
存儲器大廠華邦第2季毛利率大幅提升至25%,稅后獲利較上季成長率高達222%;總經(jīng)理詹東義表示,華邦宣告轉(zhuǎn)型告捷,第2季標準型DRAM營收比重降至2%,未來華邦是全方面存儲器供應(yīng)商,第2季表現(xiàn)最佳的是NORFlash產(chǎn)品線,
JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會, 微電子產(chǎn)業(yè)標準全球領(lǐng)導制定機構(gòu),今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲器標準JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當今DRAM主導性標準演變的繼續(xù)。DDR3L 將促使應(yīng)用存儲器的涉
JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會,微電子產(chǎn)業(yè)標準全球領(lǐng)導制定機構(gòu),今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲器標準JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當今DRAM主導性標準演變的繼續(xù)。DDR3L 將促使應(yīng)用存儲器的涉
Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布,已經(jīng)開始提供基于F-RAM的MaxArias™無線存儲器商用樣片。Ramtron的MaxArias™系列無線存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性
1 引言 在中國有許多因創(chuàng)傷性顱腦損傷的患者急需搶救,但相當一部分顱內(nèi)出血患者因未能及時診斷,延誤了搶救和治療時機.因而出現(xiàn)腦血腫或腦疝后壓迫腦組織.使腦干和腦實質(zhì)受到不可逆轉(zhuǎn)的損傷。近紅外顱內(nèi)出血檢測設(shè)
2010年已經(jīng)過去7個月,回顧歷程覺得有些”異常”,如2009年初時悲觀的情緒籠罩一切,進入到2010年初時產(chǎn)業(yè)形勢己明顯復蘇,而且似乎好得讓人不太敢相信,有時在腦海中會反復的追問,有可能嗎? 然而各市場分析公司在
乘著半導體產(chǎn)業(yè)景氣復甦潮,存儲器供應(yīng)商與晶圓代工廠可說是2010上半年表現(xiàn)最佳的一群;根據(jù)市場研究機構(gòu)IC Insights公布的最新全球前二十大半導體廠商排行榜,存儲器廠商與晶圓代工廠是名次進步最多的一群。在全球前
在此波半導體業(yè)上升周期的強勁推動下,存儲器與代工制造商在2010年上半年的表現(xiàn)最為亮麗,這是由ICInsight公司剛公布的2010年上半年全球前20大排名中得知。全球5大存儲器制造商都進入前20大排名之中,三星仍雄居第二
在此波半導體業(yè)上升周期的強勁推動下,存儲器與代工制造商在2010年上半年的表現(xiàn)最為亮麗,這是由IC Insight公司剛公布的2010年上半年全球前20大排名中得知。全球5大存儲器制造商都進入前20大排名之中,三星仍雄居第二
1 引言 在中國有許多因創(chuàng)傷性顱腦損傷的患者急需搶救,但相當一部分顱內(nèi)出血患者因未能及時診斷,延誤了搶救和治療時機.因而出現(xiàn)腦血腫或腦疝后壓迫腦組織.使腦干和腦實質(zhì)受到不可逆轉(zhuǎn)的損傷。近紅外顱內(nèi)出血檢測設(shè)
隨著半導體行業(yè)的整體復蘇,2010年ATE市場預計也將翻番。但存儲器行業(yè)由于2009年產(chǎn)能的下降及奇夢達的破產(chǎn),二手ATE測試設(shè)備還處于消化過程中。為布局即將增長的存儲器測試市場,Verigy推出了全新的適用于未來3代高速
“我準備把新一代存儲技術(shù)帶到中國!”美國工程院院士馬佐平在華人論壇上的演講中表示,相變存儲器將是未來存儲的方向。出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國耶魯大學教授、電機系主任。憑借在研發(fā)“互補性氧化金屬半導體
“我準備把新一代存儲技術(shù)帶到中國!”美國工程院院士馬佐平在華人論壇上的演講中表示,相變存儲器將是未來存儲的方向。出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國耶魯大學教授、電機系主任。憑借在研發(fā)“互補性氧化金屬半導體
惠瑞捷 (Verigy)推出了全新的 HSM3G 高速存儲器測試解決方案,進一步拓展了面向 DDR3世代主流存儲器 IC 和更高級存儲器件測試能力的 V93000 HSM 平臺。V93000 HSM3G 獨特的優(yōu)勢在于其未來的可升級性,能夠為數(shù)據(jù)傳輸
隨著半導體行業(yè)的整體復蘇,2010年ATE市場預計也將翻番。但存儲器行業(yè)由于2009年產(chǎn)能的下降及奇夢達的破產(chǎn),二手ATE測試設(shè)備還處于消化過程中。為布局即將增長的存儲器測試市場,Verigy推出了全新的適用于未來3代高速
摘要:設(shè)計一種基于PCIe總線的不間斷采樣和傳輸?shù)某咚贁?shù)據(jù)采集卡。利用雙400MHz、14位AID轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)了800 MHz、14位的信號高速、高精度采集,論述了利用Xilinx公司FPGA的IPCORE設(shè)計實現(xiàn)PCIe總線控制接口?;赑CIe
“中國半導體產(chǎn)業(yè)有著良好的基礎(chǔ),如果要趕超世界先進水平,必須要找準方向、加強合作?!爆F(xiàn)任美國國家工程院院士馬佐平26日在廣州接受新華社記者采訪時說。出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國耶魯大學教授、電機系主
半導體測試公司惠瑞捷 (Verigy)在韓國一家不具名客戶的生產(chǎn)廠內(nèi)安裝并驗證其首款可生產(chǎn)的V93000 HSM6800系統(tǒng)。這套新系統(tǒng)是唯一的一款面向當今 GDDR5超快存儲集成電路 (IC)(運行速度超過每接腳4 Gbps)的快速高良
2010年存儲器市場最夯產(chǎn)品非NOR Flash莫屬,從年初開始供貨吃緊且價格一路飛漲,盡管各家NOR Flash廠對于第3季價格都是持續(xù)看漲,但產(chǎn)業(yè)供需結(jié)構(gòu)卻是暗潮洶涌,其中,旺宏與華邦大舉擴充12寸廠產(chǎn)能,飛索(Spansion)脫
2010年存儲器市場最夯產(chǎn)品非NORFlash莫屬,從年初開始供貨吃緊且價格一路飛漲,盡管各家NORFlash廠對于第3季價格都是持續(xù)看漲,但產(chǎn)業(yè)供需結(jié)構(gòu)卻是暗潮洶涌,其中,旺宏與華邦大舉擴充12寸廠產(chǎn)能,飛索(Spansion)脫離