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[導讀]日前,三星電子發(fā)布,其全球首家批量生產(chǎn)20納米級工藝的4GbLPDDR2DRAM,旨在全面擴大其4GbDRAM市場。三星電子繼2012年3月開始批量生產(chǎn)20納米級8GBDDR3筆記本電腦模塊,4月又開始批量生產(chǎn)20納米級4GbLPDDR2DRAM,從而

日前,三星電子發(fā)布,其全球首家批量生產(chǎn)20納米級工藝的4GbLPDDR2DRAM,旨在全面擴大其4GbDRAM市場。

三星電子繼2012年3月開始批量生產(chǎn)20納米級8GBDDR3筆記本電腦模塊,4月又開始批量生產(chǎn)20納米級4GbLPDDR2DRAM,從而成了擁有業(yè)界最大高端4Gb存儲生產(chǎn)線的廠商。

據(jù)了解,20納米級4GbDRAM產(chǎn)品群,不僅能夠提供全球最為“超薄”、“大容量”、“高性能”的手機解決方案,而且其最小的芯片尺寸,可實現(xiàn)超薄設計。因此,該產(chǎn)品成為了創(chuàng)新企業(yè)及手機生產(chǎn)廠商推出的下一代系統(tǒng)時確保其優(yōu)勢的核心要素。

三星電子2011年3月開始批量生產(chǎn)了30納米級存儲器此次業(yè)界首家批量生產(chǎn)最小尺寸20納米級存儲,意味著三星電子不僅能夠確保在30納米級移動存儲以及20納米級移動存儲領域的競爭優(yōu)勢,而且將繼續(xù)引領移動存儲市場的領先地位。

三星電子存儲器事業(yè)部戰(zhàn)略營銷部洪完勛副社長表示,“2011年三星電子憑借業(yè)界首家批量生產(chǎn)30納米級4GbDRAM,擴大了市場份額。2012年,則通過20納米級4Gb的批量生產(chǎn),有望實現(xiàn)進一步差異化高端存儲器市場目標。今年下半年,將繼續(xù)加大20納米級的比重,從而搶占高端市場,進而加強競爭優(yōu)勢。”

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