在新能源發(fā)電、電動汽車充電樁、工業(yè)電源等領(lǐng)域,對 AC/DC 轉(zhuǎn)換器的效率、功率密度和可靠性要求持續(xù)提升,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借高頻、高效、耐高溫的特性,逐漸取代傳統(tǒng)硅基器件成為核心選擇。然而,SiC MOSFET 的高速開關(guān)特性、特殊驅(qū)動需求及寄生參數(shù)敏感性,給設(shè)計帶來諸多挑戰(zhàn)。本文從工程化設(shè)計角度出發(fā),梳理簡化 SiC MOSFET AC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計的關(guān)鍵技術(shù),幫助工程師降低開發(fā)難度、縮短研發(fā)周期。
MOS管將是下述內(nèi)容的主要介紹對象,通過這篇文章,小編希望大家可以對MOS管的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解,詳細(xì)內(nèi)容如下。
新思科技(Synopsys, Inc.,納斯達(dá)克股票市場代碼:SNPS)日前宣布:其StarRC™解決方案的2015.12版本實現(xiàn)了關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新,可以解決由于摩爾定律(Moore’s Law)繼續(xù)向更精細(xì)化延伸,而引起的越來越多的寄生參
PSPICE仿真的是理想環(huán)境,除非你自己將一些寄生參數(shù)定義到回路中,所以RC過大或過小也不會計算到寄生參數(shù)中。您這個問題有兩個可能,但兩種都是因為時間的關(guān)系:1.因為RC振蕩電路有一個關(guān)鍵參數(shù)就是響應(yīng)時間和振蕩頻
針對開關(guān)電源設(shè)計階段應(yīng)考慮的EMC問題,介紹了PCB及其結(jié)構(gòu)寄生參數(shù)提取和頻域仿真的方法,在開關(guān)電源設(shè)計階段對其傳導(dǎo)EMI進(jìn)行預(yù)測,定位開關(guān)電源傳導(dǎo)EMI傳播路徑的影響因素,在此基礎(chǔ)上給出開關(guān)電源PCB及其結(jié)構(gòu)設(shè)計的
摘要:本文在簡要介紹寄生參數(shù)提取工具Star-RCXT和靜態(tài)時序分析工具PrimeTime的基礎(chǔ)上,對已通過物理驗證工具Calibre DRC和LVS的FFT處理器版圖用Star-RCXT工具進(jìn)行了基于CCI的寄生參數(shù)提取,得到內(nèi)部互連網(wǎng)絡(luò)的詳細(xì)寄生
摘要:本文在簡要介紹寄生參數(shù)提取工具Star-RCXT和靜態(tài)時序分析工具PrimeTime的基礎(chǔ)上,對已通過物理驗證工具Calibre DRC和LVS的FFT處理器版圖用Star-RCXT工具進(jìn)行了基于CCI的寄生參數(shù)提取,得到內(nèi)部互連網(wǎng)絡(luò)的詳細(xì)寄生
摘要:本文在簡要介紹寄生參數(shù)提取工具Star-RCXT和靜態(tài)時序分析工具PrimeTime的基礎(chǔ)上,對已通過物理驗證工具Calibre DRC和LVS的FFT處理器版圖用Star-RCXT工具進(jìn)行了基于CCI的寄生參數(shù)提取,得到內(nèi)部互連網(wǎng)絡(luò)的詳細(xì)寄生