè)標準機構JEDEC固態(tài)技術協(xié)會發(fā)布廣為業(yè)界期待的DDR4內(nèi)存標準。JEDEC DDR4 (JESD79-4) 內(nèi)存標準的制定旨在提高性能與可靠性的同時降低功耗。因此,相較于此前的DRAM內(nèi)存技術,DDR4代表著實質(zhì)性的進步
【導讀】北京兆易創(chuàng)新科技有限公司是國內(nèi)一家專門從事存儲器及相關芯片設計的IC設計公司,公司致力于各種高速和低功耗存儲器的研究及開發(fā),同時為系統(tǒng)級IC設計公司提供自主創(chuàng)新性存儲器IP授權。兆易創(chuàng)新打破了存儲器
【導讀】在半導體領域,“大數(shù)據(jù)分析”作為新的增長市場而備受期待。這是因為進行大數(shù)據(jù)分析時,除了微處理器之外,還需要高速且容量大的新型存儲器。在《日經(jīng)電子》主辦的研討會上,日本中央大學教授竹內(nèi)健談到了這
【導讀】據(jù)悉,鄞州區(qū)為提高招才引智和招商引資效率,特設一事一議招引渠道,先后引進了一批高端人才項目。除一系列的配套優(yōu)惠政策之外,在項目資金扶持方面合計投入近4500萬元。 摘要: 據(jù)悉,鄞州區(qū)為提高招才
【導讀】(中國,上?!?013年4月22日),2012年度上海市科學技術獎勵大會日前在上海展覽中心隆重召開,以上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)為第一完成單位的“先進嵌入式非揮發(fā)性存儲器制造技術”項目榮獲
轉(zhuǎn)自臺灣digitimes的消息,臺系存儲器廠南亞科技宣布,以30納米制程打造的4Gb容量DDR3芯片,列入打入博通(Broadcom)的認證供應商(AVL)名單,應用在高畫質(zhì)視訊解碼方案BCM7445上,算是南亞科耕耘利基型存儲器領域的重
聯(lián)想集團已與IBM簽訂協(xié)議,將收購IBM的PC服務器(x86服務器)業(yè)務。如果該收購項目得到各國政府認可,預計聯(lián)想在全球服務器市場上的份額將由現(xiàn)在的1%提高到13~14%。聯(lián)想打算以PC服務器業(yè)務為踏板,變身為提供服務
【導讀】在智能熱表的發(fā)展中,最先在上世紀90年代初就推出了接觸式IC卡,那時的IC卡卡口較寬,是加密性較差的存儲器卡,其抗攻擊能力較差。特別是受到當時的輿論的攻擊后,其應用一度受阻。 在智能熱表的發(fā)展中,
2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫,許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠,紛積極募資搶錢,而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢,未來再以貨源抵債,近期海力士(Hyn
存儲器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應用市場面寬,使其半導體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它
摘要:在簡要介紹網(wǎng)絡存儲器硬件原理的基礎上,詳細說明軟件平臺的構建,并對不同網(wǎng)絡、不同平臺之間實現(xiàn)文件存儲提出了相應的解決方法。 關鍵詞:Linux 網(wǎng)絡存儲器 Samba
近期兩大韓系存儲器廠生產(chǎn)不順,包括三星電子(SamsungElectronics)25納米制程轉(zhuǎn)換,以及SK海力士(SKHynix)大陸無錫廠設備運作都出現(xiàn)小問題,導致DRAM市場在傳統(tǒng)淡季仍出現(xiàn)供給吃緊情況,供應鏈業(yè)者認為,終端需求雖沒
21ic訊 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM),包括具有異步并行和異步開放式NAND閃存接口(ONFI)標準1.0接口的器件.。這一16 Mb nvSRAM系列擴展了賽普拉斯的產(chǎn)品線,以滿
IBM已經(jīng)找到了該用什么來替代固態(tài)硬盤(SSD)中的閃存(NAND)芯片的方法,那就是利用“相變混合內(nèi)存技術”(phase change memory hybrid technology)。在與希臘Patras大學的合作中,IBM揭開了“提修斯&rd
在視頻輸出、聲吶仿真等實際應用中,經(jīng)常要求計算機能根據(jù)要求穩(wěn)定輸出連續(xù)數(shù)據(jù)流。然而,當計算機工作于Windows2000操作系統(tǒng)下時,由于該操作系統(tǒng)是一個多任務的非實時操作系統(tǒng),當它收到外部設備發(fā)來的中斷時,需要延遲
DRAM價格趨于穩(wěn)定,1Gb容量提前在9月初站上1.7美元,臺廠面對這樣美好的光景,心中還是有些疑慮,擔心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗,破壞DRAM價格漲勢,然現(xiàn)在
據(jù)ET News報導,矽穿孔(TSV)中介層(Interposer)成為半導體封裝廠的次世代成長動能。物聯(lián)網(wǎng)(IoT)成為熱門話題,應用處理器、存儲器、微機電系統(tǒng)(MEMS)傳感器等異種芯片間的結合更顯重要。然資本支出的負擔和效率性的確
近期兩大韓系存儲器廠生產(chǎn)不順,包括三星電子(SamsungElectronics)25納米制程轉(zhuǎn)換,以及SK海力士(SKHynix)大陸無錫廠設備運作都出現(xiàn)小問題,導致DRAM市場在傳統(tǒng)淡季仍出現(xiàn)供給吃緊情況,供應鏈業(yè)者認為,終端需求雖沒
恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory,PCM) 產(chǎn)品的市場規(guī)格,此新一代存儲技術可滿足載有大量
南韓科學家運用石墨烯(graphene)發(fā)明了一款透明的存儲器,未來筆記型電腦、智能手機將有望出現(xiàn)透明機種。南韓媒體ETNews 24日報導,南韓科學與資訊科技未來規(guī)畫部(Ministry of Science, ICT and Future Planning,MI