
6月5日消息,據媒體報道,近日三星電子發(fā)布了三段有趣的網絡視頻,面向全球消費者開展感性營銷活動,讓用戶直觀了解“他們關心但并不熟悉”的電子存儲器。事實上,電子元器件的一般市場推廣,由于其獨特的行業(yè)特性,
Dallas公司的iButton產品是一系列1-wire總線新型器件。DS1991是一種加密存儲器型信息紐扣,封裝于直徑為16mm的不銹鋼外殼中,體積小巧,便于攜帶、保存,防塵、防腐蝕,可以在惡劣的應用環(huán)境中實現帶密碼
NAND Flash產業(yè)2012年上半年非常辛苦,產業(yè)本身有供過于求困境,加上歐債風暴蔓延影響全球經濟發(fā)展。NAND Flash芯片既有的應用如閃存卡和U盤市場需求疲弱,產值雙雙出現萎縮,市場發(fā)展空間有限。2012年一直寄望的SSD
NAND Flash產業(yè)2012年上半年非常辛苦,產業(yè)本身有供過于求困境,加上歐債風暴蔓延影響全球經濟發(fā)展。NAND Flash芯片既有的應用如閃存卡和U盤市場需求疲弱,產值雙雙出現萎縮,市場發(fā)展空間有限。2012年一直寄望的SSD
要點1.一個隨機微粒缺陷的概率是布局特征間距的函數。因為存儲器有相對致密的結構,它們天生就對隨機缺陷更加敏感,于是就可能影響到器件的總良品率。2.一款關鍵區(qū)域分析工具要能精確地分析出存儲器冗余,就必須了解
如今的手機正逐漸成為融合多種技術的多功能設備。它們具有互聯網接入、Wi-Fi連接、一體化音樂回放、GPS導航、高質量數碼相機、藍牙連接等功能,并且配備有標準的PC類接口,可用于開發(fā)和增加程序。隨著手持設備集成度
利用西橋架構有效管理多媒體手機數據流
單片機內部存儲結構分析我們來思考一個問題,當我們在編程器中把一條指令寫進單片要內部,然后取下單片機,單片機就可以執(zhí)行這條指令,那么這條指令一定保存在單片機的某個地方,并且這個地方在單片機掉電后依然可以
如圖所示,用一個具有容性響應的傳感器和一只PIC微控制器(MCU)就可以構成一個相對濕度計。其中Humirel公司提供的HS1101型傳感器的電容取值范圍為162 ~202pF。使用一個TLC555 CMOS 定時器作為振蕩器,完成從電容到頻率
摘要:基于相變存儲器(PCM) 已有的2T2R 結構,提出一種以比值為導向的狀態(tài)定義方法,以實現2T2R 結構下PCM 的多值存儲。它在相變電阻具有4 態(tài)可編寫的能力下,可以實現單元內8 態(tài)存儲,同時對小尺寸驗證,而對PCM 存
日前,三星電子發(fā)布,其全球首家批量生產20納米級工藝的4GbLPDDR2DRAM,旨在全面擴大其4GbDRAM市場。三星電子繼2012年3月開始批量生產20納米級8GBDDR3筆記本電腦模塊,4月又開始批量生產20納米級4GbLPDDR2DRAM,從而
日圓升值,加速日本整合元件大廠(IDM)委外釋單,除了近期外傳瑞薩將大舉釋單臺積電外,包括日月光(2311)、京元電、力成、超豐、矽格、泰林及華東等,拓展日本市場也頻傳捷報。封測業(yè)者透露,IDM委外釋單長期以來
如圖所示,用一個具有容性響應的傳感器和一只PIC微控制器(MCU)就可以構成一個相對濕度計。其中Humirel公司提供的HS1101型傳感器的電容取值范圍為162 ~202pF。使用一個TLC555 CMOS 定時器作為振蕩器,完成從電容到頻率
軟誤差是半導體器件中無法有意再生的“干擾”(即數據丟失)。它是由那些不受設計師控制的外部因素所引起的,包括α粒子、宇宙射線和熱中子。許多系統(tǒng)能夠容忍一定程度的軟誤差。例如,如果為音頻、視
日圓升值,加速日本整合元件大廠(IDM)委外釋單,除了近期外傳瑞薩將大舉釋單臺積電外,包括日月光(2311)、京元電、力成、超豐、矽格、泰林及華東等,拓展日本市場也頻傳捷報。 封測業(yè)者透露,IDM委外釋單長期以
泰林(5466)本季受惠DRAM存儲器測試量回升,且混合訊號和邏輯IC測試持穩(wěn),加上來自日本客戶MEMS電子羅盤測試代工量逐步放大,法人表示,本季的季增率有機會達10~15%。 法人表示,泰林的DRAM存儲器測試量第2季逐步
在現有塔吊控制室控制的基礎上,結合微型計算機控制技術,本研究提出一種低功耗、自動CRC校驗碼、軟件編碼和硬件譯碼、接收器采用無記憶控制且具有高抗干擾能力和高可靠性的塔吊無線遙控系統(tǒng),既保證了安全操作又大幅
日前,三星電子發(fā)布,其全球首家批量生產20納米級(1納米=10億分之一米)工藝的4Gb LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)DRAM,旨在全面擴大其4Gb DRAM市場。三星電子為滿足消費者的需求,繼2012年3月開始批量生產20納
日前,三星(微博)電子發(fā)布,其全球首家批量生產20納米級(1納米=10億分之一米)工藝的4Gb LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)DRAM,旨在全面擴大其4Gb DRAM市場。三星電子為滿足消費者的需求,繼2012年3月開始批量生
經過課題組成員的艱苦努力,并通過一系列其他技術難題的攻克,潘建偉小組最終成功實現了3.2毫秒的存儲壽命及73%的讀出效率。該成果為目前國際上量子存儲綜合性能指標最好的實驗結果。論文審稿人認為該工作“是朝