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寬帶隙半導(dǎo)體

我要報(bào)錯(cuò)

  • 意法半導(dǎo)體披露公司全球計(jì)劃細(xì)節(jié),重塑制造布局和調(diào)整全球成本基數(shù)

    2025年4月17日，中國 – 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 披露了全球制造布局重塑計(jì)劃細(xì)節(jié)，進(jìn)一步更新了公司此前發(fā)布的全球計(jì)劃。2024年10月，意法半導(dǎo)體發(fā)布了一項(xiàng)覆蓋全公司的計(jì)劃，擬進(jìn)一步增強(qiáng)企業(yè)的競爭力，鞏固公司全球半導(dǎo)體龍頭地位，利用公司的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、大規(guī)模制造等全球戰(zhàn)略資產(chǎn)，保障公司的垂直整合制造 (IDM) 模式長期發(fā)展。

  • 雙極結(jié)型晶體管展現(xiàn)實(shí)力

    在 CMOS 和寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步中，您很容易忘記 William Shockley 于 1949 年發(fā)明的第一個(gè)晶體管是雙極結(jié)型晶體管 (BJT)。盡管它們已經(jīng)不再流行，但這些不起眼的設(shè)備仍然在各種類型的電子設(shè)備中大量高效可靠地運(yùn)行。事實(shí)上，在某些應(yīng)用中，BJT 的性能可以超越更杰出的 CMOS 同類產(chǎn)品。 BJT 技術(shù)的最新改進(jìn)將使它們成為半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。

  • 寬帶隙半導(dǎo)體組裝和測試解決方案

    全球功率半導(dǎo)體市場包括分立元件、模塊和集成電路，服務(wù)于汽車、工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。為了利用電氣化趨勢(shì)，Carsem 密切關(guān)注日益增長的電動(dòng)汽車(EV) 和可再生能源產(chǎn)品領(lǐng)域。

  • 探索硅摻雜對(duì)塊體 GaN 熱導(dǎo)率的影響

    寬帶隙半導(dǎo)體材料氮化鎵 (GaN) 具有出色的電氣和光學(xué)特性，可用于各種電子和光電設(shè)備。然而，與其他半導(dǎo)體相比，其固有熱導(dǎo)率明顯較低。硅摻雜可以顯著影響塊狀氮化鎵 (GaN) 的熱導(dǎo)率。

  • 討論寬帶隙半導(dǎo)體背后的技術(shù)、市場前景和機(jī)遇

    GaN Systems 銷售和營銷副總裁 Larry Spaziani 在接受 記者采訪時(shí) 談到了寬帶隙半導(dǎo)體背后的技術(shù)、市場前景和機(jī)遇。

  • 使用寬帶隙半導(dǎo)體為電動(dòng)汽車供電，第二部分

    所以電動(dòng)汽車需要更多的電力，因此功率水平最高可達(dá)傳統(tǒng)汽車的 20 倍。所以內(nèi)燃機(jī)、ICE……我的意思是，對(duì)于工程師來說，對(duì)于試圖優(yōu)化電力網(wǎng)絡(luò)的電力工程師來說，這種增長是一個(gè)重大挑戰(zhàn)。還有基礎(chǔ)設(shè)施、充電站、電網(wǎng)。如您所知，汽車現(xiàn)在更加電動(dòng)化，我們可以這么說。所以我們不需要機(jī)械工程師，我的意思是。而在這種情況下，問題也是：我們?nèi)绾胃脑炫f的機(jī)械工程師?換句話說，如何從與內(nèi)燃機(jī)汽車相關(guān)的職業(yè)轉(zhuǎn)向電動(dòng)汽車。我們確實(shí)需要在這些新興領(lǐng)域(電動(dòng)汽車)具有特定資格的新專業(yè)人員。

  • 使用寬帶隙半導(dǎo)體為電動(dòng)汽車供電，第三部分

    對(duì)于 FTEX，目前的挑戰(zhàn)是開始制造。所以我們已經(jīng)開始預(yù)制造了。你知道，在路上建立一個(gè)原型需要 20% 的努力，而 80% 的工作真的就像是讓這個(gè)原型對(duì)每個(gè)人都具有良好的功能，并具有良好的故障率和良好的良率。當(dāng)然，供應(yīng)鏈現(xiàn)在是一個(gè)我們必須解決的大問題。

  • 使用寬帶隙半導(dǎo)體為電動(dòng)汽車供電，第一部分

    車輛電氣化是減少道路交通溫室氣體排放計(jì)劃的關(guān)鍵部分。與傳統(tǒng)的硅替代品相比，寬帶隙半導(dǎo)體具有多種優(yōu)勢(shì)，因此可以改進(jìn)電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車。在這個(gè)與 FTEX 的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官 Alexandre Cosneau 的討論中，我們將發(fā)現(xiàn)電動(dòng)汽車的動(dòng)力總成技術(shù)和 GaN 的優(yōu)勢(shì)。Cosneau 正在尋找優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換的方法，從電池設(shè)計(jì)到電機(jī)效率，這對(duì) FTEX 技術(shù)和解決方案至關(guān)重要。

  • 寬帶隙半導(dǎo)體

    室溫下，Si的帶隙為1.1eV，GaAs的帶隙為1.43eV，一般把室溫下帶隙大于2.0eV的半導(dǎo)體材料歸類于寬帶隙半導(dǎo)體，寬帶隙半導(dǎo)體在藍(lán)、紫光和紫外光電子器件，高頻、高溫、高功率電子器件及場發(fā)射器件方面應(yīng)用廣泛。