納米存儲10年內實現(xiàn)商業(yè)化 將改寫IT產業(yè)

一些大學的研究人士預言，很快我們就可能看到存儲技術上獲得突破，在一個硬幣大小的面積上存儲250張DVD的內容。因為不久前美國伯克利加利福尼亞大學和馬薩諸塞大學安姆斯特分校的科學家已經找到了一種新的方法，能讓

存儲密度最高的ARM9標準微控制器（ST）

意法半導體（ST）擴大其基于ARM966E-S內核的STR91xFA系列微控制器的片內閃存容量，推出兩款閃存容量為1.1MB和2.1MB的新產品，在目前基于ARM9，或ARM7-TDMI內核的標準微控制器市場上創(chuàng)下存儲密度的最高記錄。

存儲密度最高的ARM9標準微控制器（ST）

意法半導體（ST）擴大其基于ARM966E-S內核的STR91xFA系列微控制器的片內閃存容量，推出兩款閃存容量為1.1MB和2.1MB的新產品，在目前基于ARM9，或ARM7-TDMI內核的標準微控制器市場上創(chuàng)下存儲密度的最高記錄。

日立掌握4TB容量硬盤技術，2011年將普及

我國超高密度信息存儲再創(chuàng)“世界之最”

不久前，我國科學家研制出迄今世界上信息存儲密度最高的有機 材料，將信息存儲點的直徑縮小到了０．６納米，從而在超高密度信息存儲研究上再創(chuàng)“世界之 最”，保持了從１９９６年起就占據(jù)的國際領先地位。