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導(dǎo)通損耗

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  • MOS管低阻抗導(dǎo)通異常發(fā)熱的原因及處理方案詳解

    MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)憑借開關(guān)速度快、輸入阻抗高、驅(qū)動功率小、損耗低等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變器、電機(jī)驅(qū)動、高頻放大等各類電子電路中。在開關(guān)電源等核心應(yīng)用場景中，MOS管常工作于低阻抗導(dǎo)通狀態(tài)，理想情況下導(dǎo)通損耗極低，發(fā)熱微弱可忽略不計。但實際應(yīng)用中，若MOS管出現(xiàn)低阻抗導(dǎo)通時異常發(fā)熱(如外殼燙手、溫度超過85℃安全閾值)，不僅會導(dǎo)致器件性能衰減、壽命縮短，嚴(yán)重時還會引發(fā)熱擊穿、燒毀，甚至影響整個電路系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。

  • 工程師必讀開關(guān)電源MOS的8大損耗

    在器件設(shè)計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計算值和預(yù)計波形，套用公式進(jìn)行理論上的近似計算）。